Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Роль диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в фотопроводимости гетероструктур AlAs/GaAs
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.14.54329.179 
Министерство образования и науки Российской Федерации, на основе госзадания, 075-00355-21-00
1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН, Черноголовка, Московская обл., Россия 
Email: vdov62@yandex.ru
Поступила в редакцию: 29 июля 2021 г.
В окончательной редакции: 29 июля 2021 г.
Принята к печати: 4 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
На основе исследования фотопроводимости в p-i-n-гетероструктурах GaAs/AlAs в видимом световом диапазоне показана доминирующая роль канала диффузии фотовозбужденных электронов из сильнолегированных слоев в процессе формирования осцилляций фототока от напряжения смещения и определяющий вклад этого канала в полный ток через структуру. Рассмотрена качественная модель транспорта возбужденных носителей, предполагающая диффузионный канал как основной источник фотоосцилляций. Ключевые слова: гетероструктуры, фотопропроводимость.
- K.A. Patel, J.F. Dynes, A.W. Sharpe, Z.L. Yuan, R.V. Penty, A.J. Shields. Electron. Lett. 48, 2, 111 (2012)
- X. Shang, Y. Yu, M. Li, L. Wang, G. Zha, H. Ni, H. Pettersson, Y. Fu, Z. Niu. J. Appl. Phys. 118, 24, 244503 (2015)
- D. Inoue, Y. Wan, D. Jung, J. Norman, C. Shang, N. Nishiyama, S. Arai, A.C. Gossard, J.E. Bowers. Appl. Phys. Lett. 113, 9, 093506 (2018)
- S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, N.Y. (1981). P. 749--765
- R.E. Nahory. Phys. Rev. 178, 3, 1293 (1969)
- J. Allam, F. Capasso, M.B. Panish, A.L. Hutchinson. Appl. Phys. Lett. 49, 12, 707 (1986)
- M.V. Baranovskiy, G.F. Glinskii. J. Phys.: Conf. Ser. 461, 1, 012039 (2013)
- A.E. Belyaev, S.A. Vitusevich, L. Eaves, P.C. Main, M. Henini, A. Forster, W. Reetz, S.V. Danylyuk. Nanotechnol. 13, 1, 94 (2002)
- E.E. Vdovin, M. Ashdown, A. Patane, L. Eaves, R.P. Campion, Yu.N. Khanin, M. Henini, O. Makarovsky. Phys. Rev. B 89, 20, 205305 (2014)
- Ю.Н. Ханин, Е.Е. Вдовин, О. Макаровский, M. Хенини. Письма в ЖЭТФ 102, 11, 830 (2015)
- Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин. Письма в ЖЭТФ 113, 9, 605 (2021)
- H.C. Casey, D.D. Sell, K.W. Wecht. J. Appl. Phys. 46, 1, 250 (1975)
- M.L. Leadbeater, E.S. Alves, L. Eaves, M. Henini, O.H. Hughes, A. Celeste, J.C. Portal, G. Hill, M.A. Pate. J. Phys.: Condens. Matter 1, 29, 4865 (1989)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
