Методами спектральной эллипсометрии, рамановской спектроскопии и растровой микроскопии с рентгеновским спектрометром обнаружено явление самоорганизованного изменения состава эпитаксиальных слоев твердого раствора Al_xGa_1-xN при их росте методом хлорид-гидридной эпитаксии на гибридных подложках SiC/Si (111). Установлено, что в процессе роста слоев Al_xGa_1-xN с низким, порядка 11-24% содержанием Al, возникают прослойки или домены, состоящие из AlGaN стехиометрического состава. Предложена качественная модель, согласно которой самоорганизация по составу возникает вследствие воздействия на кинетику роста пленки Al_xGa_1-xN двух процессов. Первый процесс связан с конкуренцией двух химических реакций, протекающих с различной скоростью. Одной из этих реакций является реакция образования AlN; вторая - реакция образования GaN. Второй процесс, тесно связанный с первым, - возникновение упругих сжимающих и растягивающих напряжений в процессе роста пленок Al_xGa_1-xN на SiC/Si (111). Оба процесса влияют друг на друга, что приводит к сложной картине апериодического изменения состава по толщине слоя пленки. Ключевые слова: соединения A³B⁵, широкозонные полупроводники, AlGaN, AlN, GaN, карбид кремния на кремнии, самоорганизация, метод HVPE, твердые растворы, гетероструктуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.