Исследованы корреляции между спектрами оптического поглощения (ОП), интегральными кривыми термовысвечивания (ТВ) (300-600 K) сцинтилляторных кристаллов Lu₂SiO₅ : Ce после облучения ⁶⁰Co гамма-квантами с энергиями 1.17 и 1.33 MeV при мощности дозы 1.1 Gy/s в интервале доз 70-5·10⁷ Gy при температуре 310 K и их гамма-люминесценцией (ГЛ). Собственные дефекты: нейтральные V_O5-центры с полосой поглощения 193 nm, =Si-V_O5 - 213 nm, Lu1-F^+-Si - 238 nm, Се³⁺/Се⁴⁺ - 263 nm, а также Се³⁺/F - 295 nm центры, до облучения обусловлены технологическим процессом. Облучение до дозы 5·10⁴ Gy уменьшает концентрацию V_O5-центров, но не влияет на остальные. Однако при дозах >5·10⁴ Gy происходит рост концентрации всех остальных дефектов в структурe LSO : Ce. Восстановление полосы ОП 193 nm и уменьшение интенсивности пика ТВ 335 K с ростом времени выдержки (1, 3 и 10 h) при 305 K, а также коррелированный рост ОП 238 nm и пика ТВ 540 K после облучения от 70 до 2.3·10⁶ Gy связаны с освобождением электронов из этих центров окраски и излучательной рекомбинацией на Ce1-центрах. Уменьшение выхода ГЛ Се³⁺ в полосах 400 и 420 nm при дозах >10⁵ Gy, возможно, связано c увеличением концентрации центров =Si-V_O4, Lu1-F^+-Si и Се³⁺/F, конкурующих с Ce1-центрами в захвате электронов. Так определен верхний предел стабильности Lu₂SiO₅ : Ce гамма-сцинтиллятора 10⁵ Gy. Ключевые слова: Lu₂SiO₅ : Ce, центры окраски, гамма-индуцированная люминесценция, термовысвечивание, дозовый предел сцинтиллятора.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.