Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 4 » Статья стр. 577
<<<>>>
Электропроводность и интерфейсные явления в тонкопленочных гетероструктурах на основе ниобата лития и танталата лития
DOI: 10.21883/FTT.2023.04.55294.7
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.04.55996.7
Российский научный фонд, 22-29-01102
Гудков С.И. 1, Солнышкин А.В. 1, Жуков Р.Н. 2, Киселев Д.А. 2, Семенова Е.М. 1, Белов А.Н. 3
1Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
Email: becauseimaphysicist@yandex.ru, a.solnyshkin@mail.ru, rom_zhuk@mail.ru, dm.kiselev@misis.ru, semenova_e_m@mail.ru, nanointech@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 января 2023 г.
В окончательной редакции: 18 января 2023 г.
Принята к печати: 28 января 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.
PDF версия
Исследованы электрофизические свойства структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник - Cu/LiNbO3/Si и Ag/LiTaO3/Si - с толщиной сегнетоэлектрического слоя 200 nm. Нанесение сегнетоэлектрического слоя осуществлялось методом высокочастотного магнетронного распыления. Исследование топографии пленок показало зеренную структуру. Изучена электропроводность структур, определены механизмы, которыми можно описать электрическую проводимость исследуемых образцов. Для структур Cu/LiNbO3/Si это ток, ограниченный пространственным зарядом, прыжковая проводимость и эмиссия Шоттки; для структур Ag/LiTaO3/Si - ток, ограниченный пространственным зарядом, и прыжковая проводимость. Асимметричный вид вольт-амперных характеристик может указывать на наличие потенциального барьера на интерфейсах. Для изучаемых структур определена величина потенциального барьера. Ключевые слова: структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник, тонкие пленки, ниобат лития, танталат лития, электрофизические свойства, электропроводность, потенциальный барьер.
  1. V.Ya. Shur. Lithium niobate and lithium tantalate-based piezoelectric materials. In: Advanced Piezoelectric Materials / Ed. Kenji Uchino. Woodhead Publishing, Cambridge (2010). P. 204. https://doi.org/10.1533/9781845699758.1.204
  2. A. Bartasyte, S. Margueron, T. Baron, S. Oliveri, P. Boulet. Adv. Mater. Interfaces 4, 8, 1600998 (2017). https://doi.org/10.1002/admi.201600998
  3. А.В. Яценко, М.Н. Палатников, Н.В. Сидоров, А.С. Притуленко, С.В. Евдокимов. ФТТ 57, 5, 932 (2015). https://doi.org/10.21883/FTT.2019.07.47836.379
  4. A.R. Damodaran, J.C. Agar, S. Pandya, Z. Chen, L. Dedon, R. Xu, B. Apgar, S. Saremi, L.W. Martin. J. Phys.: Condens. Matter 28, 26, 263001 (2016). https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/26/263001
  5. M.P. Sumets, V.A. Dybov, V.M. Ievlev. Inorg. Mater. 53, 13, 1361 (2017). https://doi.org/10.1134/S0020168517130015
  6. V. Stenger, M. Shnider, S. Sriram, D. Dooley, M. Stout. Proc. SPIE 8261, Terahertz Technology and Applications V, 82610Q (2012). https://doi.org/10.1117/12.908523
  7. Z. Xi, J. Ruan, C. Li, C. Zheng, Z. Wen, J. Dai, A. Li, D. Wu. Nature Commun. 8, 1, 15217 (2017). https://doi.org/10.1038/ncomms15217
  8. С.И. Гудков, К.Д. Бакланова, М.В. Каменщиков, А.В. Солнышкин, А.Н. Белов. ФТТ 60, 4, 739 (2018). https://doi.org/10.21883/FTT.2018.04.45685.09D
  9. S.I. Gudkov, A.V. Solnyshkin, D.A. Kiselev, A.N. Belov. Cer\^amica 66, 379, 291 (2020). https://doi.org/10.1590/0366-69132020663792885
  10. B.L. Yang, P.T. Lai, H. Wong. Microelectron. Reliab. 44, 5, 709 (2004). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2004.01.013
  11. F.-C. Chiu. Adv. Mater. Sci. Eng. 2014, 578168 (2014). https://doi.org/10.1155/2014/578168
  12. V. Mikhelashvili, G. Eisenstein. J. Appl. Phys. 89, 6, 3256 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1349860
  13. E. Lim, R. Ismail. Electronics 4, 3, 586 (2015). https://doi.org/10.3390/electronics4030586
  14. V. Joshi, D. Roy, M.L. Mecartney. Integr. Ferroelectr. 6, 1-4, 321 (1995). https://doi.org/10.1080/10584589508019375
  15. N. Easwaran, C. Balasubramanian, S.A.K. Narayandass, D. Mangalaraj. Phys. Status Solidi A 129, 2, 443 (1992). https://doi.org/10.1002/pssa.2211290214
  16. F.-C. Chiu, H.-W. Chou, J.Y. Lee. J. Appl. Phys. 97, 10, 103503 (2005). https://doi.org/10.1063/1.1896435
  17. D.S. Smith, H.D. Riccius, R.P. Edwin. Opt. Commun. 17, 3, 332 (1976). https://doi.org/10.1016/0030-4018(76)90273-X
  18. D.F. Nelson, R.M. Mikulyak. J. Appl. Phys. 45, 8, 3688 (1974). https://doi.org/10.1063/1.1663839
  19. W. Brutting, S. Berleb, A.G. Muckl. Synth. Met. 122, 1, 99 (2001). https://doi.org/10.1016/S0379-6779(00)01342-4
  20. Y. Gu, L.J. Lauhon. Appl. Phys. Lett. 89, 14, 143102 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2358316
  21. V.G. Bozhkov, N.A. Torkhov, A.V. Shmargunov. J. Appl. Phys. 109, 7, 073714 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3561372
  22. V. Joshi, D. Roy, M.L. Mecartney. Appl. Phys. Lett. 63, 10, 1331 (1993). https://doi.org/10.1063/1.109721
  23. Э.Х. Родерик. Контакт металл-полупроводник / Под ред. Г.В. Степанова. Радио и связь, М. (1982). 208 с
  24. Z. Caldi ran, A.R. Deniz, S. Aydogan, A. Yesildag, D. Ekinci. Superlattices Microstruct. 56, 45 (2013). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2012.12.004
  25. B. Akkal, Z. Benamara, B. Gruzza, L. Bideux. Vacuum 57, 2, 219 (2000). https://doi.org/10.1016/S0042-207X(00)00131-7
  26. D.Y. Wang. J. Am. Ceram. Soc. 77, 4, 897 (1994). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1994.tb07245.x
  27. J. Yang, J. Long, L. Yang. Phys. B: Condens. Matter 425, 12 (2013). https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.05.017
  28. S.K. Cheung, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett. 49, 2, 85 (1986). https://doi.org/10.1063/1.97359
  29. P. Durmus, S. Altindal. Int. J. Mod. Phys. B 31, 27, 1750197 (2017). https://doi.org/10.1142/S0217979217501971
  30. A. Buyukbas-Ulusan, S. Alti ndal-Yeriskin, A. Tataroglu. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 29, 19, 16740 (2018). https://doi.org/10.1007/s10854-018-9767-8
  31. H. Norde. J. Appl. Phys. 50, 7, 5052 (1979). https://doi.org/10.1063/1.325607
  32. K.E. Bohlin. J. Appl. Phys. 60, 3, 1223 (1986). https://doi.org/10.1063/1.337372
  33. A.A. Esin, A.R. Akhmatkhanov, V.Ya. Shur. Ferroelectrics 496, 1, 102 (2016). https://doi.org/10.1080/00150193.2016.1157438
  34. A. El-Bachiri, F. Bennani, M. Bousselamti. Spectrosc. Lett. 47, 5, 374 (2014). https://doi.org/10.1080/00387010.2013.857356

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme