Разработаны, изготовлены и исследованы прототипы конструкции джозефсоновского параметрического усилителя бегущей волны на основе алюминиевых переходов сверхпроводник-изолятор-сверхпроводник в форме сквидов постоянного тока, включенных в центральный проводник копланарной линии. Отработаны три технологических маршрута для изготовления таких устройств: два с использованием теневого напыления и один с использованием магнетронного напыления и прямой электронной литографии. Измерены вольт-амперные характеристики переходов при температуре 0.3 K. Создана криогенная установка для измерения спектральных характеристик такого усилителя, содержащая холодный полупроводниковый усилитель c циркулятором и охлаждаемые аттенюаторы каналов входного сигнала и накачки. Измерен спектр поглощения копланарного направленного ответвителя с четвертьволновым резонатором, предназначенным для измерений коротких цепочек от одного до 27 сквидов. Ключевые слова: сверхпроводниковые туннельные переходы, сквиды, джозефсоновские параметрические усилители бегущей волны, алюминиевые СИС-переходы, магнетронное напыление.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.