Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Математическое моделирование процесса выращивания монокристалла CdTe методом Обреимова--Шубникова

DOI: 10.21883/FTT.2020.01.48722.24ks

Переводная версия: 10.1134/S1063783420010254

Павлюк М.Д. ¹, Суханова Е.А.², Зыкова М.П.², Волчков И.С. ¹, Каневский В.М.¹, Субботин И.А.³, Подурец К.М.³, Павлюк Б.Ф.⁴, Иванов Ю.М.⁵

¹Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Shubnikov Institute of Crystallography “Crystallography and Photonics”, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Российский химико-технологический университет им. Д.И. Менделеева, Москва, Россия Mendeleev University of Chemical Technology, Moscow, Russia

³Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия National Research Center “Kurchatov Institute”, Moscow, Russia

⁴Всероссийский научно-исследовательский институт авиационных материалов, Москва, Россия All-Russia Institute of Aviation Materials (VIAM), Moscow, Russia

All-Russia Institute of Aviation Materials (VIAM), Moscow, Russia

⁵Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Baikov Institute of Metallurgy and Materials Science, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Email: zenkova@crys.ras.ru

Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.

Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Впервые выполнено моделирование ростового процесса кристалла CdTe модифицированным методом Обреимова-Шубникова с применением техники самозатравления от начальной температуры охлаждения (1100^oC) до момента выхода на режим стационарного роста. Рассчитано движение фронта кристаллизации в процессе роста кристалла. Результаты подтверждены методом рентгеновской топографии с использованием синхротронного излучения. Ключевые слова: CdTe, фронт кристаллизации, термоконвективные потоки.

M. Azoulay, A. Raizman, G. Gafni, M. Roth. J. Cryst. Growth. 101, 256 (1990)
Yu.M. Ivanov. J. Cryst. Growth. 194, 509 (1998)
Ю.М. Иванов, А.Н, Поляков, М.Д. Зенкова, В.М. Каневский. Установка для выращивания кристаллов / Патент на полезную модель RU 51030 U1 2006
M.D. Pavlyuk, V.M. Kanevsky, V.F. Dvoryankin, A.A. Kudryashov, A.G. Petrov, Yu.M. Ivanov. Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. A 624, 482 (2010)
Osamu Oda. Compound semiconductor bulk materials and characterizations. World Scientific Publishing Company, Singapore (2007). 556 p

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель