Физика твердого тела

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отрицательное магнитосопротивление в структуре n-InSb/ЖИГ

DOI: 10.21883/FTT.2021.09.51248.06H

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-07-00968-а

Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-37-90099

Государственное задание

Никулин Ю.В.^1,2, Кожевников А.В.¹, Хивинцев Ю.В.^1,2, Селезнев М.Е.^1,2, Филимонов Ю.А.^1,2

¹Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

Saratov Branch, Kotel’nikov Institute of Radio Engineering and Electronics, Russian Academy of Sciences, Saratov, Russia

²Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Email: yvnikulin@gmail.com

Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.

В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.

Принята к печати: 19 апреля 2021 г.

Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что в структуре n-InSb/ЖИГ/ГГГ (ЖИГ - железо-иттриевый гранат, ГГГ - галлий-гадолиниевый гранат) в касательной к плоскости подложки геометрии намагничивания (H<10 kOe) при температуре T~300 K проявляется эффект отрицательного магнитосопротивления величиной около 1%, тогда как для структуры n-InSb/ГГГ, в такой же геометрии намагничивания, магнитосопротивление является положительным (увеличение электрического сопротивления в магнитном поле). Эффект возникновения отрицательного магнитосопротивления в структуре InSb/ЖИГ/ГГГ обусловлен эффектом влияния намагниченности ЖИГ на электроны проводимости InSb (эффект близости), при этом величина эффекта определяется величиной намагниченности ЖИГ и параметрами пленок InSb. Ключевые слова: антимонид индия, отрицательное магнитосопротивление, ЖИГ.

J. Heremans, D.L. Partin, C. M.Thrush, L. Green. Semicond. Sci. Technol. 8, S424 (1993)
К.В. Шалимова. Физика полупроводников. Энергия, М. (1976). 416 с
И.А. Случинская. Основы материаловедения и технологии полупроводников. Мир, М. (2002). 376 с
Z. Wang, D. Pan, L. Wang, T. Wang, B. Zhao, Y. Wu, M. Yang, X. Xu, J. Miao, J. Zhao, Y. Jiang. RSC Adv. 6, 79, 75736 (2016)
P. Bruski, Y. Manzke, R. Farshchi, O. Brandt, J. Herfort, M. Ramsteiner. Appl. Phys. Lett. 103, 052406 (2013)
N.A. Viglin, V.V. Ustinov, S.O. Demokritov, A.O. Shorikov, N.G. Bebenin, V.M. Tsvelikhovskaya, T.N. Pavlov, E.I. Patrakov. Phys. Rev. B 96, 235303 (2017)
A.V. Chumak, V.I. Vasyuchka, A.A. Serga, B. Hillebrands. Nature Phys. 11, 453 (2015)
A. Hunze, S. Granville, W. Greenbank. Mater. Res. Innov. 20, 7, 518 (2016)
M. Isai, M. Ohshita. J. Appl. Phys. 58, 2686 (1985)
M. Isai, T. Fukunaka. J. Mater. Res. 1, 4, 547 (1986)
T. Zhang, J.J. Harris, W.R. Branford, Y.V. Bugoslavsky, S.K. Clowes, L.F. Cohen, A. Husmann, S.A. Solin. Appl. Phys. Lett. 88, 012110 (2006)
S. Tong, D. Pan, X. Wang, Z. Yu, Y. Xu, D. Wei. J. Phys. D 53, 18LT04 (2020)
E.M. Barlow, R. Koike, R. Ueda. Proc. IEE 112, 10, 1849 (1965)
J.B. Webb, M. Paiment, T.S. Rao. Solid State Commun. 71, 10, 871 (1989)
S. Ishida, K. Takeda, A. Okamoto, I. Shibasaki. Physica E 20, 225 (2004)
R. Yang, K.H. Gao, Y.H. Zhang, P.P. Chen, G. Yu, L.M. Wei, T. Lin, N. Dail, J.H. Chu. J. Appl. Phys. 109, 063703 (2011)
A. Okamoto, I. Shibasaki. J. Cryst. Growth 251, 560 (2003)
S.A. Obukhov. Phys. Status Solidi 223, 535 (2001)
S.A. Obukhov. Phys. Status Solidi C 9, 2, 247 (2012)
S. Obukhov, S. Tozer, W. Coniglio. Sci. Rep. 5, 13451 (2015)
J. Teubert, S.A. Obukhov, P.J. Klar, W. Heimbrodt. Phys. Rev. Lett. 102, 046404 (2009)
Y. Katayama, S. Tanaka. Phys. Rev. 53, 3, 873 (1967)
R.G. Mani, L. Ghenim, J.B. Choi. Phys. Rev. B 43, 15, 12630 (1991)
A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy. Low Temp. Phys. 42, 6, 453 (2016)
A. Druzhinin, I. Ostrovskii, Yu. Khoverko, N. Liakh-Kaguy, I. Khytruk, K. Rogacki. Mater. Res. Bull. 72, 324 (2015)
Y.V. Nikulin, Y.V. Khivintsev, A.G. Veselov, Y.A. Filimonov. Semiconductors 52, 14, 1871 (2018)
Ю.В. Никулин, М.Е. Селезнев, А.Г. Веселов, Ю.А. Филимонов. РЭНСИТ 10, 3, 373 (2018)
K.L. Litvinenko, L. Nikzad, J. Allam, B.N. Murdin, C.R. Pidgeon, J.J. Harris, T. Zhang, L.F. Cohen. J. Appl. Phys. 101, 083105 (2007)
K. Takiguchi, L.D. Anh, T. Chiba, T. Koyama, D. Chiba, M. Tanaka. Nature Phys. 15, 1134 (2019)
Е.В. Кучис. Методы исследования эффекта Холла. Сов. радио, М. (1974). 328 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель