Модифицированные поверхности (100) полупроводников IV группы успешно используются в качестве подложек для выращивания пленок кристаллических оксидов, в частности, BaO. В этой связи важно понимать механизмы формирования и физико-химические свойства поверхностных атомных структур, образующихся на указанных подложках. В настоящей работе с помощью комплекса современных экспериментальных методов исследован обратимый фазовый переход c(4x4)↔(1x2) на поверхности Ba/Ge(100), обусловленный присутствием на ней атомов кислорода. Получены сведения о структурных и электронных свойствах указанных поверхностных реконструкций, а также предложены их атомные модели. Приведенные результаты важны, в частности, с точки зрения интеграции германия в используемые в настоящее время кремниевые технологии. Ключевые слова: поверхность, германий, адсорбированный слой, барий, кислород, фазовый переход, атомная структура, сканирующая туннельная микроскопия, фотоэлектронная спектроскопия с применением синхротронного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.