Вышедшие номера
Фотогальванические токи и электрическая неоднородность 2-D-структурированного монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника
Одринский А.П. 1
1Институт технической акустики НАН Беларуси, Витебск, Беларусь
Email: a.odrinsky@gmail.com
Поступила в редакцию: 25 марта 2021 г.
В окончательной редакции: 30 марта 2021 г.
Принята к печати: 30 марта 2021 г.
Выставление онлайн: 13 мая 2021 г.

Описаны условия эксперимента, позволившего прояснить механизм формирования электрической неоднородности кристалла TlGaSe2. Исследована эволюция аномальной реакции кристалла на фотовозбуждение и предложена интерпретация основных процессов определяющих динамику сигнала. Показано, что доминирующий вклад в развитие аномалий и формирование электрической неоднородности кристалла вносит фотогальваническая эдс. Также рассмотрено участие глубокоуровневых дефектов, как центров локализации заряда, в формировании электрической неоднородности слоистого кристалла сегнетоэлектрика-полупроводника. Ключевые слова: фотогальванический ток, слоистые кристаллы, сегнетоэлектрики-полупроводники, центры локализации заряда.