Вышедшие номера
Оптические и спиновые свойства вакансионных кремниевых центров, созданных облучением протонами в гетероструктуре карбида кремния 6H/15R
Переводная версия: 10.21883/PSS.2023.06.56112.74
РНФ, 22-12-00003
Елисеев И.А.1, Единач Е.В. 1, Казарова О.П.1, Смирнов А.Н. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Ilya.Eliseyev@mail.ioffe.ru, Elena.Edinach@mail.ioffe.ru, malvanick@rambler.ru, alex.smirnov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 апреля 2023 г.
В окончательной редакции: 28 апреля 2023 г.
Принята к печати: 30 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 31 мая 2023 г.

Исследованы оптически активные вакансионные кремниевые дефекты (VSi), обладающие электронным спином S=3/2 в гетероструктуре карбида кремния 6H-SiC/15R-SiC, выращенной методом высокотемпературной сублимации. Методами низкотемпературной микро-фотолюминесценции и электронного парамагнитного резонанса показана возможность создания посредством облучения протонами с энергией E=15 MeV пяти спектрально-различимых типов VSi центров в данном типе гетероструктуры. При этом каждый тип VSi центров характеризуется бесфононной линией люминесценции и определенной величиной расщепления спиновых подуровней в нулевом магнитном поле. Таким образом, нами реализована возможность масштабирования числа оптически активных спиновых центров, заключенных в единую кристаллическую матрицу. Ключевые слова: карбида кремния, гетероструктуры, фотолюминесценция, электронный парамагнитный резонанс, облучение протонами, спиновые центры.