Вышедшие номера
Молекулярно-пучковая эпитаксия и свойства гетероструктур с InAs нанокластерами в Si матрице
Денисов Д.В.1, Серенков И.Т.1, Сахаров В.И.1, Цырлин Г.Э.1,2, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: denisov@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 18 марта 2003 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2003 г.

Методами дифракции быстрых электронов на отражение, рассеяния ионов средних энергий и сканирующей электронной микроскопии исследованы процессы формирования гетероэпитаксиальных структур с InAs-нанокластерами в Si-матрице при молекулярно-пучковой эпитаксии, а также изменение параметров таких структур при термическом отжиге. Показано, что в определенном температурном диапазоне при осаждении InAs на Si(100)-поверхности происходит формирование четырехгранных нанопирамид с 111-ориентацией боковых граней. Установлена возможность последующего эпитаксиального заращивания InAs-наноостровков кремнием с постепенным сглаживанием трехмерного рельефа. Определено, что при отжиге в вакууме структуры Si(100) являются стабильными при температурах до 700oC. Настоящая работа выполнена при частичной финансовой поддержке научными программами Минпромнауки и технологии РФ и Российского фонда фундаментальных исследований.