Построение 2D-картин рентгеновской дифракции от модельных кристаллов-вискеров арсенида галлия
Шарков М.Д.
1, Прасолов Н.Д.1, Левин А.А.
1, Брунков П.Н.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mischar@mail.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2022 г.
В окончательной редакции: 4 октября 2022 г.
Принята к печати: 11 октября 2022 г.
Выставление онлайн: 12 ноября 2022 г.
Смоделирована серия кристаллитов-вискеров GaAs в форме шестиугольных призм с осью, параллельной кристаллографическому направлению [111], и структур, составленных из описанных призм. Для модельных образцов GaAs вычислены картины рентгеновской дифракции. На основе анализа модельной картины рентгеновской дифракции построена аппроксимационная структура из фрагментов призм от массива атомов, полученного путем применения к исходному призматическому модельному кристаллиту GaAs методик молекулярной динамики. Ключевые слова: вискеры, моделирование рентгеновской дифракции, полупроводники AIIIBV, арсенид галлия.
- Г.В. Озолиньш, Г.К. Аверкиева, А.Ф. Иевиньш, Н.А. Горюнова. Кристаллография 7, 850 (1962)
- International Centre for Diffraction Data (ICDD). Powder Diffraction File-2 Release 2014. ICDD: Newton Square, PA, USA (2014)
- Zh.I. Alferov, V.M. Andreev, V.D. Rumyantsev. Springer Ser. Opt. Sci. 130, 25 (2007)
- С.С. Хлудков, О.П. Толбанов, М.Д. Вилисова, И.А. Прудаев. Полупроводниковые приборы на основе арсенида галлия с глубокими примесными центрами. Издательский дом ТГУ, Томск (2016). 256 с
- Н.Г. Филонов, И.В. Ивонин. Электрофизические свойства структур с барьером Шоттки на основе арсенида галлия. Изд. дом ТГУ, Томск (2018). 364 с
- Crystal Growth Technology / Eds H.J. Scheel, T. Fukuda. John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, UK (2003). 668 p
- Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП 39, 5, 587 (2005)
- П.А. Алексеев, М.С. Дунаевский, А.О. Михайлов, С.П. Лебедев, А.А. Лебедев, И.В. Илькив, А.И. Хребтов, А.Д. Буравлев, Г.Э. Цырлин. ФТП 52, 12, 1507 (2018)
- М.Г. Кржижановская, В.А. Фирсова, Р.С. Бубнова. Применение метода Ритвельда для решения задач порошковой дифрактометрии. Изд-во СПбГУ, СПб (2016). 68 с
- Tsubota M., Kitagawa J. Sci. Rep. 7, 1, 15381 (2017)
- G.S. Pawley. J. Appl. Cryst. 14, 6, 357 (1981)
- A. Le Bail. Powder Diffraction 20, 4, 316 (2005)
- Handbook on Big Data and Machine Learning in the Physical Sciences /Eds K.K. van Dam, K.G. Yager, S.I. Campbell, R. Farnsworth, M. van Dam. Advanced Analysis Solutions for Leading Experimental Techniques. World Scientific Publishing Co, N.J. (2020). V. 2. 1000 p
- International Tables for Crystallography / Eds C.J. Gilmore, J.A. Kaduk, H. Schenk. Wiley (2019). V. H: Powder Diffraction. 932 p
- A. Tlahuice-Flores. Phys. Chem. Chem. Phys. 17, 8, 5551 (2015)
- M. Suleiman, C. Borchers, M. Guerdane, N.M. Jisrawi, D. Fritsch, R. Kirchheim, A. Pundt. Z. Phys. Chem. 223, 1--2, 169 (2009)
- P. Andreazza, C. Mottet, C. Andreazza-Vignolle, J. Penuelas, H.C.N. Tolentino, M. De Santis, R. Felici, N. Bouet. PRB 82, 15, 155453 (2010)
- A. Leonardi, P. Scardi. Metal. Mater Trans. A 47, 12, 5722 (2016)
- S. Plimpton. J. Comp. Phys. 117, 1, 1 (1995)
- Sandia Corporation. LAMMPS User Manual. Sandia National Laboratories, Albuquerque, NM / Livermore, CA (2003)
- Б.Ф. Ормонт. Введение в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. Высш. шк., М. (1982). 528 с
- М.Е. Бойко, М.Д. Шарков, А.М. Бойко, А.В. Бобыль, С.Г. Конников, Н.С. Будкина. ЖТФ 85, 11, 1 (2015)
- W.H. Zachariasen. Theory of X-Ray Diffraction in Crystals. Dover Publications, NYC (1967). 256 p
- International Tables for Crystallography / Ed. E. Prince. Kluwer Academic Publishers, Dordrecht, Boston London (2004). V. C: Mathematical Physical and Chemical Tables. 1000 p
- И.В. Савельев. Курс общей физики. Т. 2. Электричество и магнетизм, волны, оптика. Наука, М. (1988). 496 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.