Особенности низкотемпературной проводимости пленок металлоорганических перовскитов при введении в них частиц оксида графена
Овезов М.К.1, Алешин П.А.1, Алешин А.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: strontiumx94@gmail.com, aleshinp@gmail.com, aleshin@transport.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2022 г.
В окончательной редакции: 28 марта 2022 г.
Принята к печати: 29 марта 2022 г.
Выставление онлайн: 29 апреля 2022 г.
Исследовано влияние введения частиц оксида графена (GO) на низкотемпературную проводимость композитных пленок на основе металлоорганических перовскитов CH3NH3PbBr3 с частицами GO с концентрацией 0-5 wt.%. Установлено, что введение частиц GO в пленки ITO/CH3NH3PbBr3 : GO/ITO/glass проявляется в уменьшении энергии активации температурной зависимости кондактанса. Обнаружено резкое увеличение на 5-6 порядков сопротивления пленок при температурах ниже 150 K. Предположено, что в исследованных системах CH3NH3PbBr3 : GO при T>150 K преобладает прыжковый механизм транспорта, связанный с захватом и накоплением носителей заряда в частицах GO, а рост сопротивления при T<150 K, возможно, обусловлен структурным фазовым переходом характерным для металлоорганических перовскитов в этой области температур. Ключевые слова: металлоорганические перовскиты, оксид графена, электропроводность, низкотемпературный транспорт.
- L. Schmidt-Mende, V. Dyakonov, S. Olthof, F. Unlu, K. Moritz Trong L\^e, S. Mathur, A.D. Karabanov, D.C. Lupascu, L.M. Herz, A. Hinderhofer, F. Schreiber, A. Chernikov, D.A. Egger, O. Shargaieva, C. Cocchi, E. Unger, M. Saliba, M.M. Byranvand, M. Kroll, F. Nehm, K. Leo, A. Redinger, J. Hocker, T. Kirchartz, J. Warby, E. Gutierrez-Partida, D. Neher, M. Stolterfoht, U. Wurfel, M. Unmussig, J. Herterich, C. Baretzky, J. Mohanraj, M. Thelakkat, C. Maheu, W. Jaegermann, T. Mayer, J. Rieger, T. Fauster, D. Niesner, F. Yang, S. Albrecht, T. Riedl, A. Fakharuddin, M. Vasilopoulou, Y. Vaynzof, D. Moia, J. Maier, M. Franckevicius, V. Gulbinas, R.A. Kerner, L. Zhao, B.P. Rand, N. Gluck, T. Bein, F. Matteocci, L.A. Castriotta, A. Di Carlo, M. Scheffler, C. Draxl. APL Mater. 9, 109202 (2021).
- A. Younis, C.-Ho Lin, X. Guan, S. Shahrokhi, C.-Yu Huang, Y. Wang, T. He, S. Singh, L. Hu, J.R. D. Retamal, Jr-H. He, T. Wu. Adv. Mater. 33, 2005000 (2021)
- A.K. Chilvery, A.K. Batra, B. Yang, K. Xiao, P. Guggilla, M.D. Aggarwal, R. Surabhi, R.B. Lal, J.R. Currie, B.G. Penn. J. Photon. Energy 5, 057402 (2015)
- C.C. Stoumpos, C.D. Malliakas, M.G. Kanatzidis. Inorg. Chem. 52, 9019 (2013)
- A. Pisoni, J. Jacimovic, O.S. Barisic, M. Spina, R. Gaal, L. Forro, E. Horvath. J. Phys. Chem. Lett. 5, 2488 (2014)
- А.М. Ершова, М.К. Овезов, И.П. Щербаков, А.Н. Алешин. ФТТ 61, 243 (2019)
- H.S. Jung, N.-G. Park. Small 11, 10 (2015)
- X. Wu, H. Yu, J. Cao. AIP Advances 10, 085202 (2020)
- H. He, J. Klinowski, M. Forster, A. Lerf. Chem. Phys. Lett. 287, 53 (1998)
- А.В. Архипов, Г.В. Ненашев, А.Н. Алешин. ФТТ 63, 559 (2021)
- S.M. Sze. Physics of semiconductor devices. 2nd ed. John Wiley \& Sons (1981)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.