Электропроводность и интерфейсные явления в тонкопленочных гетероструктурах на основе ниобата лития и танталата лития
Российский научный фонд, 22-29-01102
Гудков С.И.
1, Солнышкин А.В.
1, Жуков Р.Н.
2, Киселев Д.А.
2, Семенова Е.М.
1, Белов А.Н.
31Тверской государственный университет, Тверь, Россия
2Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники", Москва, Зеленоград, Россия
Email: becauseimaphysicist@yandex.ru, a.solnyshkin@mail.ru, rom_zhuk@mail.ru, dm.kiselev@misis.ru, semenova_e_m@mail.ru, nanointech@mail.ru
Поступила в редакцию: 18 января 2023 г.
В окончательной редакции: 18 января 2023 г.
Принята к печати: 28 января 2023 г.
Выставление онлайн: 28 марта 2023 г.
Исследованы электрофизические свойства структур металл-сегнетоэлектрик-полупроводник - Cu/LiNbO3/Si и Ag/LiTaO3/Si - с толщиной сегнетоэлектрического слоя 200 nm. Нанесение сегнетоэлектрического слоя осуществлялось методом высокочастотного магнетронного распыления. Исследование топографии пленок показало зеренную структуру. Изучена электропроводность структур, определены механизмы, которыми можно описать электрическую проводимость исследуемых образцов. Для структур Cu/LiNbO3/Si это ток, ограниченный пространственным зарядом, прыжковая проводимость и эмиссия Шоттки; для структур Ag/LiTaO3/Si - ток, ограниченный пространственным зарядом, и прыжковая проводимость. Асимметричный вид вольт-амперных характеристик может указывать на наличие потенциального барьера на интерфейсах. Для изучаемых структур определена величина потенциального барьера. Ключевые слова: структуры металл-сегнетоэлектрик-полупроводник, тонкие пленки, ниобат лития, танталат лития, электрофизические свойства, электропроводность, потенциальный барьер.
- V.Ya. Shur. Lithium niobate and lithium tantalate-based piezoelectric materials. In: Advanced Piezoelectric Materials / Ed. Kenji Uchino. Woodhead Publishing, Cambridge (2010). P. 204. https://doi.org/10.1533/9781845699758.1.204
- A. Bartasyte, S. Margueron, T. Baron, S. Oliveri, P. Boulet. Adv. Mater. Interfaces 4, 8, 1600998 (2017). https://doi.org/10.1002/admi.201600998
- А.В. Яценко, М.Н. Палатников, Н.В. Сидоров, А.С. Притуленко, С.В. Евдокимов. ФТТ 57, 5, 932 (2015). https://doi.org/10.21883/FTT.2019.07.47836.379
- A.R. Damodaran, J.C. Agar, S. Pandya, Z. Chen, L. Dedon, R. Xu, B. Apgar, S. Saremi, L.W. Martin. J. Phys.: Condens. Matter 28, 26, 263001 (2016). https://doi.org/10.1088/0953-8984/28/26/263001
- M.P. Sumets, V.A. Dybov, V.M. Ievlev. Inorg. Mater. 53, 13, 1361 (2017). https://doi.org/10.1134/S0020168517130015
- V. Stenger, M. Shnider, S. Sriram, D. Dooley, M. Stout. Proc. SPIE 8261, Terahertz Technology and Applications V, 82610Q (2012). https://doi.org/10.1117/12.908523
- Z. Xi, J. Ruan, C. Li, C. Zheng, Z. Wen, J. Dai, A. Li, D. Wu. Nature Commun. 8, 1, 15217 (2017). https://doi.org/10.1038/ncomms15217
- С.И. Гудков, К.Д. Бакланова, М.В. Каменщиков, А.В. Солнышкин, А.Н. Белов. ФТТ 60, 4, 739 (2018). https://doi.org/10.21883/FTT.2018.04.45685.09D
- S.I. Gudkov, A.V. Solnyshkin, D.A. Kiselev, A.N. Belov. Cer\^amica 66, 379, 291 (2020). https://doi.org/10.1590/0366-69132020663792885
- B.L. Yang, P.T. Lai, H. Wong. Microelectron. Reliab. 44, 5, 709 (2004). https://doi.org/10.1016/j.microrel.2004.01.013
- F.-C. Chiu. Adv. Mater. Sci. Eng. 2014, 578168 (2014). https://doi.org/10.1155/2014/578168
- V. Mikhelashvili, G. Eisenstein. J. Appl. Phys. 89, 6, 3256 (2001). https://doi.org/10.1063/1.1349860
- E. Lim, R. Ismail. Electronics 4, 3, 586 (2015). https://doi.org/10.3390/electronics4030586
- V. Joshi, D. Roy, M.L. Mecartney. Integr. Ferroelectr. 6, 1-4, 321 (1995). https://doi.org/10.1080/10584589508019375
- N. Easwaran, C. Balasubramanian, S.A.K. Narayandass, D. Mangalaraj. Phys. Status Solidi A 129, 2, 443 (1992). https://doi.org/10.1002/pssa.2211290214
- F.-C. Chiu, H.-W. Chou, J.Y. Lee. J. Appl. Phys. 97, 10, 103503 (2005). https://doi.org/10.1063/1.1896435
- D.S. Smith, H.D. Riccius, R.P. Edwin. Opt. Commun. 17, 3, 332 (1976). https://doi.org/10.1016/0030-4018(76)90273-X
- D.F. Nelson, R.M. Mikulyak. J. Appl. Phys. 45, 8, 3688 (1974). https://doi.org/10.1063/1.1663839
- W. Brutting, S. Berleb, A.G. Muckl. Synth. Met. 122, 1, 99 (2001). https://doi.org/10.1016/S0379-6779(00)01342-4
- Y. Gu, L.J. Lauhon. Appl. Phys. Lett. 89, 14, 143102 (2006). https://doi.org/10.1063/1.2358316
- V.G. Bozhkov, N.A. Torkhov, A.V. Shmargunov. J. Appl. Phys. 109, 7, 073714 (2011). https://doi.org/10.1063/1.3561372
- V. Joshi, D. Roy, M.L. Mecartney. Appl. Phys. Lett. 63, 10, 1331 (1993). https://doi.org/10.1063/1.109721
- Э.Х. Родерик. Контакт металл-полупроводник / Под ред. Г.В. Степанова. Радио и связь, М. (1982). 208 с
- Z. Caldi ran, A.R. Deniz, S. Aydogan, A. Yesildag, D. Ekinci. Superlattices Microstruct. 56, 45 (2013). https://doi.org/10.1016/j.spmi.2012.12.004
- B. Akkal, Z. Benamara, B. Gruzza, L. Bideux. Vacuum 57, 2, 219 (2000). https://doi.org/10.1016/S0042-207X(00)00131-7
- D.Y. Wang. J. Am. Ceram. Soc. 77, 4, 897 (1994). https://doi.org/10.1111/j.1151-2916.1994.tb07245.x
- J. Yang, J. Long, L. Yang. Phys. B: Condens. Matter 425, 12 (2013). https://doi.org/10.1016/j.physb.2013.05.017
- S.K. Cheung, N.W. Cheung. Appl. Phys. Lett. 49, 2, 85 (1986). https://doi.org/10.1063/1.97359
- P. Durmus, S. Altindal. Int. J. Mod. Phys. B 31, 27, 1750197 (2017). https://doi.org/10.1142/S0217979217501971
- A. Buyukbas-Ulusan, S. Alti ndal-Yeriskin, A. Tataroglu. J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 29, 19, 16740 (2018). https://doi.org/10.1007/s10854-018-9767-8
- H. Norde. J. Appl. Phys. 50, 7, 5052 (1979). https://doi.org/10.1063/1.325607
- K.E. Bohlin. J. Appl. Phys. 60, 3, 1223 (1986). https://doi.org/10.1063/1.337372
- A.A. Esin, A.R. Akhmatkhanov, V.Ya. Shur. Ferroelectrics 496, 1, 102 (2016). https://doi.org/10.1080/00150193.2016.1157438
- A. El-Bachiri, F. Bennani, M. Bousselamti. Spectrosc. Lett. 47, 5, 374 (2014). https://doi.org/10.1080/00387010.2013.857356
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
