Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена
Министерство образования Республики Беларусь, Государственной научной программы Республики Беларусь "Физическое материаловедение, новые материалы и технологии" (Физматтех)., 1.20
Министерство образования Республики Беларусь, Государственная программа научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии» , 1.4
Slovak Academy of Sciences, National Scholarship Programme of the Slovak Republic
Кривошеева А.В.
1,2, Шапошников В.Л.
1, v Stich I.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь 
2Center for Computational Material Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia
2Center for Computational Material Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia
Email: krivosheeva@bsuir.by, shaposhnikov@bsuir.by, Ivan.Stich@savba.sk
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 13 мая 2021 г.
Принята к печати: 13 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.
С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала - фосфорена - и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда. Ключевые слова: фосфорен, монослой, зонная структура, ширина запрещенной зоны, деформация, напряжения.
- K.S. Novoselov, A.K. Geim, S.V. Morozov, D. Jiang, Y. Zhang, S.V. Dubonos, I.V. Grigorieva, A.A. Firsov. Science 306, 666 (2004)
- K.S. Novoselov, D. Jiang, F. Schedin, T.J. Booth, V.V. Khotkevich, S.V. Morozov, A.K. Geim. Proc. Natl. Acad. Sci. U.S.A. 102, 10451 (2005)
- L. Li, Y. Yu, G.J. Ye, Q. Ge, X. Ou, H. Wu, D. Feng, X.H. Chen, Y. Zhang. Nature Nanotechnology 9, 372 (2014)
- B. Radisavljevic, A. Radenovic, J. Brivio, V. Giacometti, A. Kis. Nature Nanotechnology 6, 147 (2011)
- J.N. Coleman et al. Science 331, 568 (2011)
- G. Eda, H. Yamaguchi, D. Voiry, T. Fujita, M. Chen, M. Chhowalla. Nano Lett. 11, 5111 (2011)
- T. Korn, S. Heydrich, M. Hirmer, J. Schmutzler, C. Schuller. Appl. Phys. Lett. 99, 102109 (2011)
- B. Radisavljevic, M.B. Whitwick, A. Kis. ACS Nano 5, 9934 (2011)
- Z. Yin et al. ACS Nano 6, 74 (2012)
- E. Scalise, M. Houssa, G. Pourtois, V. Afanas'ev, A. Stesmans. Nano Res. 5, 43 (2012)
- A. Jain, A.J.H. McGaughey. Sci. Rep. 5, 8501 (2015)
- Y. Takao, H. Asahina, A. Morita. J. Phys. Soc. Jpn. 105, 3362 (1981)
- A. Tariq, S. Nazir, A.W. Arshad, F. Nawaz, K. Ayub, J. Iqbal. RSC Adv. 9, 24325 (2019)
- A.V. Krivosheeva, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari, N.V. Skorodumova, B.K. Tay. Int. J. Nanotechnol. 12, 8/9, 654 (2015)
- V.L. Shaposhnikov, A.V. Krivosheeva, V.E. Borisenko. Phys. Status Solidi B 256, 1800355 (2019)
- A.V. Krivosheeva, V.L. Shaposhnikov, V.E. Borisenko, J.-L. Lazzari. J. Mater Sci. 55, 23, 9695 (2020)
- W.S. Yun, S.W. Han, S.C. Hong, I.G. Kim, J.D. Lee. Phys. Rev. B 85, 033305 (2012)
- P. Lu, X. Wu, W. Guo, X.C. Zeng. Phys. Chem. Chem. Phys. 14, 13035 (2012)
- H. Pan, Y.-W. Zhang. J. Phys. Chem. C 116, 11752 (2012)
- Q. Yue, J. Kang, Z. Shao, X. Zhang, S. Chang, G. Wang, S. Qin, J. Li. Phys. Lett. A 376, 1166 (2012)
- T. Li. Phys. Rev. B 85, 235407 (2012)
- H. Shi, H. Pan, Y.-W. Zhang, B.I. Yakobson. Phys. Rev. B 87, 155304 (2013)
- P. Tao, H. Guo, T. Yang, Z. Zhang. J. Appl. Phys. 115, 5, 054305 (2014)
- A. Chaves et al. npj 2D Mater. Appl. 4, 29, 1 (2020)
- R. Roldan, A. Castellanos-Gomez, E. Cappelluti, F. Guinea. J. Phys.: Condens. Matter. 27, 313201 (2015)
- H.Y. Lv, W.J. Lu, D.F. Shao, Y.P. Sun. Phys. Rev. B 90, 085433 (2014)
- A. Castellanos-Gomez. J. Phys. Chem. Lett. 6, 21, 4280 (2015)
- J.P. Perdew, K. Burke, M. Ernzerhof. Phys. Rev. Lett. 77, 18, 3865 (1996)
- G. Kresse, J. Furthmuller. Phys. Rev. B 54, 11169 (1996)
- H. Liu, A.T. Neal, Z. Zhu, D. Tomanek, P.D. Ye. ACS Nano 8, 4033 (2014)
- L.C.L.Y. Voon, A. Lopez-Bezanilla, J. Wang, Y. Zhang, M. Willatzen. New J. Phys. 17, 025004 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
