Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2022, выпуск 8 » Статья стр. 1101
<<<>>>
Особенности зонной структуры и механизма латеральной фотопроводимости в гибридных структурах T/SiO2/Si (T=Fe, Fe3O4,  TiO2)
DOI: 10.21883/FTT.2022.08.52714.363
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.08.54635.363
Министерство образования и науки РФ , Государственное задание, 0202-2021-0002
Министерство образования и науки РФ , Государственное задание, 0205-2022-0002
Писаренко Т.А.1,2, Коробцов В.В. 1, Димитриев А.А. 1,2, Балашев В.В. 1,3,2, Железнов В.В. 4
1Институт автоматики и процессов управления ДВО РАН, Владивосток, Россия
2Дальневосточный федеральный университет, Владивосток, Россия
3Тихоокеанский океанологический институт им. В.И. Ильичева ДВО РАН, Владивосток, Россия
4Институт химии Дальневосточного отделения РАН, Владивосток, Россия
Email: tata_dvo@iacp.dvo.ru, balashev@mail.dvo.ru
Поступила в редакцию: 26 апреля 2022 г.
В окончательной редакции: 26 апреля 2022 г.
Принята к печати: 2 мая 2022 г.
Выставление онлайн: 6 июня 2022 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования латерального фотовольтаического эффекта в гибридных структурах на основе SiO2/Si в зависимости от характера проводимости материала верхнего слоя (Fe - металл, Fe3O4 - полуметалл, TiO2 - полуизолятор). Показано, что данный эффект наблюдается в гибридных структурах, в которых на границе раздела SiO2/Si образуется обедненная область с значительным изгибом зон. Теоретические расчеты латерального фотонапряжения на основе данных энергетических параметров зонных диаграмм показали, что увеличение чувствительности латерального фотоэффекта связано с увеличением встроенного потенциала на границе раздела SiO2/Si. Установлено, что переходные характеристики латерального фотоэффекта, такие как время нарастания и время спада сигнала фотонапряжения, определяются конфигурацией RC-фильтра в приконтактной области, которая зависит от проводимости верхнего слоя. Показано, что при латеральном фотовольтаическом эффекте токоперенос осуществляется по инверсионному слою, а верхний слой служит для генерации квази p-n-перехода на границе раздела SiO2/Si. Ключевые слова:латеральный фотовольтаический эффект, гибридные структуры, железо, магнетит, диоксид титана.
  1. J.T. Wallmark. Proc. IRE 45, 4, 474 (1957)
  2. G. Lucovsky. J. Appl. Phys. 31, 6, 1088 (1960)
  3. S.M. Sze, K.K. Ng. Physics of semiconductor devices. John Wiley \& Sons, N.Y. (2006). P. 832
  4. T. Shikama, H. Niu, M. Takai. Jpn.. J. Appl. Phys. 23, 10R, 1314 (1984)
  5. П.П. Коноров, Ю.А. Тарантов. В сб.: Уч. записки ЛГУ. Сер. физ. 370, 17, 114 (1974)
  6. E. Fortunato, G. Lavareda, R. Martins, F. Soares, L. Fernandes. Sens. Actuat. A 51, 135 (1996)
  7. D.J.W. Noorlag. Lateral-photoeffect position-sensitive detectors. Ph.D. Thesis. Delft University of Technology, Delft, The Netherlands (1982). P. 211
  8. J. Henry, J. Livingstone. J. Phys. D 41, 16, 165106 (2008)
  9. S.Q. Xiao, H. Wang, C.Q. Yu, Y.X. Xia, J.J. Lu, Q.Y. Jin, Z.H. Wang. New J. Phys. 10, 3, 033018 (2008)
  10. H. Wang, S.Q. Xiao, C.Q. Yu, Y.X. Xia, Q.Y. Jin, Z.H. Wang. New J. Phys. 10, 9, 093006 (2008)
  11. C. Yu, H. Wang. Sensors 10, 11, 10155 (2010)
  12. L.Z. Hao, Y.J. Liu, Z.D. Han, Z.J. Xu, J. Zhu. J. Alloys Compd. 735, 88 (2018)
  13. S. Qiao, B. Liang, J. Liu, G. Fu, S. Wang. J. Phys. D 54, 153003 (2021)
  14. X. Wang, B. Song, M. Huo, Y. Song, Z. Lv, Y. Zhang, Y. Wang, Y. Song, J. Wen, Y. Sui, J. Tang. RSC Advances 5, 80, 65048 (2015)
  15. B. Song, X. Wang, B. Li, L. Zhang, Z. Lv, Y. Zhang, Y. Wang, J. Tang, P. Xu, B. Li, Y. Yang, Y. Sui, B. Song. Opt. Exp. 24, 21, 23755 (2016)
  16. Т.А. Писаренко, В.В. Балашев, В.А. Викулов, А.А. Димитриев, В.В. Коробцов. ФТТ 60, 7, 1311 (2018)
  17. T.A. Pisarenko, V.V. Balashev, V.V. Korobtsov, A.A. Dimitriev, V.A. Vikulov. Defect Diffusion Forum 386, 137 (2018)
  18. X. Wang, X. Zhao, C. Hu, Y. Zhang, B. Song, L. Zhang, W. Liu, Z. Lv, Y. Zhang, J. Tang, Y. Sui, B. Song. Appl. Phys. Lett. 109, 2, 023502 (2016)
  19. A.K. Dutta, Y. Hatanaka. Solid-State Electron. 32, 6, 485 (1989)
  20. C. Narayanan, A.B. Buckman, I. Busch-Vishniac, W. Wang. IEEE Transact. Electron Devices 40, 9, 1688 (1993)
  21. G. Prestopino, M. Marinelli, E. Mitani, C. Verona, G. Verona-Rinati. Appl. Phys. Lett. 111, 14, 143504 (2017)
  22. H. Kobayashi, Asuha, O. Maida, M. Takahashi, H. Iwasa. J. Appl. Phys. 94, 11, 7328 (2003)
  23. Д.П. Опра, С.В. Гнеденков, С.Л. Синебрюхов, А.Б. Подгорбунский, А.А. Соколов, А.Ю. Устинов, В.Г. Курявый, В.Ю. Майоров, В.В. Железнов. Электрохимическая энергетика 19, 3, 123 (2019)
  24. В.В. Балашев, В.В. Коробцов. ЖТФ 88, 1, 75 (2018)
  25. В.В. Балашев, В.В. Коробцов, Т.А. Писаренко, Л.А. Чеботкевич. ЖТФ 81, 10, 122 (2011)
  26. A.M. Cowley, S.M. Sze. J. Appl. Phys. 36, 10, 3212 (1965)
  27. S. Ghosh, P.C. Srivastava. J. Electron. Mater. 43, 11, 4357 (2014)
  28. M. Fonin, R. Pentcheva, Yu.S. Dedkov, M. Sperlich, D.V. Vyalikh, M. Scheffler, U. Rudiger, G. Guntherodt. Phys. Rev. B 72, 104436 (2005)
  29. Z. Zhao, Z. Li, Z. Zou. J. Phys.: Condens. Matter 22, 17, 175008 (2010)
  30. A. Kiejna, T. Pabisiak, S.W. Gao. J. Phys.: Condens. Matter 18, 17, 4207 (2006)
  31. B.L. Sharma, R.K. Purohit. Semiconductor heterojunctions. Pergamon Press, Oxford (1974). P. 224
  32. J. Lias, S.A. Shahadan, M.S.A. Rahim, N. Nayan, M.K. Ahmad, M.Z. Sahdan. J.Teknologi. 78, 10, 1 (2016)
  33. X. Huang, C. Mei, J. Hu, D. Zheng, Z. Gan, P. Zhou, H. Wang. IEEE Electron Device Lett. 37, 8, 1018 (2016)
  34. J. Dai, L. Spinu, K.Y. Wang, L. Malkinski, J. Tang. J. Phys. D 33, 11, L65 (2000)
  35. S. Liu, C.Q. Yu, H. Wang. IEEE Electron Device Lett. 33, 3, 414 (2012)
  36. C.Q. Yu, H. Wang, Y.X. Xia. Appl. Phys. Lett. 95, 26, 263506 (2009)
  37. W.S. Levine. The control handbook. Jaico Publishing House, Mumbai (1999).V. 1. P. 158
  38. K. Lehovec, A. Slobodskoy. Solid-State Electron. 7, 1, 59 (1964)
  39. T.A. Pisarenko, V.V. Korobtsov, V.V. Balashev, A.A. Dimitriev. Solid State Phenomena 312, 92 (2020).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme