Вышедшие номера
Электропроводность и структурная обусловленность ионного переноса в кристаллах лангасита La3Ga5SiO14:Mn
Сорокин Н.И. 1, Головина Т.Г.1, Константинова А.Ф.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: nsorokin1@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2022 г.
Принята к печати: 26 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 27 сентября 2022 г.

Методом импедансной спектроскопии изучена температурная зависимость статической электропроводности sigmadc(T) монокристалла лантан-галиевого силиката (лангасита) La3Ga5SiO14, активированного примесью Mn (1000 ppm). Импедансные измерения La3Ga5SiO14 (пр. гр. P321, Z=1) выполнены вдоль кристаллографических осей a (двойной оси симметрии) и c (тройной оси симметрии). Обнаружено, что значения sigma|| a существенно выше электропроводности sigma|| c, анизотропия электропроводности sigma|| a/sigma|| c=170 при 773 K. Энергия активации электропереноса равна Esigma=0.75±0.05 и 1.09±0.02 eV вдоль оси a и c соответственно. Механизм электропроводности имеет ионную природу и примесный характер; вакансии кислорода VOoo являются наиболее вероятными носителями тока. Ключевые слова: лантан-галлиевый силикат, семейство лангасита, монокристалл, электропроводность, анизотропия.