Проведены исследования влияния нагрева и сильных полевых, но допробойных, воздействий на высокочастотные характеристики импеданса гетероэпитаксиальных структур Ni-Ba_0.8Sr_0.2TiO_3-pSi с толщиной сегнетоэлектрика 50 nm. Показано, что независимо от полярности полевого стресса, характеристики сдвигались в сторону положительного смещения, и ширина петель гистерезиса уменьшалась; уровни плато практически оставались неизменными. Нагрев до 121^oC приводил к изменению уровней верхнего плато характеристик: для емкости он снижался, а для проводимости - поднимался; ветви на петле не просто сужались и сдвигались, а менялись местами по сравнению с исходной зависимостью (реверс петли). Данные результаты могут быть объяснены: при полевом воздействии - генерацией дополнительных электронных состояний, локализованных в буферном слое на границе раздела кремний - Ba_1-xSr_xTiO₃, а при нагреве - возникновением эффектов запаздывания вследствие развития флуктуационных процессов, лежащих в основе размытия фазового перехода из сегнетоэлектрического в параэлектрическое состояние. Ключевые слова: высокочастотные полевые характеристики импеданса, полевой стресс, петли гистерезиса, генерация дополнительных локализованных электронных состояний, эффекты запаздывания, флуктуационные процессы, размытый фазовый переход.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.