Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2022, выпуск 12 » Статья стр. 1920
<<<>>>
Электропроводность и структурная обусловленность ионного переноса в кристаллах лангасита La3Ga5SiO14:Mn
DOI: 10.21883/FTT.2022.12.53643.446
Переводная версия: 10.21883/PSS.2022.12.54382.446
Сорокин Н.И. 1, Головина Т.Г.1, Константинова А.Ф.1
1Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" РАН, Москва, Россия
Email: nsorokin1@yandex.ru
Поступила в редакцию: 20 июля 2022 г.
В окончательной редакции: 20 июля 2022 г.
Принята к печати: 26 июля 2022 г.
Выставление онлайн: 27 сентября 2022 г.
PDF версия
Методом импедансной спектроскопии изучена температурная зависимость статической электропроводности sigmadc(T) монокристалла лантан-галиевого силиката (лангасита) La3Ga5SiO14, активированного примесью Mn (1000 ppm). Импедансные измерения La3Ga5SiO14 (пр. гр. P321, Z=1) выполнены вдоль кристаллографических осей a (двойной оси симметрии) и c (тройной оси симметрии). Обнаружено, что значения sigma|| a существенно выше электропроводности sigma|| c, анизотропия электропроводности sigma|| a/sigma|| c=170 при 773 K. Энергия активации электропереноса равна Esigma=0.75±0.05 и 1.09±0.02 eV вдоль оси a и c соответственно. Механизм электропроводности имеет ионную природу и примесный характер; вакансии кислорода VOoo являются наиболее вероятными носителями тока. Ключевые слова: лантан-галлиевый силикат, семейство лангасита, монокристалл, электропроводность, анизотропия.
  1. Е.Л. Белоконева, М.А. Симонов, А.В. Буташин, Б.В. Милль, Н.В. Белов. ДАН СССР 255, 1099 (1980)
  2. А.А. Каминский, С.Э. Саркисов, Б.В. Милль, Г.Г. Ходжабагян. ДАН СССР 264, 93 (1982)
  3. И.А. Андреев, М.Ф. Дубовник. Письма ЖЭТФ 10, 487 (1984)
  4. B.V. Mill, Yu.V. Pisarevsky. Proc. 2000 IEEE Inter. Frequency Control Symp. (2000). Р. 133
  5. И.А. Андреев. ЖТФ 76, 80 (2006)
  6. Компания "Фомос-Материалы". https://newpiezo.com
  7. Е.Н. Доморощина, Г.М. Кузьмичева, В.Б. Рыбаков, А.Б. Дубовский, Е.А. Тюнина, С.Ю. Степанов. Перспектив. материалы 4, 17 (2004)
  8. Е.Л. Белоконева, Н.В. Белов. ДАН СССР 260, 1363 (1981)
  9. Б.В. Милль, А.В. Буташин, Г.Г. Ходжабагян, Е.Л. Белоконева, Н.В. Белов. ДАН СССР 264, 1385 (1982)
  10. T. Iwataki, H. Ohsato, K. Tanaka, H. Morikoshi, J. Sato, K. Kawasaki. J. Eur. Ceram. Soc. 21, 1409 (2001)
  11. A. Лидьярд. Ионная проводимость кристаллов. Изд-во ИЛ, М. (1962). 222 с
  12. И.С. Рез, Ю.М. Поплавко. Диэлектрики. Радио и связь, М. (1989) 287 с
  13. К.А. Калдыбаев, А.Ф. Константинова, З.Б. Перекалина. Гиротропия одноосных поглощающих кристаллов. Изд-во ИСПИН, М. (2000). 300 с
  14. Г.М. Кузьмичева, О. Захарко, Е.А. Тюнина, В.Б. Рыбаков, Е.Н. Доморощина, А.Б. Дубовский. Кристаллография 53, 1046 (2008)
  15. F.A. Kroger. The chemistry of inperfect crystals. North-Holland, Amsterdam (1964). 1039 p
  16. Н.Л. Сизова, Т.Г. Головина, А.Ф. Константинова, А.П. Дудка. Кристаллография 66, 910 (2021)
  17. А.Б. Дубовский, Е.А. Тюнина, Е.Н. Доморощина, Г.М. Кузьмичева, В.Б. Рыбаков. Неорган. материалы 44, 601 (2008)
  18. А.М. Аронова, Г.В. Бережкова, А.В. Буташин, А.А. Каминский. Кристаллография 35, 933 (1990)
  19. О.М. Кугаенко, Е.С. Торшина, В.С. Петраков, О.А. Бузанов, С.А. Сахаров. Изв. вузов. Материалы электрон. техники 3, 174 (2014)
  20. О.М. Кугаенко, С.С. Уварова, С.А. Крылов, Б.Р. Сенатулин, В.С. Петраков, О.А. Бузанов, В.Н. Егоров, С.А. Сахаров. Изв. РАН. Сер. физ. 76, 1406 (2012)
  21. Н.И. Сорокин. ФТТ 62, 1897 (2020)
  22. О.А. Бузанов, Н.С. Козлова, Е.В. Забелина, А.П. Козлова, Н.А. Симинел. Изв. вузов. Материалы электрон. техники 1, 14 (2010)
  23. Е.Н. Доморощина, А.Б. Дубовский, Г.М. Кузьмичева, Г.В. Семенкович. Неорган. материалы 41, 1378 (2005)
  24. И.М. Анфимов, О.А. Бузанов, А.П. Козлова, Н.С. Козлова. Изв. вузов. Материалы электрон. техники. 2, 21 (2011)
  25. S.P.S. Badwal. Solid State Ionics 52, 23 (1992)
  26. Н.И. Сорокин. Электрохимия 36, 357 (2000)
  27. M. Filal, C. Petot, M. Mokchah, C. Chateau, J.L. Carpentier. Solid State Ionics 80, 27 (1995)
  28. А.К. Иванов-Шиц, Н.И. Сорокин, П.П. Федоров, Б.П. Соболев. ФТТ 25, 1748 (1983)
  29. Л.И. Ивлева, Н.С. Козлова, Е.В. Забелина. Кристаллография 52, 344 (2007)
  30. F. Yu, X. Zhao, L. Pan, F. Li, D. Yuan, S. Zhang. J. Phys. D 43, 165402 (2020)
  31. Д.А. Спасский, Н.С. Козлова, А.П. Козлова, Е.В. Забелина, О.А. Бузанов. ФТТ 61, 441 (2019)
  32. M. Kitaura, K. Mochizuki, Y. Inabe, M. Itoh, H. Nakagawa, S. Oishi. Phys. Rev. B. 69, 115120 (2004)
  33. R.D. Shannon. Acta Cryst. A. 32, 751 (1976)
  34. А.К. Иванов-Шиц, И.В. Мурин. Ионика твердого тела. Изд-во СПбГУ, СПб (2010). Т. 2. 1000 с
  35. Н.И. Сорокин. Электрохимия 44, 1111 (2008)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme