Выполнено комплексное сравнительное исследование слоев оксидов SiO₂ и Al₂O₃ с нанокристаллами Si, сформированными путем имплантации ионов Si⁺ и высокотемпературного отжига. Информация о морфологии, фазовом составе, структуре и люминесцентных свойствах массивов ионно-синтезированных нанокристаллов Si получена с использованием методов конфокальной рамановской микроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, электронного парамагнитного резонанса и фотолюминесценции. Установлено, что особенности образования нанокристаллов, их распределение по глубине, структура и характер химических связей подобны для обеих оксидных матриц, но обусловленная нанокристаллами фотолюминесценция в диапазоне длин волн 600-1000 nm в матрице Al₂O₃ имеет место только в случае формирования вокруг нанокристаллов Si оболочек SiO₂. Необходимое для формирования оболочек окисление поверхности нанокристаллов возможно как за счет избыточного кислорода в матрице Al₂O₃ (случай имплантации Si в осажденную пленку Al₂O₃), так и за счет притока кислорода из атмосферы отжига (случай имплантации Si в сапфир). Для проверки квантово-размерного механизма излучения света анализируются данные по температурной зависимости фотолюминесценции. Проанализированы также механизмы токопереноса и возбуждения электролюминесценции в диодных структурах на основе тонких ионно-синтезированных слоев с нанокристаллами кремния. Работа выполнена частично в рамках АВЦП "Развитие научного потенциала высшей школы", ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России", гранта Президента РФ (МК-185.2009.2) и гранта РФФИ (10-02-00995).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.