Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2020, выпуск 12 » Статья стр. 2120
<<<>>>
Быстрые приповерхностные изменения дефектной структуры в кристаллах тетрабората лития во внешнем электрическом поле
DOI: 10.21883/FTT.2020.12.50216.087
Переводная версия: 10.1134/S1063783420120185
Министерство науки и высшего образования в рамках выполнения работ по Государственному заданию ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-52-12029 ННИО_а
Куликов A.Г.1, Благов А.Е.1,2, Марченков Н.В. 1,2, Писаревский Ю.В. 1,2, Ковальчук М.В.1,2
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
2Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
Email: ontonic@gmail.com, duuh@mail.ru, 1414-88@mail.ru, yupisarev@yandex.ru, koval@ns.crys.ras.ru
Поступила в редакцию: 14 апреля 2020 г.
В окончательной редакции: 11 июля 2020 г.
Принята к печати: 13 июля 2020 г.
Выставление онлайн: 8 сентября 2020 г.
PDF версия
Приведены результаты исследования процесса изменения дефектной структуры в приповерхностном слое монокристаллов тетрабората лития (Li2B4O7) при воздействии внешнего электрического поля вдоль полярного направления [001]. С помощью метода времяразрешающей (2 ms) рентгеновской дифрактометрии определена динамика изменения параметров (углового положения и интегральной интенсивности) кривых дифракционного отражения рефлексов 004 и 008. Зарегистрировано два типа процессов, вызванных перераспределением заряда, локализованного у поверхности полярного диэлектрика, и миграцией ионов лития, отличающихся по времени реакции на включение внешнего поля, скорости протекания и зависящих от полярности. Измерения проводились при напряжениях, обеспечивающих обратимый характер индуцированных полем эффектов. Использование двух кратных дифракционных рефлексов с различной глубиной экстинкции рентгеновских лучей позволило получить данные о локализации областей пространственного заряда у анода и катода образца по изменению интегральной интенсивности пиков. Оценка эффективной толщины заряженного приповерхностного слоя дает значение 25 μm  для ионов лития у катода и около 45 μm для вакансий лития у анода. Ключевые слова: миграция носителей заряда, тетраборат лития, времяразрешающая рентгеновская дифрактометрия, внешнее электрическое поле.
  1. Y. Watanabe, J.G. Bednorz, A. Bietsch, Ch. Gerber, D. Widmer, A. Beck. Appl. Phys. Lett. 78, 3738 (2001)
  2. J. Hanzig, M. Zschornak, F. Hanzig, E. Mehner, H. Stocker, B. Abendroth, C. Roder, A. Talkenberger, G. Schreiber, D. Rafaja, S. Gemming, D.C. Meyer. Phys. Rev. B 88, 024104 (2013)
  3. J. Hanzig, M. Zschornak, E. Mehner, F. Hanzig, W. Munchgesang, T. Leisegang, H. Stocker, D.C. Meyer. J. Phys.: Condens. Matter 28, 225001 (2016)
  4. B. Khanbabaee, E. Mehner, C. Richter, J. Hanzig, M. Zschornak, U. Pietsch, H. Stocker, T. Leisegang, D.C. Meyer, S. Gorfman. Appl. Phys. Lett. 109, 22, 222901 (2016)
  5. М.В. Ковальчук, А.Е. Благов, А.Г. Куликов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский. Кристаллография 59, 6, 950 (2014)
  6. А.Г. Куликов, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.В. Виноградов, Ю.В. Писаревский, М.В. Ковальчук. Письма в ЖЭТФ 107, 10, 679 (2018)
  7. A.G. Kulikov, A.E. Blagov, A.S. Ilin, N.V. Marchenkov, Yu.V. Pisarevsky, M.V. Kovalchuk. J. Appl. Phys. 127, 065106 (2020)
  8. А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела. Изд-во СПБ ун-та, СПб (2000). Т. 1. 616 с
  9. А.Г. Куликов, Ю.В. Писаревский, А.Е. Благов, Н.В. Марченков, В.А. Ломонов, А.А. Петренко, М.В. Ковальчук. ФТТ 61, 4, 671 (2019)
  10. S. Gorfman, O. Schmidt, M. Ziolkowski, M. von Kozierowski, U. Pietsch. J. Appl. Phys. 108, 064911 (2010)
  11. N.V. Marchenkov, A.G. Kulikov, A.A. Petrenko, Yu.V. Pisarevsky, А.E. Blagov. Rev. Sci. Instrum. 89, 095105 (2018)
  12. Н.В. Марченков, А.Г. Куликов, И.И. Аткнин, А.А. Петренко, А.Е. Благов, М.В. Ковальчук. УФН 189, 2, 187 (2019)
  13. J.D. Garrett, M. Natarajan-Iyer, J.E. Greedan. J. Cryst. Growth 41, 225 (1977)
  14. D. Robertson, I. Young. J. Mater. Sci. 17, 1729 (1982)
  15. R. Mohandoss, S. Dhanuskodi, B. Renganathan, D. Sastikumar. Current Appl. Phys. 13, 957 (2013)
  16. I. Ketsman, D. Wooten, J. Xiao, Ya.B. Losovyj, Ya.V. Burak, V. Adamiv, A. Sokolov, J.C. Petrosky, J.W. McClory, P.A. Dowben. Phys. Lett. A 374, 891 (2010)
  17. J.H. Schulman, R.D. Kirk, E.J. West. In: Proceedings of the international conference on luninescence dosimetry. Stanford (June 1965). CONF-650637, Clearinghouse, Springfield. P. 113-118 (1967). OCLC 841357796
  18. S. Furusawa, O. Chikagawa, S. Tange, T. Ishidate, H. Orihara, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 60, 2691 (1991)
  19. R. Komatsu, T. Sugawara, K. Sassa, N. Sarukura, Z. Liu, S. Izumida, Y. Segawa, S. Uda, T. Fukuda, K. Yamanouchi. Appl. Phys. Lett. 70, 3492 (1997)
  20. A.S. Bhalla, L.E. Cross, R.W. Whatmore. Jpn. J. Appl. Phys. 24, 727 (1985)
  21. R.W. Whatmore, N.M. Shorrocks, C. O'Hara, F.W. Ainger, I.M. Young. Electron. Lett. 17, 11 (1981)
  22. C.В. Радаев, Л.А. Мурадян, Л.Ф. Малахова, Я.В. Бурак, В.И. Симонов. Кристаллография 34, 6, 1400 (1989)
  23. L. Hanbin, S. Guangqiu, W. Xiaoqing, W. Jingzhi, S. Denzhong. Prog. Cryst. Growth Character 40, 235 (2000)
  24. А.Э. Алиев, Я.В. Бурак, И.Т. Лысейко. Изв. АН СССР. Cep. неорган. материалы 26, 1991 (1990)
  25. C.-S. Kim, D.J. Kim, Y.-H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. J. Appl. Phys. 92, 4644 (2002)
  26. И.М. Ризак, В.М. Ризак, Н.Д. Байса, В.С. Биланич, М.В. Богуславский, С.Ю. Стефанович, В.М. Головей. Кристаллография 48, 4, 727 (2003)
  27. M.M. Islam, T. Bredow, C. Minot. Phys. Chem. B 110, 17518 (2006)
  28. C.-S. Kim, Y.H. Hwang, H.K. Kim, J.N. Kim. Phys. Chem. Glass. 44, 166 (2003)
  29. V.T. Adamiv, Y.V. Burak, D.J. Wooten, J. McClory, J. Petrosky, I. Ketsman, J. Xiao, Y.B. Losovyj, P.A. Dowben. Materials 3, 4550 (2010)
  30. И.М. Сильвестрова, П.А. Сенющенков, В.А. Ломонов, Ю.В. Писаревский. ФТТ 31, 10, 311 (1989)
  31. S. Furusawa, S. Tange, Y. Ishibashi, K. Miwa. J. Phys. Soc. Jpn. 59, 7, 2532 (1990)
  32. V. Holy, J. Kubena. Phys. Status Solidi B. 151, 23 (1989)
  33. V.G. Baiyakhtar, M.V. Kovalchuk, Yu.M. Litvinov, V.B. Molodkin, V.V. Nemoshkalenko, S.I. Olikhovskii, E.N. Kislovskii, A.I. Nizkova. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A 308, 291 (1991)
  34. M.G. Tsoutsouva, V.A. Oliveira, J. Baruchel, D. Camel, B. Marie, T.A. Lafford. J. Appl. Cryst. 48, 645 (2015).
  35. S. Annaka. J. Appl. Cryst. 10, 354 (1977)
  36. М.В. Ковальчук, Э.К. Ковьев, Ю.М. Козелихин, А.В. Миренский, Ю.Н. Шилин. Приборы и техника эксперимента 1, 194 (1976)
  37. А.Е. Благов, Н.В. Марченков, Ю.В. Писаревский, П.А. Просеков, М.В. Ковальчук. Кристаллография 58, 1, 28 (2013)
  38. L. Bohaty, S. Haussuhl, J. Liebertz. Cryst. Res. Technol. 24, 1159 (1989)
  39. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). 678 с.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme