Вышедшие номера
Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов
Архипов А.В.1, Ненашев Г.В.1, Алешин А.Н. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: artem-arhipov-99@mail.ru, virison95@gmail.com, aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 декабря 2020 г.
Принята к печати: 18 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 9 января 2021 г.

Исследован эффект резистивного переключения в композитных пленках на основе металлоорганических перовскитов CH3NH3PbBr3 и CH3NH3PbI3 с частицами оксида графена (GO) с концентрацией 1-3 wt.% и слоем фуллерена [60]PCBM. Установлено, что эффект резистивного переключения в пленках Ag/[60]PCBM/CH3NH3PbBr3(I3) : GO/PEDOT : PSS/ITO/glass проявляется в резком изменении состояния из низкопроводящего в высокопроводящее при подаче как положительного, так и отрицательного смещения на Ag и ITO электроды, как в темноте, так и при освещении имитатором солнечного света. Предположено, что механизм резистивного переключения связан с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO за счет процессов восстановления/окисления. Исследованные композитные пленки перспективны для создания энергонезависимых ячеек памяти. Ключевые слова: металлоорганические перовскиты, оксид графена, электропроводность, резистивное переключение, ячейки памяти.