Термоимпендансметрия нанокристаллитов V2O5, локализованных в каналах нанопористого стекла
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), Конкурс на лучшие проекты фундаментальных научных исследований, 20-07-00730
Кастро Р.А.
1, Ильинский А.В.
2, Пашкевич М.Э.
3, Сидоров А.И.
4, Шадрин Е.Б.
21Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@mail.ru, ilinskiy@mail.ioffe.ru, marpash@yandex.ru, sidorov@oi.ifmo.ru, shadr.solid@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2021 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2021 г.
Принята к печати: 26 апреля 2021 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2021 г.
Методами импедансметрии реализована возможность измерения температурной зависимости электропроводности наночастиц на примере малоизученного пентоксида ванадия, синтезированного в наноканалах пористого стекла. Даны оценки ширины запрещенной зоны и величин удельной электропроводности наночастиц полупроводниковой фазы V2O5. На базе представлений о неподеленных электронных парах и о процессах переноса заряда обсуждаются причины сужения запрещенной зоны V2O5, локализованного в нанопорах стекла. Ключевые слова: пентоксид ванадия V2O5, нанопористые стекла, наноструктурированные материалы, импедансметрия.
- В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП 43, 1585, a(2009)
- J. Maire, M. Nomura. Jpn. J. Appl. Phys. 53, 06JE09 (2014)
- K. Davami, J.-S. Lee, M. Meyyappan. Transact. Electr. Electr. Mater. 12, 227 (2011)
- C. Thelander, P. Agarwal, S. Brongersma, J. Eymery, L.F. Feiner, A. Forchel, M. Scheffler, W. Riess, B.J. Ohlsson. Mater. Today 9, 10, 28 (2006)
- В.Д. Лахно, А.В. Винников. Молекулярные устройства на основе ДНК. Нанобиоэлектроника. Препринты ИПМ им. М.В. Келдыша 137, 26 (2018)
- А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, Е.И. Никулин, Е.Б. Шадрин. ЖТФ 88, 6, 877 (2018)
- А.В. Ильинский, Е.Б. Шадрин. ФТТ 62, 8, 1284, (2020)
- J.M. Gallardo-Amores, N. Biskup, U. Amador, K. Persson, G. Ceder, E. Mora'n, M.E. Arroyo de Dompablo. Chem. Mater. 19, 5262, (2007)
- R.A. Castro, A.V. Ilinskiy, M.E. Pashkevich, I.M. Smirnova, E.B. Shadrin. Phys. Complex Systems 2, 1, 15 (2021)
- J.C. Badot, A. Mantoux, N. Baffier, O. Dubrunfautc, D. Lincot. J. Mater. Chem. 14, 3411 (2004)
- T.F. Khoon, J. Hassan, Z.A. Wahab. Res. Phys. 6, 420 (2016)
- О.Я. Березина, А.А. Величко, Е.Л. Казакова, А.Л. Пергамент, Г.Б. Стефанович, Д.С. Яковлева. Конденсированные среды и межфазные границы 7, 2, 123 (2005)
- А.О. Вонти, А.В. Ильинский, В.М. Капралова, Е.Б. Шадрин. ЖТФ 88, 6, 934 (2018)
- A.V. Ilinskii, R.A. Castro, L.A. Nabiullina, M.E. Pashkevich, E.B. Shadrin. Appl. Mech. Mater. 835, 20 (2016)
- А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, Л.А. Набиуллина, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. НТВ СПбГПУ. Физ.-мат. науки, 1, 182, 9 (2013)
- J.M. Gallardo-Amores, N. Biskup, U. Amador, K. Persson, G. Ceder, E. Mora'n, M.E. Arroyo de Dompablo. Chem. Mater. 19, 5262 (2007)
- V.N. Pak, S.V. Sukhanov. Rus. J. Appl. Chem. 76, 8, 1201 (2003)
- S. Biermann, F. Aryasetiawan. Electronic structure of strongly correlated materials: towards a first principles scheme. arXiv:cond-mat/0401653v1 [cond-mat.str-el] 30 Jan 2004
- G. Kotliar, D. Vollhardt. Phys. Today, 57, 3, 53 (2004)
- А.В. Ильинский, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. НТВ СПбГПУ. Физ.-мат. науки 10, 3, 9 (2017)
- А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП 46, 4, 439 (2012)
- S. Pizzini. Defects in Nanocrystals. CRC Press. (2021). 294 p
- A.I. Sidorov, A.V. Nashchekin, R.A. Castro, I.N. Anfmova, T.V. Antropova. Physica B 603, 412764 (2021). doi.org/10.1016/j.physb.2020.412764
- M. Gatti, F. Bruneval, V. Olevano, L. Reining. Phys. Rev. Lett. 99, 266402 (2007).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
