Вышедшие номера
Эффект интерфейсного легирования системы наностержней оксида цинка
Рябко А.А. 1, Мазинг Д.С. 2, Бобков А.А. 2, Максимов А.И. 2, Левицкий В.С. 1, Лазнева Э.Ф. 3, Комолов А.С. 3, Мошников В.А. 2, Теруков Е.И. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: a.a.ryabko93@yandex.ru, dmazing@yandex.ru, darklord125@mail.ru, aimaximov@mail.ru, lev-vladimir@yandex.ru, akomolov07@yandex.ru, vamoshnikov@mail.ru
Поступила в редакцию: 16 июня 2022 г.
В окончательной редакции: 16 июня 2022 г.
Принята к печати: 18 июня 2022 г.
Выставление онлайн: 23 августа 2022 г.

Обнаружен эффект возрастания электропроводности системы наностержней оксида цинка ZnO в 105 раз при атомно-слоевом осаждении тонкого диэлектрического слоя оксида алюминия Al2O3. Показано, что изменение электропроводности ZnO при атомно-слоевом осаждении Al2O3 на поверхность наблюдается также в случае ZnO в виде тонких поликристаллических слоев. Представлено исследование поликристаллических слоев ZnO с покрытием из Al2O3 с помощью ультрафиолетовой и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. На основе результатов фотоэлектронной спектроскопии предложены два основных фактора изменения электропроводности, заключающиеся в образовании двумерного электронного газа на интерфейсе ZnO|Al2O3 и легировании приповерхностной области ZnO атомами алюминия. Ключевые слова: наностержни, оксид цинка, оксид алюминия, атомно-слоевое осаждение, прозрачные электроды, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, ультрафиолетовая фотоэлектронная спектроскопия.