Вышедшие номера
Мемристоры на основе наноразмерных слоев LiNbO3 и композита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x
Переводная версия: 10.1134/S1063783420090218
Российский научный фонд, 18-79-10253
Никируй К.Э. 1, Ильясов А.И.1,2, Емельянов А.В.1,3, Ситников А.В.1, Рыльков В.В.1,4, Демин В.А.1
1Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3Московский физико-технический институт, Долгопрудный, Московская обл., Россия
4Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Фрязино, Россия
Email: NikiruyKristina@gmail.com
Поступила в редакцию: 26 марта 2020 г.
В окончательной редакции: 26 марта 2020 г.
Принята к печати: 2 апреля 2020 г.
Выставление онлайн: 3 июня 2020 г.

Изучены мемристивные свойства слоистых конденсаторных структур на основе нанокомпозита (Co40Fe40B20)x(LiNbO3)100-x и LiNbO3 с толщинами 10 и 40 nm, соответственно. Впервые продемонстрирован резкий переход от одно- к многофиламентному механизму резистивного переключения, возникающий при увеличении содержания металлической фазы в нанокомпозите, который объяснен на основе ранее предложенной модели. Ключевые слова: мемристор, эффект резистивного переключения, нанокомпозит металл-оксид.