Зависимость энергии эмиссионных молекулярных орбиталей в коротких открытых углеродных нанотрубках от электрического поля
		
	
	
	
Томилин О.Б.1, Родионова Е.В.1, Родин Е.А.1, Поклонский Н.А.2, Аникеев И.И.2, Раткевич С.В.2
1Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия 
 2
2Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 

 Email: Rodionova_j87@mail.ru
 
	Поступила в редакцию: 9 сентября 2021 г.
		
	В окончательной редакции: 1 ноября 2021 г.
		
	Принята к печати: 1 ноября 2021 г.
		
	Выставление онлайн: 20 декабря 2021 г.
		
		
 На примерах коротких открытых углеродных нанотрубок типа armchair (n,n), для n=3, 4, и zigzag (n,0), для n=5, 6, 7, изучено влияние величины и направления вектора напряженности внешнего постоянного электрического поля на их автоэмиссионные свойства. Показано, что отклонение вектора напряженности поля от оси нанотрубки приводит к увеличению напряженности поля для генерации автоэмиссии электронов. Образующиеся в результате нового типа сопряжения p-электронов в цилиндрических сопряженных системах эмиссионные орбитали в углеродных нанотрубках (n,n) более чувствительны к изменению направления вектора напряженности электрического поля по сравнению с эмиссионными орбиталями в нанотрубках (n,0). При отклонении вектора напряженности электрического поля от оси нанотрубки эмиссионные орбитали углеродных нанотрубок изменяются тем меньше, чем больше диаметр нанотрубки. Ключевые слова: короткие открытые углеродные нанотрубки, автоэлектронная эмиссия, сопряжение p-электронов, эмиссионная молекулярная орбиталь. 
- И.Д. Евсиков, С.В. Митько, П.Ю. Глаголев, Н.А. Дюжев, Г.Д. Демин. ЖТФ 90, 11, 1931 (2020)
- Э.Г. Раков. Успехи химии 82, 6, 538 (2013)
- А.В. Елецкий. УФН 180, 9, 897 (2010)
- F. Giubileo, A. Bartolomeo, L. Iemmo, G. Luongo, F. Urban. Appl. Sci. 8, 4, 526 (2018)
- Е.Д. Эйдельман, А.В. Архипов. УФН 190, 7, 693 (2020)
- S. Parveen, A. Kumar, S. Husain, M. Husain. Physica B 505, 1 (2017)
- О.Б. Томилин, Е.В. Родионова, Е.А. Родин. Журн. физ. химии 94, 8, 1242 (2020)
- О.Б. Томилин, Е.В. Родионова, Е.А. Родин. Журн. физ. химии 95, 9, 1396 (2021)
- P. von Rague Schleyer, H. Jiao, M.N. Glukhovtsev, J. Chandrasekhar, E. Kraka. J. Am. Chem. Soc. 116, 22, 10129 (1994)
- A.A. Fokin, H. Jiao, P. von Rague Schleyer. J. Am. Chem. Soc. 120, 36, 9364 (1998)
- А.В. Тучин, Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов. Нано- и микросистемная техника 4, 19 (2013)
- А.В. Тучин, Л.А. Битюцкая, Е.Н. Бормонтов. ФТТ 56, 8, 1632 (2014)
- R.I. Gearba, Т. Mills, J. Morris, R. Pindak, C.T. Black, X. Zhu. Adv. Funct. Mater. 21, 14, 2666 (2011)
- Т. Dumitrica, Ch.M. Landis, B.I. Yakobson. Chem. Phys. Lett. 360, 1-2, 182 (2002)
- N.A. Poklonski, S.V. Ratkevich, S.A. Vyrko, A.T. Vlassov. Int. J. Nanosci. 18, 03n04, 1940008 (2019)
- О.Б. Томилин, Н.А. Поклонский, Е.В. Родионова, Е.А. Родин, И.И. Аникеев, В.А. Кушнеров, А.С. Читалов. Материалы и структуры современной электроники. Материалы IX Междунар. науч. конф. (14-16 октября 2020 г.) БГУ, Минск (2020). 406 с
- S. Han, J. Ihm. Phys. Rev. B 66, 24, 241402(R) (2002)
- P. Yaghoobi, M.V. Moghaddam, A. Nojeh. In: 23rd Int. Vacuum Nanoelectronic Conf. Palo Alto, CA (2010). P. 8.2.115
- A. Navitski, G. Muller, V. Sakharuk, A.L. Prudnikava, B.G. Shulitski, V.A. Labunov. J. Vac. Sci. Technol. 28, 2, C2B14 (2010)
- J.W. Song, Y.S. Kim, Y.H. Yoon, E.S. Lee, C.S. Han, Y. Cho, D. Kim, J. Kim, N. Lee, Y.G. Ko, H.T. Jung, S.H. Kim. Physica E 41, 8, 1513 (2009)
- M.W. Schmidt, K.K. Baldridge, J.A. Boatz, S.T. Elbert, M.S. Gordon, J.H. Jensen, S. Koseki, N. Matsunaga, K.A. Nguyen, S.J. Su, T.L. Windus, M. Dupuis, J.A. Montgomery. J. Comp. Chem. 14, 11, 1347 (1993)
- A.G. Rinzler, J.H. Hafner, P. Nikolaev, P. Nordlander, D.T. Colbert, R.E. Smalley, L. Lou, S.G. Kim, D. Tomanek. Sci. 269, 5230, 1550 (1995)
- М.Д. Бельский, Г.С. Бочаров, А.В. Елецкий, T.J. Sommerer. ЖТФ 80, 2, 130 (2010)
		
			Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
		
		
			Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.