Вышедшие номера
Ab initio и экспериментальное исследование колебательных свойств In2Se3
Джахангирли З.А.1,2, Годжаев Э.М.3, Гарибли А.Ф.4, Байрамова Т.О.2
1Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
3Азербайджанский технический университет, Баку, Азербайджан
4Сумгаитский государственных университет, Сумгаит, Азербайджан
Email: zakircahangirli@yahoo.com
Поступила в редакцию: 4 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 4 апреля 2022 г.
Принята к печати: 6 апреля 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.

Представлены результаты исследования колебательных свойств полупроводникового соединения In2Se3: теоретически, методом теории возмущений функционала плотности (DFPT), и экспериментально, с использованием рамановской спектроскопии. Сравнение измерений комбинационного рассеяния света и расчетов динамики решетки позволило нам идентифицировать четыре раман-активных моды, обнаруженных на 91.28, 104.5, 182.68 и 193.6 cm-1. Идентификация фононных мод проводились по рассмотрению точечной группы симметрии. Результаты идентификации фононных мод подтвердили R3m-симметрию фазы α-In2Se3. Проведено также сравнение результатов с имеющимися в литературе экспериментальными данными, полученными методом рамановской спектроскопии. Рассчитанные частоты и симметрии фононных мод в центре зоны Бриллюэна хорошо согласуются с экспериментальными данными. Ключевые слова: In2Se3, комбинационное рассеяние света, ИК- и раман-активные моды, дисперсия фононов, плотность фононных состояний.