Методы высокочастотного электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) использованы для исследования уникальных свойств центров марганца в кристалле GaAs : Mn в сильных магнитных полях при низких температурах. На частотах 94 и 130 GHz зарегистрированы переходы ЭПР в комплексе, представляющем собой ион марганца, замещающий Ga, и являющийся ионизированным акцептором Mn_Ga²⁺ (A^-), который связан изотропным обменным взаимодействием с делокализованной (мелкой) дыркой (Mn_Ga²⁺-SH (shallow hole)). В таком комплексе Mn_Ga²⁺ со спином S=5/2 связан антиферромагнитным обменным взаимодействием с мелкой дыркой с угловым моментом J=3/2. В результате сложения угловых моментов F= S+ J имеются четыре энергетических уровня с F=1, 2, 3, 4, характеризующихся вырождение 2F+1 в нулевом магнитном поле, и с нижним уровнем F=1. Проанализирована сложная система энергетических уровней этого комплекса в магнитном поле и возможность точного определения обменных взаимодействий по спектрам ЭПР. Исследован другой комплекс на основе ионизированного акцептора Mn_Ga²⁺, взаимодействующего с локализованным дырочным центром, в виде диамагнитного иона O^2-, замещающего As. Этот комплекс, Mn_Ga²⁺-O_As^2-, характеризуется аксиальной симметрией вдоль оси <111> кубического кристалла GaAs с анизотропным спектром ЭПР. Благодаря высокому фактору Больцмана, в наших исследованиях был определен порядок спиновых уровней тонкой структуры этого комплекса. Влияние больцмановского распределения населенностей уровней продемонстрировано также для комплекса Mn_Ga²⁺-SH. Ключевые слова: высокочастотный ЭПР, кристалл GaAs, акцептор Mn, мелкая дырка, обменное взаимодействие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.