Амплитудные зависимости диэлектрических потерь в тонкопленочном наногранулированном композите (x)Ni-(1-x)PZT
Russian Science Foundation , 17-72-20105
Калгин А.В.1,2, Кобяков И.Ю.1
1Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
Email: kalgin_alexandr@mail.ru
Поступила в редакцию: 27 января 2021 г.
В окончательной редакции: 27 января 2021 г.
Принята к печати: 30 января 2021 г.
Выставление онлайн: 14 марта 2021 г.
При температурах T ниже сегнетоэлектрической точки Кюри и разных напряженностях постоянного электрического поля E= изучены зависимости диэлектрических потерь tgdelta в тонкопленочном наногранулированном композите (x)Ni-(1-x)[Pb0.81Sr0.04(Na0.5Bi0.5)0.15][(Zr0.575Ti0.425)]O3 от напряженности переменного электрического поля E~. Обнаружено, что tgdelta практически не изменяется с ростом E~ до напряженности некоторого порогового поля Et и плавно возрастает при E~>Et. Величина Et уменьшается, когда T увеличивается, а x и E= уменьшаются. Обнаруженные зависимости tgdelta(E~) и Et от T, x и E= объясняются в рамках модели взаимодействия доменных границ с закрепляющими их точечными дефектами в сегнетоэлектриках. Ключевые слова: магнитоэлектрический композит, точечный дефект, доменная граница, диэлектрические потери, точка Кюри.
- Handbook of thin-film deposition processes and techniques: Principles, methods, equipment and applications / Ed. K. Seshan. N.Y., Norwich (2002). 629 с
- O.O. Abegunde, E.T. Akinlabi, O.P. Oladijo, S. Akinlabi, A.U. Ude. AIMS Mater. Sci. 6, 174 (2019)
- H. Palneedi, V. Annapureddy, S. Priya, J. Ryu. Actuators 5, 1 (2016)
- J.-G. Wan, Y. Weng, Y. Wu, Z. Li, J.-M. Liu, G. Wang. Nanotechnology 18, 465708 (2007)
- L.-V. Lich, T. Shimada, K. Miyata, K. Nagano, J. Wang, T. Kitamura. Appl. Phys. Lett. 107, 232904 (2015)
- М.Е. Адамова, Е.А. Жуков, А.В. Каминский. Изв. вузов. Приборостроение 62, 261 (2019)
- С.А. Гриднев, Б.М. Даринский, В.М. Попов, Л.А. Шувалов. ФТТ 28, 2009 (1986)
- Л.Н. Коротков, Т.Н. Короткова. Изв. РАН. Сер. физ. 77, 1154 (2013)
- В.В. Волков, В.А. Боков. ФТТ 50, 193 (2008)
- В.С. Герасимчук, А.А. Шитов. ФТТ 54, 79 (2012)
- С.А. Флерова, И.Е. Чупис. Изв. РАН. Сер. физ. 57, 20 (1993)
- S.A. Gridnev, A.A. Kamynin, A.S. Shportenko, P.V. Kulakov. Ferroelectrics 501, 187 (2016)
- A.V. Kalgin. Ferroelectrics 561, 1 (2020)
- С.А. Гриднев, В.М. Попов, Л.А. Шувалов, В.Н. Нечаев. ФТТ 27, 3 (1985)
- Л.Н. Камышева, О.М. Сердюк, С.Н. Дрождин, О.А. Зайцева. ФТТ 32, 1667 (1990)
- Ю.В. Подгорный, А.С. Вишневский, К.А. Воротилов, П.П. Лавров, А.Н. Ланцев. Микроэлектроника 43, 468 (2014)
- А.С. Сидоркин. Доменная структура в сегнетоэлектриках и родственных материалах. Физматлит, М. (2000). 240 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
