Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Быстрые приповерхностные изменения дефектной структуры в кристаллах тетрабората лития во внешнем электрическом поле
Переводная версия: 10.1134/S1063783420120185 
Министерство науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-52-12029 ННИО_а
Куликов A.Г.1, Благов А.Е.1,2, Марченков Н.В.
1,2, Писаревский Ю.В.
1,2, Ковальчук М.В.1,2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия 
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ontonic@gmail.com, duuh@mail.ru, 1414-88@mail.ru, yupisarev@yandex.ru, koval@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2020 г.
Принята к печати: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 8 сентября 2020 г.
Приведены результаты исследования процесса изменения дефектной структуры в приповерхностном слое монокристаллов тетрабората лития (Li2B4O7) при воздействии внешнего электрического поля вдоль полярного направления [001]. С помощью метода времяразрешающей (2 ms) рентгеновской дифрактометрии определена динамика изменения параметров (углового положения и интегральной интенсивности) кривых дифракционного отражения рефлексов 004 и 008. Зарегистрировано два типа процессов, вызванных перераспределением заряда, локализованного у поверхности полярного диэлектрика, и миграцией ионов лития, отличающихся по времени реакции на включение внешнего поля, скорости протекания и зависящих от полярности. Измерения проводились при напряжениях, обеспечивающих обратимый характер индуцированных полем эффектов. Использование двух кратных дифракционных рефлексов с различной глубиной экстинкции рентгеновских лучей позволило получить данные о локализации областей пространственного заряда у анода и катода образца по изменению интегральной интенсивности пиков. Оценка эффективной толщины заряженного приповерхностного слоя дает значение 25 μm для ионов лития у катода и около 45 μm для вакансий лития у анода. Ключевые слова: миграция носителей заряда, тетраборат лития, времяразрешающая рентгеновская дифрактометрия, внешнее электрическое поле.
- Y. Watanabe, J.G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck. Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001)
- J. Hanzig, M. Zschornak, F. Hanzig, E. Mehner, H. Stocker, B. Abendroth, C. Roder, A. Talkenberger, G. Schreiber, D. Rafaja, S. Gemming, D.C. Meyer. Phys. Rev. B 88, 024104 (2013)
- J. Hanzig, M. Zschornak, E. Mehner, F. Hanzig, W. Munchgesang, T. Leisegang, H. Stocker, D.C. Meyer. J. Phys.: Condens. Matter 28, 225001 (2016)
- B. Khanbabaee, E. Mehner, C. Richter, J. Hanzig, M. Zschornak, U. Pietsch, H. Stocker, T. Leisegang, D.C. Meyer, S. Gorfman. Appl. Phys. Lett. 109, 22, 222901 (2016)
- М.В. Ковальчук, А.Е. Благов, А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский. Кристаллография 59, 6, 950 (2014)
- А.Г. Куликов, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.В. Виноградов, Ю.В. Писаревский, М.В. Ковальчук. Письма в ЖЭТФ 107, 10, 679 (2018)
- A.G. Kulikov, A.E. Blagov, A.S. Ilin, N.V. Marchenkov, Yu.V. Pisarevsky, M.V. Kovalchuk. J. Appl. Phys. 127, 065106 (2020)
- А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела. Изд-во СПБ ун-та, СПб (2000). Т. 1. 616 с
- А.Г. Куликов, Ю.В. Писаревский, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.А. Петренко, М.В. Ковальчук. ФТТ 61, 4, 671 (2019)
- S. Gorfman, O. Schmidt, M. Ziolkowski, M. von Kozierowski, U. Pietsch. J. Appl. Phys. 108, 064911 (2010)
- N.V. Marchenkov, A.G. Kulikov, A.A. Petrenko, Yu.V. Pisarevsky, А.E. Blagov. Rev. Sci. Instrum. 89, 095105 (2018)
- Н.В. Марченков, А.Г. Куликов, И.И. Аткнин, А.А. Петренко, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. УФН 189, 2, 187 (2019)
- J.D. Garrett, M. Natarajan-Iyer, J.E. Greedan. J. Cryst. Growth 41, 225 (1977)
- D. Robertson, I. Young. J. Mater. Sci. 17, 1729 (1982)
- R. Mohandoss, S. Dhanuskodi, B. Renganathan, D. Sastikumar. Current Appl. Phys. 13, 957 (2013)
- I. Ketsman, D. Wooten, J. Xiao, Ya.B. Losovyj, Ya.V. Burak, V. Adamiv, A. Sokolov, J.C. Petrosky, J.W. McClory, P.A. Dowben. Phys. Lett. A 374, 891 (2010)
- J.H. Schulman, R.D. Kirk, E.J. West. In: Proceedings of the international conference on luninescence dosimetry. Stanford (June 1965). CONF-650637, Clearinghouse, Springfield. P. 113-118 (1967). OCLC 841357796
- S. Furusawa, O. Chikagawa, S. Tange, T. Ishidate, H. Orihara, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 60, 2691 (1991)
- R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi. Appl. Phys. Lett. 70, 3492 (1997)
- A.S. Bhalla, L.E. Cross, R.W. Whatmore. Jpn. J. Appl. Phys. 24, 727 (1985)
- R.W. Whatmore, N.M. Shorrocks, C. O'Hara, F.W. Ainger, I.M. Young. Electron. Lett. 17, 11 (1981)
- C.В. Радаев, Л.А. Мурадян, Л.Ф. Малахова, Я.В. Бурак, В.И. Симонов. Кристаллография 34, 6, 1400 (1989)
- L. Hanbin, S. Guangqiu, W. Xiaoqing, W. Jingzhi, S. Denzhong. Prog. Cryst. Growth Character 40, 235 (2000)
- А.Э. Алиев, Я.В. Бурак, И.Т. Лысейко. Изв. АН СССР. Cep. неорган. материалы 26, 1991 (1990)
- C.-S. Kim, D.J. Kim, Y.-H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. J. Appl. Phys. 92, 4644 (2002)
- И.М. Ризак, В.М. Ризак, Н.Д. Байса, В.С. Биланич, М.В. Богуславский, С.Ю. Стефанович, В.М. Головей. Кристаллография 48, 4, 727 (2003)
- M.M. Islam, T. Bredow, C. Minot. Phys. Chem. B 110, 17518 (2006)
- C.-S. Kim, Y.H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. Phys. Chem. Glass. 44, 166 (2003)
- V.T. Adamiv, Y.V. Burak, D.J. Wooten, J. McClory, J. Petrosky, I. Ketsman, J. Xiao, Y.B. Losovyj, P.A. Dowben. Materials 3, 4550 (2010)
- И.М. Сильвестрова, П.А. Сенющенков, В.А. Ломонов, Ю.В. Писаревский. ФТТ 31, 10, 311 (1989)
- S. Furusawa, S. Tange, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 7, 2532 (1990)
- V. Holy, J. Kubena. Phys. Status Solidi B. 151, 23 (1989)
- V.G. Baiyakhtar, M.V. Kovalchuk, Yu.M. Litvinov, V.B. Molodkin, V.V. Nemoshkalenko, S.I. Olikhovskii, E.N. Kislovskii, A.I. Nizkova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 308, 291 (1991)
- M.G. Tsoutsouva, V.A. Oliveira, J. Baruchel, D. Camel, B. Marie, T.A. Lafford. J. Appl. Cryst. 48, 645 (2015).
- S. Annaka. J. Appl. Cryst. 10, 354 (1977)
- М.В. Ковальчук, Э.К. Ковьев, Ю.М. Козелихин, А.В. Миренский, Ю.Н. Шилин. Приборы и техника эксперимента 1, 194 (1976)
- А.Е. Благов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, П.А. Просеков, М.В. Ковальчук. Кристаллография 58, 1, 28 (2013)
- L. Bohaty, S. Haussuhl, J. Liebertz. Cryst. Res. Technol. 24, 1159 (1989)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 678 с.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
