Вышедшие номера
Отрицательное магнитосопротивление в структуре n-InSb/ЖИГ
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 20-07-00968-а
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), 19-37-90099
Государственное задание
Никулин Ю.В.1,2, Кожевников А.В.1, Хивинцев Ю.В.1,2, Селезнев М.Е.1,2, Филимонов Ю.А.1,2
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Саратов, Россия
2Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: yvnikulin@gmail.com
Поступила в редакцию: 9 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 9 апреля 2021 г.
Принята к печати: 19 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.

Показано, что в структуре n-InSb/ЖИГ/ГГГ (ЖИГ - железо-иттриевый гранат, ГГГ - галлий-гадолиниевый гранат) в касательной к плоскости подложки геометрии намагничивания (H<10 kOe) при температуре T~300 K проявляется эффект отрицательного магнитосопротивления величиной около 1%, тогда как для структуры n-InSb/ГГГ, в такой же геометрии намагничивания, магнитосопротивление является положительным (увеличение электрического сопротивления в магнитном поле). Эффект возникновения отрицательного магнитосопротивления в структуре InSb/ЖИГ/ГГГ обусловлен эффектом влияния намагниченности ЖИГ на электроны проводимости InSb (эффект близости), при этом величина эффекта определяется величиной намагниченности ЖИГ и параметрами пленок InSb. Ключевые слова: антимонид индия, отрицательное магнитосопротивление, ЖИГ.