Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Эффект резистивного переключения и памяти в композитных пленках на основе оксида графена в матрице металлорганических перовскитов
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: artem-arhipov-99@mail.ru, virison95@gmail.com, aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 декабря 2020 г.
В окончательной редакции: 17 декабря 2020 г.
Принята к печати: 18 декабря 2020 г.
Выставление онлайн: 9 января 2021 г.
Исследован эффект резистивного переключения в композитных пленках на основе металлоорганических перовскитов CH3NH3PbBr3 и CH3NH3PbI3 с частицами оксида графена (GO) с концентрацией 1-3 wt.% и слоем фуллерена [60]PCBM. Установлено, что эффект резистивного переключения в пленках Ag/[60]PCBM/CH3NH3PbBr3(I3) : GO/PEDOT : PSS/ITO/glass проявляется в резком изменении состояния из низкопроводящего в высокопроводящее при подаче как положительного, так и отрицательного смещения на Ag и ITO электроды, как в темноте, так и при освещении имитатором солнечного света. Предположено, что механизм резистивного переключения связан с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO за счет процессов восстановления/окисления. Исследованные композитные пленки перспективны для создания энергонезависимых ячеек памяти. Ключевые слова: металлоорганические перовскиты, оксид графена, электропроводность, резистивное переключение, ячейки памяти.
- G. Liu, Y. Chen, S. Gao, B. Zhang, R.-W. Li, X. Zhuang. Eng. Sci., 4, 4 (2018)
- S.J. Song, J.Y. Seok, J.H. Yoon, K.M. Kim, G.H. Kim, M.H. Lee, C.S. Hwang. Sci. Rep. 3, 3443 (2013)
- H.-D. Kim, H.-M. An, E.B. Lee, T.G. Kim. IEEE Trans. Electron Devices 58, 3566 (2011)
- P.-T. Lee, T.-Y. Chang, S.-Y. Chen. Org. Electron 9, 916 (2008)
- S. Gao, C. Song, C. Chen, F. Zeng, F. Pan. J. Phys. Chem. C 116, 17955 (2012)
- A.N. Aleshin, P.S. Krylov, A.S. Berestennikov, I.P. Shcherbakov, V.N. Petrov, V.V. Kondratiev, S.N. Eliseeva. Synthetic Met. 217, 7 (2016)
- G. Bersuker, D.C. Gilmer, D. Veksler, P. Kirsch, L. Vandelli, A. Padovani, L. Larcher, K. McKenna, A. Shluger, V. Iglesias, M. Porti, M. Nafria. J. Appl. Phys. 110, 124518 (2011)
- C. Eames, J.M. Frost, P.R.F. Barnes, B.C. O'Regan, A. Walsh, M.S. Islam. Nature Commun. 6, 7497 (2015)
- J.S. Yun, J. Seidel, J. Kim, A.M. Soufiani, S.J. Huang, J. Lau, N.J. Jeon, S.I. Seok, M.A. Green, A. Ho-Baillie. Adv. Energy Mater. 6, 1600330 (2016)
- X. Wu, H. Yu, J. Cao. AIP Advances 10, 085202 (2020)
- H.S. Jung, N.-G. Park. Small 11, 10 (2015)
- H. He, J. Klinowski, M. Forster, A. Lerf. Chem. Phys. Lett. 287, 53 (1998)
- T. Kondo, S.M. Lee, M. Malicki, B. Domercq, S.R. Marder, B. Kippelen. Adv. Funct. Mater. 18, 1112 (2008)
- D. Joung, A. Chunder, L. Zhai, S.I. Khondaker. Appl. Phys. Lett. 97, 093105 (2010)
- G. Khurana, R. Misra, R.S. Katiyar. J. Appl. Phys. 114, 124508 (2013)
- D.I. Son, T.W. Kim, J.H. Shim, J.H. Jung, D.U. Lee, J.M. Lee, W. Park, W.K. Choi. Nano Lett. 10, 2441 (2010)
- S.K. Hong, E.J. Kim, S.O. Kim, B.J. Cho. J. Appl. Phys. 110, 044506 (2011)
- S.-H. Kim, S. Yun, J. Choi, J.H. Kim. J. Photochem. Photobiology A 353, 279 (2018)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
