Исследовано влияние напряжения смещения U_b и скорости осаждения ν на структуру, размер зерна D и коэрцитивность H_c пленок NiFe толщиной d от 30 до 980 nm, выращенных на подложках Si/SiO₂ магнетронным распылением на постоянном токе. В случае U_b=0, снижение ν от значений ν~27 nm/min до ν~ 7 nm/min сопровождается ростом значений критической толщины пленок d_cr от d_cr~ 220 nm до d_cr~ 270 nm. При этом H_c в пленках c d < d_cr характеризуется зависимостью H_c~ D⁶ и меняется от ~1 до ~20 Oe. В случае U_b=-100 V влияние скорости осаждения на коэрцитивность гораздо заметнее. При ν=7 и 14 nm/min пленки демонстрируют магнитомягкие свойства (H_c~0.15- 1.4 Oe) и отсутствие d_cr для всего диапазона исследованных толщин. Пленки, полученные при ν=21 и 27 nm/min, переходят в "закритическое" состояние при d≥ d_cr~ 520 nm, а в области d < d_cr характеризуются зависимостью H_c~ D³ и ростом коэрцитивности от ~0.35 до ~10 Oe. Ключевые слова: пленки NiFe, коэрцитивность, "критическая" толщина.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.