Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2021, выпуск 12 » Статья стр. 2210
<<<>>>
Эллипсометрия нанокристаллических пленок VO2, VO2 : Mg, VO2 : Ge
DOI: 10.21883/FTT.2021.12.51686.184a
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.14.54351.184a
Кастро Р.А.1, Ильинский А.В.2, Смирнова Л.М.1, Пашкевич М.Э.3, Шадрин Е.Б.2
1Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Email: recastro@mail.ru
Поступила в редакцию: 2 августа 2021 г.
В окончательной редакции: 2 августа 2021 г.
Принята к печати: 4 августа 2021 г.
Выставление онлайн: 14 сентября 2021 г.
PDF версия
Эллипсометрическим методом измерены спектры показателя преломления n(λ) и коэффициента экстинкции k(λ) тонких пленок VO2, VO2 : Mg, VO2 : Ge. Для нелегированной пленки VO2 на длине волны λ=632.8 nm вблизи фазового перехода изолятор-металл исследованы петли термического гистерезиса n(T) и k(T). Дана интерпретация полученных результатов на основе соотношения Мосса и представления об изменении n(T) и k(T) при примесной вариации плотности материала, а также на основе идеологии о кулоновской трансформации функции плотности состояний в сильнокоррелированных материалах. Ключевые слова: эллипсометрия, диоксид ванадия, фазовый переход изолятор-металл, сильнокоррелированные материалы.
  1. N.F. Mott. Metal--Insulator Transitions. Nauka, M. (1979). [Taylor \& Francis Ltd, London (1974). 342 p.]
  2. А.А. Бугаев, Б.П. Захарченя, Ф.А. Чудновский. Фазовый переход металл--полупроводник и его применение. Наука, Л. (1979). 183 с
  3. W. Bruckner, H. Opperman, W. Reichelt, G. Wolf, F.A. Chudnovsky, E.I. Terukov. Vanadium dioxide. Academy-Verlag, Berlin (1983)
  4. А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП 46, 4, 439 (2012)
  5. V.G. Golubev, V.Yu. Davydov, N.F. Kartenko, D.A. Kurdyukov, A.V. Medvedev, A.B. Pevtsov, A.V. Scherbakov, E.B. Shadrin. Appl. Phys. Lett. 79, 14, 2127 (2001)
  6. D. Wegkamp, J. Stahler. Progress. Surf. Sci. 90, 4, 464 (2015)
  7. A. Tselev, A. Kolmakov, N. Lavrik, S. Kalinin. Adv. Funct. Mater. 23, 20, 2635 (2013)
  8. P. Schilbe. Phys. B: Condens. Matter 316-317, 600 (2002)
  9. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. ФТП 54, 4, 331 (2020)
  10. X. Tan, T. Yao, R. Long, Z. Sun, Y. Feng, H. Cheng, X. Yuan, W. Zhang, Q. Liu, C. Wu, Y. Xie, S. Wei. Sci. Rep. 2, 466 (2012)
  11. M. Maaza, D. Hamidi, A. Simo, T. Kerdja, A.K. Chaudhary, J.B. Kana-Kana. Opt. Commun. 285, 1190 (2012)
  12. A.S. Oleynik. Proc. Fifth Int. Conf. Actual Problems. Electron Devices Engineering. Saratov, Russia, 18-19 Sept. (2002). INSPEC Accession Number: 7510192
  13. Н.В. Ионина, В.В. Орлов, А.В. Павлов. Оптические технологии искусственного интеллекта. Изд-во СПб, НИУ ИТМО (2012). 73 с
  14. K. Dai, J. Lian, M.J. Miller, J. Wang, Y. Shi, Y. Liu, H. Song, X. Wang. Opt. Mater. Express 9, 2, 663 (2019)
  15. C. Wan, Z. Zhang, D. Woolf, C.M. Hessel, J. Rensberg, J.M. Hensley, Y. Xiao, A. Shahsafi, J. Salman, S. Richter, Y. Sun, M.M. Qazilbash, R. Schmidt-Grund, C. Ronning, S. Ramanathan, M.A. Kats. Annalen der Physik 531, 10, 1 (2019)
  16. О.Г. Ревинская, С.И. Борисенко, Н.С. Кравченко. Аномальная дисперсия света в полупроводниках. Изд-во Томского политех. ун-та (2012). 300 с
  17. А.В. Ильинский, О.Е. Квашенкина, Е.Б. Шадрин. ФТП 46, 4, 439 (2012)
  18. M. Gatti, F. Bruneval, V. Olevano, L. Reining. Phys. Rev. Lett. 99, 266402 (2007)
  19. C. Batista, R.M. Ribeiro, V. Teixeira. Nanoscale Res. Lett. 6, 1, 301 (2011)
  20. Г.С. Ландсберг. Оптика. Физматлит., М. (2010). 848 с
  21. Handbook on Semiconductor / Eds T.S. Moss, P.T. Landsberg. Elsevier, Amsterdam (1992). 1060 p
  22. V.N. Antonov, L.V. Bekenov, A.N. Yaresko. Adv. Condens. Matter Phys. Article ID 298928 (2011). 107 p
  23. V. Apinyan, T.K. Kopec. J. Low Temp. Phys. 178, 295 (2015)
  24. А.В. Ильинский, Р.А. Кастро, М.Э. Пашкевич, Е.Б. Шадрин. ЖТФ 54, 4, 331 (2020)
  25. В.Н. Андреев, В.А. Климов. ФТТ 61, 8, 1519 (2019)
  26. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников. Наука, М. (1979). 416 с
  27. Л.Т. Бугаенко, С.М. Рябых, А.Л. Бугаенко. Вестн. МГУ 49, 6, 363 (2008)
  28. O.L. Anderson, E. Schreiber. J. Geophys. Res. 70, 6, 1463 (1965)
  29. Y. Liu, P.H. Daum. Aerosol Sci. 39, 11, 974 (2008)
  30. T.S. Moss, G.J. Burrell, B. Ellis. Semiconductor Opto-Electronics. Halsted Press Division, Wiley (1973). 454 p.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme