Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2019, выпуск 11 » Статья стр. 2024
<<<>>>
Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе
DOI: 10.21883/FTT.2019.11.48402.514
Переводная версия: 10.1134/S1063783419110131
Дементьев П.А.1, Иванова Е.В.1, Лапушкин М.Н.1, Смирнов Д.А.2, Тимошнев С.Н.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Institut fur Festkorper- und Materialphysik, Technische Universitat Dresden, Dresden, Germany
3Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Email: lapushkin@ms.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 11 июня 2019 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2019 г.
PDF версия
Проведены исследования методом фотоэлектронной спектроскопии in situ в сверхвысоком вакууме электронной структуры чистой поверхности молибдена, окисленного на воздухе, и при адсорбции натрия Na при субмонослойных покрытиях. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны и остовных уровней O 1s, O 2s, Mo 4s и Na 2p при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 80-600 eV. Найдено изменение спектра остовных уровней кислорода, связанных с замещением атомов водорода в гидроксильной группе атомами натрия. Исследована топография поверхности и катодолюминесценция окисла молибдена. Ключевые слова: Окисел молибдена, фотоэмиссия, АСМ, катодолюминесценция.
  1. Э.Я. Зандберг. ЖТФ 65, 1 (1995)
  2. Э.Я. Зандберг, А.Г. Каменев, В.И. Палеев, У.Х. Расулев. Журнал аналитической химии ХХХV, 1188 (1980)
  3. И.А. Бураков, Е.В. Крылов, А.Л Макасей, Э.Г. Назаров, В.В. Первухин, У.Х. Расулев. Письма в ЖТФ 17, 60 (1991)
  4. В.И. Капустин, А.П. Коржавый. Росс. технол. 4, 3 (2016)
  5. В.Н. Агеев, Ю.А. Кузнецов. ФТТ 40, 768 (1998)
  6. I.A. de Castro, R.S. Datta, J.Z. Ou, S. Sriram, T. Daeneke, K. Kalantar-zadeh. Adv. Mater. 29, 1701619 (2017)
  7. A.D. Sayede, T. Amriou, M. Pernisek, B. Khelifa, C. Mathieu. Chem. Phys. 316, 72 (2005)
  8. D.O. Scanlon, G.W. Watson, D.J. Payne, G.R. Atkinson, R.G. Egdell, D.S.L. Law. J. Phys. Chem. C 114, 4636 (2010)
  9. R. Tokarz-Sobieraj, K. Hermann, M. Witko, G. Mestl, R. Schlogl. Surf. Sci. 489, 107 (2001)
  10. Q. Qu, W.B. Zhang, K. Huang, H.M. Chen. Comput. Mater Sci. 130, 242 (2017)
  11. Y.Zh. Wang, M. Yang, D.C. Qi, S. Chen, W. Chen, A.T.S. Wee, X.Y. Gao. J. Chem. Phys. 134, 034706 (2011)
  12. A. Borgschulte, O. Sambalova, R. Delmelle, S. Jenatsch, R. Hany, F. Nuesch. Sci. Rep. 7, 40761 (2017)
  13. P.C. Kao, Z.H. Chen, H.E. Yen, T.H. Liu, C.L. Huang. Jpn. J. Appl. Phys. 57, 03DA04 (2018)
  14. A.T. Marti-Luengo, H. Kostenbauer, J. Winkler, A. Bonanni. AIP Adv. 7, 015034 (2017)
  15. G.E. Buono-Core, A.H. Klahna, C. Castillo, E. Munoz, C. Manzur, G. Cabellob, B. Chornik. J. Non-Cryst.Solids 387, 21 (2014)
  16. J. Song, X. Ni, D. Zhang, H. Zheng. Solid State Sci. 8, 1164 (2006)
  17. A.A. Bortotia, A.F. Gavanskia, Y.R. Velazquezb, A. Gallia, E.G. de Castro. J. Solid State Chem. 252, 111 (2017)
  18. I. Irfan, H. Ding, Y. Gao, C. Small, D.Y. Kim, J. Subbiah, F. So. Appl. Phys. Lett. 96, 243307 (2010)
  19. I. Irfan, A.J. Turinske, Z. Bao, Y. Gao. Appl. Phys. Lett. 101, 093305 (2012)
  20. C. Wang, I. Irfan. JVST B 32, 040801 (2014)
  21. S. Tanuma, C.J. Powell, D.R. Penn. Surf. Interface Anal. 2011 43, 689 (2011)
  22. I. Lindau, W.E. Spicer. J. Electr. Spectroscopy 3, 409 (1974)
  23. L. Zhang, B. Wen, Y.N. Zhu, Z. Chai, X. Chen, M. Chen. Comput. Mater. Sci. 150, 484 (2018)
  24. Y.Z. Wang, M. Yang, D.C. QI, S. Chen, W. Chen, A.T.S. Wee, X.Y. Gao. J. Chem. Phys. 134, 034706 (2011)
  25. T.C. Arnoldussen. J. Electrochem. Soc. 123, 527 (1976)
  26. N. Desai, S. Mali, V. Kondalka, R. Mane, C. Hong, P. Bhosale. J Nanomed Nanotechnol 6, 338 (2015)
  27. H. Akutsu, S. Yamaguchi, K. Otsubo, M. Tamaoki, A. Shimazaki, R. Yoshimura, F. Aiga, T. Tada. Proc. SPIE 7028, 702829 (2008)
  28. A.T. Marti-Luengo, H. Kostenbauer, J. Winkler, A. Bonanni. AIP Adv. 7, 015034 (2017)
  29. K. Koike, R. Wada, S. Yagi, Y. Harada, S. Sasa, M. Yano. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 05FJ02 (2014)
  30. I. Navas, R. Vinodkumar, V.P. Mahadevan Pillai. Appl. Phys. A 103, 373 (2011)
  31. T. Toyoda, H. Nakanishi, S. Endo, T. Irie. J. Phys. D 18, 747 (1985)
  32. H. Simchi, B.E. McCandless, T. Meng, J.H. Boyle, W.N. Shafarman. J. Appl. Phys. 114, 013503 (2013)
  33. Л.Н. Бугерко, Н.В. Борисова, В.Э. Суровая, Г.О. Еремеева. Ползуновский вестн. 1, 77 (2013)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme