Вышедшие номера
Рост кристаллов при спонтанной кристаллизации в неинерциальных системах в условиях космической станции и в условиях Земли на примере синтеза и роста кристаллов CrSi2 из раствора-расплава Zn
Переводная версия: 10.1134/S106378342001014X
Калашников Е.В.1,2, Гурин В.Н.2, Никаноров С.П.2, Деркаченко Л.И.2, Яговкина М.А.2
1Московский государственный областной университет, Мытищи, Московская обл., Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ekevkalashnikov1@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 июля 2019 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2019 г.

Рассматривается влияние гравитационного поля Земли на рост кристаллов из раствора-расплава при спонтанной кристаллизации. Для этого принимается во внимание, что космическая станция (КС) и лаборатория на Земле, в которых протекают процессы кристаллизации, являются неинерциальными системами. Показано, что особенностью отличающей рост кристалла на Земле является давление в расплаве, вызванное реакцией опоры (третий закон Ньютона). Такое давление на КС отсутствует и это ведет к увеличению элементарного объема расплава, претерпевающего фазовый переход первого рода. В результате кристаллы на КС оказываются по размерам большими, чем те же кристаллы, выращенные на Земле. И они обладают избыточным напряжением, по величине равным отсутствующему на КС давлению опоры. Эта ситуация сопоставляется с экспериментальными данными по выращиванию кристаллов CrSi2 из раствора-расплава в Zn системы Cr-Si-Zn. Ключевые слова: спонтанная кристаллизация, расплав-раствор, неинерциальная система, реакция опоры, невесомость, несмачиваемость, химический потенциал.