Структура и электропроводность перовскитов Pr1-xSrxMnO3 (x=0; 0.15; 0.25)
Ведмидь Л.Б.
1,2, Федорова О.М.
1, Балакирева В.Б.
3, Воротников В.А.
2,3, Балакирев В.Ф.
11Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
3Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Email: elarisa100@mail.ru, fom55@mail.ru, balakireva@ihte.uran.ru, vorotnikov130@mail.ru, vfbal@mail.ru
Поступила в редакцию: 10 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 декабря 2020 г.
Принята к печати: 17 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 9 января 2021 г.
Манганиты Pr1-xSrxMnO3 (x=0; 0.15; 0.25), синтезированные твердофазным методом при температуре 1250oC, имеют орторомбическую перовскитоподобную структуру (пространственная группа Pbnm). Методами высокотемпературной рентгенографии и дифференциального термического анализа выполнено комплексное исследование влияния замещения празеодима стронцием на температурные особенности трансформации кристаллической структуры исследуемых перовскитов. Определено, что температура проявления эффекта Яна-Теллера значительно понижается при введении стронция. Установлено, что все образцы имеют полупроводниковый характер проводимости. Допирование стронцием значительно повышает электропроводность манганитов празеодима, особенно при температурах ниже 450oC. Ключевые слова: стронций, манганиты редкоземельных элементов, перовскиты, эффект Яна-Теллера, электропроводность.
- E.L. Nagaev. Phys. Rep. 346, 387 (2001)
- M.B. Salamon, М. Jaime. Rev. Mod. Phys. 73, 3, 583 (2001)
- Y.-K. Liu, Y.-W. Yin, X.-G. Li. Chin. Phys. B 22, 087502 (2013)
- O. Chmaissem, B. Dabrowski, S. Kolesnik, J. Mais, D. Jorgensen, S. Short. Phys. Rev. B 67, 094431 (2003)
- T. Kalmykova, A. Vakula, S. Nedukh, S. Tarapov, А. Belous, V. Krivoruchko, R. Suhov. Func. Mater. 25, 241 (2018)
- A.-A. Haghiri-Gosnet, J.-P. Renard. J. Phys. D 36, 127 (2003)
- R.J. Soulen, J.M. Byers, M.S. Osofsky, B. Nadgorny, T. Ambrose, S.F. Cheng, P.R. Broussard, C.T. Tanaka, J. Nowak, J.S. Moodera, A. Barry, J.M.D. Coey. Science 282, 85 (1998)
- L.W. Martin, R. Ramesh. Acta Mater. 60, 2449 (2012)
- E.V. Tsipis, V.V. Kharton. J. Solid State Electrochem. 12, 1367 (2008)
- C. Sun, U. Stimming. J. Power Sources 171, 247 (2007)
- H.-R. Rim, S.-Ki. Jeung, E. Jung, Ju.-S. Lee. Mater. Chem. Phys. 52, 54 (1998)
- G.Ch. Kostogloudis, N. Vasilakos, Ch. Ftikos. J. Eur. Ceram. Society 17, 1513 (1997)
- M.W. Shaikh, D. Varshney. Mater. Sci. Semiconduct.Proc. 27, 418 (2014)
- W. Boujelben, А. Cheikh-Rouhou, М. Ellouze, J.C. Joubert. Phase Transitions A 71, 127 (2000)
- A. Llobet, C. Ritter, С. Frontera, Х. Obradors, J.L. Garcia-Munoz, J.A. Alonso. J. Magn. Magn. Mater. 196- 197, 549 (1999)
- S. Sankarajan, K. Sakthipandi, V. Rajendran. Mater. Res. 5, 517 (2012)
- B. Dabrovski, S. Kolesnik, А. Baszczuk, О. Chmaissem, Т. Maxwell, J. Mais. Solid State Chem. 178, 629 (2005)
- M.A. Pena, J. Fierro. Chem. Rev. 101, 1981 (2001)
- В.Б. Балакирева, В.П. Горелов, Л.А. Дунюшкина, А.В. Кузьмин. ФТТ 64, 645 (2019)
- К. Kn zek, Z. Jirak, Е. Pollert, F. Zounova. J. Solid State Chem. 100, 292 (1992)
- S. Hcini, S. Zemni, A. Triki, H. Rahmouni, M. Boudard. J. Alloys Comp. 509, 1394 (2011)
- E. Pollert, S. Krupiv cka, E. Kuzmiv cova. J. Phys. Chem. Solids 43, 1137 (1982)
- C. Zener. Phys. Rev. 82, 403 (1951)
- J.A. Alonso, M.J. Martinez-Lope, M.T. Casais. Inorg. Chem. 39, 917 (2000)
- Л.Б. Ведмидь, О.М. Федорова. ЖФХ 94, 1297 (2020)
- L. Vedmid', O. Fedorova, V. Balakireva, V. Balakirev. Proc. Appl. Ceram. 14, 203 (2020)
- О.М. Федорова, Л.Б. Ведмидь, В.М. Димитров. Неорган. материалы 55, 1087 (2019)
- О.М. Федорова, Л.Б. Ведмидь, Г.А. Кожина, В.Б. Балакирева, В.Ф. Балакирев. ДАН. Химия. Науки о материалах 492- 493, 149 (2020)
- T.-L. Wen, H. Tu, Z. Xu, O. Yamamoto. Solid State Ionics 121, 25 (1999)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.