Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поля
Томилин О.Б.1, Родионова Е.В.1, Родин Е.А.1, Поклонский Н.А.2, Аникеев И.И.2, Раткевич С.В.2
1Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
Email: Rodionova_j87@mail.ru
Поступила в редакцию: 9 сентября 2021 г.
В окончательной редакции: 1 ноября 2021 г.
Принята к печати: 1 ноября 2021 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2021 г.
На примерах коротких открытых углеродных нанотрубок типа armchair (n,n), для n=3, 4, и zigzag (n,0), для n=5, 6, 7, изучено влияние величины и направления вектора напряженности внешнего постоянного электрического поля на их автоэмиссионные свойства. Показано, что отклонение вектора напряженности поля от оси нанотрубки приводит к увеличению напряженности поля для генерации автоэмиссии электронов. Образующиеся в результате нового типа сопряжения p-электронов в цилиндрических сопряженных системах эмиссионные орбитали в углеродных нанотрубках (n,n) более чувствительны к изменению направления вектора напряженности электрического поля по сравнению с эмиссионными орбиталями в нанотрубках (n,0). При отклонении вектора напряженности электрического поля от оси нанотрубки эмиссионные орбитали углеродных нанотрубок изменяются тем меньше, чем больше диаметр нанотрубки. Ключевые слова: короткие открытые углеродные нанотрубки, автоэлектронная эмиссия, сопряжение p-электронов, эмиссионная молекулярная орбиталь.
- И.Д. Евсиков, С.В. Митько, П.Ю. Глаголев, Н.А. Дюжев, Г.Д. Демин. ЖТФ 90, 11, 1931 (2020)
- Э.Г. Раков. Успехи химии 82, 6, 538 (2013)
- А.В. Елецкий. УФН 180, 9, 897 (2010)
- F. Giubileo, A. Bartolomeo, L. Iemmo, G. Luongo, F. Urban. Appl. Sci. 8, 4, 526 (2018)
- Е.Д. Эйдельман, А.В. Архипов. УФН 190, 7, 693 (2020)
- S. Parveen, A. Kumar, S. Husain, M. Husain. Physica B 505, 1 (2017)
- О.Б. Томилин, Е.В. Родионова, Е.А. Родин. Журн. физ. химии 94, 8, 1242 (2020)
- О.Б. Томилин, Е.В. Родионова, Е.А. Родин. Журн. физ. химии 95, 9, 1396 (2021)
- P. von Rague Schleyer, H. Jiao, M.N. Glukhovtsev, J. Chandrasekhar, E. Kraka. J. Am. Chem. Soc. 116, 22, 10129 (1994)
- A.A. Fokin, H. Jiao, P. von Rague Schleyer. J. Am. Chem. Soc. 120, 36, 9364 (1998)
- А.В. Тучин, Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов. Нано- и микросистемная техника 4, 19 (2013)
- А.В. Тучин, Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов. ФТТ 56, 8, 1632 (2014)
- R.I. Gearba, Т. Mills, J. Morris, R. Pindak, C.T. Black, X. Zhu. Adv. Funct. Mater. 21, 14, 2666 (2011)
- Т. Dumitrica, Ch.M. Landis, B.I. Yakobson. Chem. Phys. Lett. 360, 1-2, 182 (2002)
- N.A. Poklonski, S.V. Ratkevich, S.A. Vyrko, A.T. Vlassov. Int. J. Nanosci. 18, 03n04, 1940008 (2019)
- О.Б. Томилин, Н.А. Поклонский, Е.В. Родионова, Е.А. Родин, И.И. Аникеев, В.А. Кушнеров, А.С. Читалов. Материалы и структуры современной электроники. Материалы IX Междунар. науч. конф. (14-16 октября 2020 г.) БГУ, Минск (2020). 406 с
- S. Han, J. Ihm. Phys. Rev. B 66, 24, 241402(R) (2002)
- P. Yaghoobi, M.V. Moghaddam, A. Nojeh. In: 23rd Int. Vacuum Nanoelectronic Conf. Palo Alto, CA (2010). P. 8.2.115
- A. Navitski, G. Muller, V. Sakharuk, A.L. Prudnikava, B.G. Shulitski, V.A. Labunov. J. Vac. Sci. Technol. 28, 2, C2B14 (2010)
- J.W. Song, Y.S. Kim, Y.H. Yoon, E.S. Lee, C.S. Han, Y. Cho, D. Kim, J. Kim, N. Lee, Y.G. Ko, H.T. Jung, S.H. Kim. Physica E 41, 8, 1513 (2009)
- M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S.J. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comp. Chem. 14, 11, 1347 (1993)
- A.G. Rinzler, J.H. Hafner, P. Nikolaev, P. Nordlander, D.T. Colbert, R.E. Smalley, L. Lou, S.G. Kim, D. Tomanek. Sci. 269, 5230, 1550 (1995)
- М.Д. Бельский, Г.С. Бочаров, А.В. Елецкий, T.J. Sommerer. ЖТФ 80, 2, 130 (2010)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.