Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2020, выпуск 4 » Статья стр. 621
<<<>>>
Влияние структурных свойств на электросопротивление тонких пленок Al/Ag в процессе твердофазной реакции
DOI: 10.21883/FTT.2020.04.49130.652
Переводная версия: 10.1134/S1063783420040034
Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований отдельными научными группами, 18-13-00080
Алтунин Р.Р. 1, Моисеенко Е.Т. 1, Жарков С.М. 2,1
1Сибирский федеральный университет, Красноярск, Россия
2Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук, Красноярск, Россия
Email: raltunin@gmail.com
Поступила в редакцию: 16 декабря 2019 г.
В окончательной редакции: 16 декабря 2019 г.
Принята к печати: 17 декабря 2019 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2020 г.
PDF версия
На основании результатов исследования процессов твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag (атомное соотношение Al : Ag = 1 : 3) методами in situ дифракции электронов и измерения величины удельного электросопротивления установлена температура начала реакции, а также предложена модель структурных фазовых переходов. Твердофазная реакция начинается при 70oC с образования твердого раствора Al-Ag на границе раздела нанослоев алюминия и серебра. Установлено, что в процессе реакции последовательно формируются интерметаллические соединения γ-Ag2Al -> μ-Ag3Al. Показано, что возможность формирования фазы μ-Ag3Al при твердофазной реакции в тонких пленках Al/Ag зависит от соотношения алюминия и серебра, при этом формирование фазы μ-Ag3Al начинается только после того как весь ГЦК-алюминий прореагирует. Ключевые слова: тонкие пленки, фазообразование, Al/Ag, твердофазная реакция, дифракция электронов, удельное электросопротивление.
  1. M. Schneider-Ramelow, C. Ehrhardt. Microelectron. Reliab. 63, 336 (2016)
  2. S.W. Fu, C.C. Lee. J. Mater. Sci. Mater. Electron. 29, 3985 (2018)
  3. E. Colgan. Mater. Sci. Reports 5, 1 (1990)
  4. C.H. Cheng, H.L. Hsiao, S.I. Chu, Y.Y. Shieh, C.Y. Sun, C. Peng. 2013 IEEE; 63rd Electron. Components Technol. Conf., 1569 (2013)
  5. A. Mamala, T. Knych, P. Kwasniewski, A. Kawecki, G. Kiesiewicz, E. Sieja-Smaga, W. Sci ezor, M. Gnie czyk, R. Kowal. Arch. Met. Mater. 61, 1875 (2016)
  6. Y. Wang, T.L. Alford, J.W. Mayer. J. Appl. Phys. 86, 5407 (1999)
  7. Y.T. Hwang, H.G. Hong, T.Y. Seong, D.S. Leem, T. Lee, K.K. Kim, J.O. Song. Mater. Sci. Semicond. Proc. 10, 14 (2007)
  8. M. Qian, X.B. Shi, J. Ma, J. Liang, Y. Liu, Z.K. Wang, L.S. Liao. Rsc Adv. 5, 96478 (2015)
  9. J.H. Im, K.T. Kang, S.H. Lee, J.Y. Hwang, H. Kang, K.H. Cho. Org. Electron. Phys. Mater. Appl. 33, 116 (2016)
  10. D.J. Kim, H.N. Lee. Mol. Cryst. Liq. Cryst. 645, 185 (2017)
  11. P. Afzali, M. Yousefpour, E. Borhani. J. Mater. Res. 31, 2457 (2016)
  12. M.G. Blaber, M.D. Arnold, M.J. Ford. J. Phys. Condens. Matter 22, 143201 (2010)
  13. S. Auer, W. Wan, X. Huang, A.G. Ramirez, H. Cao. Appl. Phys. Lett. 99, 1 (2011)
  14. K.H. Jung, S.J. Yun, S.H. Lee, Y.J. Lee, K.S. Lee, J.W. Lim, K.B. Kim, M. Kim, R.E.I. Schropp. Solar. Energy Mater. Solar. Cells 145, 368 (2016)
  15. Y.J. Lee, C.B. Yeon, S.J. Yun, K.S. Lee, J.W. Lim, K.B. Kim, J. Baek. Mater. Res. Bull. 48, 5093 (2013)
  16. M.K.M. Ali, K. Ibrahim, E.M. Mkawi. Mater. Sci. Semicond. Proc. 16, 593 (2013)
  17. К. Мейер. Физико-химическая кристаллография. Металлургия, М. (1972). 480 с
  18. D.E. Eakins, D.F. Bahr, M.G. Norton. J. Mater. Sci. 39, 165 (2004)
  19. C. Xu, T. Sritharan, S.G. Mhaisalkar. Scr. Mater. 56, 549 (2007)
  20. C. Weaver, D.T. Parkinson. Phil. Mag. 22, 377 (1970)
  21. С. Дидилев. Компоненты и технологии 5, 15 (2010)
  22. J.E.E. Baglin, F.M. D'Heurle, W.N. Hammer. J. Appl. Phys. 50, 266 (1979)
  23. R. Roy, S.K. Sen. J. Mater. Sci. 27, 6098 (1992)
  24. J. Schleiwies, G. Schmitz. Mater. Sci. Eng. A 327, 94 (2002)
  25. A. Markwitz, W. Matz. Interface 26, 160 (1998)
  26. С.М. Жарков, Е.Т. Моисеенко, Р.Р. Алтунин, Н.С. Николаева, В.С. Жигалов, В.Г. Мягков. Письма в ЖЭТФ 99, 472 (2014)
  27. Е.Т. Моисеенко, Р.Р. Алтунин, С.М. Жарков. ФТТ 59, 1208 (2017)
  28. S.M. Zharkov, E.T. Moiseenko, R.R. Altunin. J. Solid State Chem. 269, 36 (2019)
  29. S.M. Zharkov, R.R. Altunin, E.T. Moiseenko, G.M. Zeer, S.N. Varnakov, S.G. Ovchinnikov. Solid State Phenom. 215, 144 (2014)
  30. Р.Р. Алтунин, Е.Т. Моисеенко, С.М. Жарков. ФТТ 62, 158 (2020)
  31. E.T. Moiseenko, R.R. Altunin, S.M. Zharkov. Metall. Mater. Trans. A Phys. Met. Mater. Sci. 51, 1428 (2020). (DOI: 10.1007/s11661-019-05602-5)
  32. V.G. Myagkov, L.E. Bykova, O.A. Bayukov, V.S. Zhigalov, I.A. Tambasov, S.M. Zharkov, A.A. Matsynin, G.N. Bondarenko. J. Alloys Compd. 636, 223 (2015)
  33. V.G. Myagkov, V.S. Zhigalov, L.E. Bykova, S.M. Zharkov, A.A. Matsynin, M.N. Volochaev, I.A. Tambasov, G.N. Bondarenko. J. Alloys Compd. 665, 197 (2016)
  34. R. Pretorius, T. Marais, C. Theron. Mater. Sci. Reports 10, 1 (1993)
  35. J.M. Camacho, A.I. Oliva. Thin Solid Films 515, 1881 (2006)
  36. W. Martienssen, H. Warlimont. Springer Handbook of Condensed Matter and Materials Data. Springer, Berlin, Heidelberg (2005)
  37. H. Aboulfadl, I. Gallino, R. Busch, F. Mucklich. J. Appl. Phys. 120, 195306 (2016)
  38. M. Braunovic, N. Alexandrov. IEEE Trans. Components, Packag. Manuf. Technol. A 17, 78 (1994)
  39. Р.Р. Алтунин, Е.Т. Моисеенко, Н.С. Николаева, С.М. Жарков. Решетневcкие чтения 1, 590 (2016)
  40. A. Gusak, F. Hodaj, O. Liashenko. Phil. Mag. Lett. 95, 110 (2015)
  41. V.I. Dybkov. J. Mater. Sci. 22, 4233 (1987)
  42. R.W. Balluffi, J.M. Bkakely. Thin Solid Films 25, 363 (1975)
  43. S. Pfeifer, S. Grossmann, H. Willing, H. Kappl. ICEC 2014; 27th Int. Conf. Electr. Contacts. 468 (2014).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme