Проведен расчет равновесных распределений плотности дислокаций несоответствия rho(z) и упругих напряжений ε(z) вдоль направления эпитаксиального роста метаморфного буферного слоя InAlAs/GaAs(001) с высоким содержанием In (до 87 mol%) и разными профилями изменения состава: ступенчатым, линейным и корневым. Для расчетов был использован метод, основанный на итерационном поиске минимального значения полной энергии системы. Показано, что наиболее сильные отличия между разными конструкциями буферного слоя наблюдаются в характере распределений rho(z), а не ε(z). В отличие от традиционных конструкций со ступенчатым и линейным градиентом состава, которые характеризуются достаточно однородным распределением дислокаций несоответствия, в буферном слое с корневым градиентом состава основная часть таких дислокаций сконцентрирована в нижней части слоя вблизи гетерограницы с подложкой GaAs, а их плотность резко падает более чем на порядок величины по толщине слоя, достигая вблизи поверхности минимального из всех перечисленных конструкций значения. Несмотря на то, что в данной работе не учитывался важный эффект взаимодействия дислокаций между собой, проведенные расчеты позволили установить основные особенности распределений rho(z) и ε(z) в различных метаморфных буферных слоях InAlAs, которые ранее наблюдались нами экспериментально. Таким образом, данный подход может быть эффективно использован при создании оптимальных конструкций приборных метаморфных гетероструктур. Ключевые слова: дислокации несоответствия, упругие напряжения, метаморфные гетероструктуры, InAlAs/GaAs, большое рассогласование параметров решетки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.