Вышедшие номера
Влияние сжимающих и растягивающих напряжений на электронную структуру фосфорена
Министерство образования Республики Беларусь, Государственной научной программы Республики Беларусь "Физическое материаловедение, новые материалы и технологии" (Физматтех)., 1.20
Министерство образования Республики Беларусь, Государственная программа научных исследований «Материаловедение, новые материалы и технологии» , 1.4
Slovak Academy of Sciences, National Scholarship Programme of the Slovak Republic
Кривошеева А.В. 1,2, Шапошников В.Л. 1, v Stich I.2
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2Center for Computational Material Science, Institute of Physics, Slovak Academy of Sciences, Bratislava, Slovakia
Email: krivosheeva@bsuir.by, shaposhnikov@bsuir.by, Ivan.Stich@savba.sk
Поступила в редакцию: 13 мая 2021 г.
В окончательной редакции: 13 мая 2021 г.
Принята к печати: 13 мая 2021 г.
Выставление онлайн: 9 июля 2021 г.

С помощью методов теоретического моделирования проведено исследование нового перспективного полупроводникового материала - фосфорена - и определены возможности изменения величины и характера его межзонных переходов при воздействии на кристаллическую решетку этого материала сжимающих и растягивающих напряжений. Установлено, что в зависимости от величины и направления воздействия напряжений материал может быть как прямозонным, так и непрямозонным полупроводником. Показана возможность применения фосфорена в наноэлектронных приборах нового поколения с управляемым направлением движения носителей заряда. Ключевые слова: фосфорен, монослой, зонная структура, ширина запрещенной зоны, деформация, напряжения.