Вышедшие номера
Об аномальном влиянии внешнего электрического поля на фазовый переход второго рода в тонкой сегнетоэлектрической пленке
Переводная версия: 10.1134/S1063783420040162
Нечаев В.Н.1, Шуба А.В. 1
1Военный учебно-научный центр Военно-воздушных сил ”Военно-воздушная академия им. профессора Н.Е. Жуковского и Ю.А. Гагарина“, Воронеж, Россия
Email: wladnic@mail.ru, shandvit@rambler.ru
Поступила в редакцию: 27 августа 2019 г.
В окончательной редакции: 12 декабря 2019 г.
Принята к печати: 25 ноября 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.

В рамках феноменологической теории Ландау-Гинзбурга-Девоншира исследованы особенности фазового перехода в тонкой сегнетоэлектрической пленке во внешнем электрическом поле в зависимости от толщины пленки и типа закрепления поляризации на ее поверхности. Обнаружено, что в электрическом поле изменяется механизм фазового перехода. Помимо специфического размытия, отличающегося от размытия в объемном материле появлением вблизи TC температурного интервала с аномально высокой диэлектрической восприимчивостью, фазовый переход смещается по температуре, причем величина смещения зависит от толщины пленки, свойств ее поверхности и в слабых полях не зависит от напряженности поля. Ключевые слова: фазовый переход, сегнетоэлектрическая пленка, электрический потенциал, внешнее электрическое поле.