При изготовлении структур YBCO традиционными методами, как правило, достигается некоторый компромисс, а именно, используются пленки с приемлемой морфологией, но с пониженными электрофизическими параметрами. В настоящей работе показано, что методом задающей маски могут быть получены мостики YBCO шириной до 4 μm с совершенной морфологией поверхности, т. е. свободные от дефектов, с плотностью критического тока J_c≥ 3·10⁶ A/cm² при температуре 77 K и критической температурой T_c≥ 88 K. Причем совершенная морфология поверхности мостиков, значения плотности критического тока и критической температуры сохраняются и после повторного (дополнительного) осаждения слоя YBCO на структуру с задающей маской. На основе результатов, полученных в серии из пятнадцати образцов, сделан вывод о том, что в отличие от электрофизических характеристик, для устойчивой реализации совершенной морфологии поверхности пленок YBCO недостаточно фиксации стандартных (основных) параметров ростового процесса. Ключевые слова: нано- и микроструктуры, дефекты, рост в локальных областях, YBCO.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.