Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2023, выпуск 10 » Статья стр. 1633
>>>
Генерация терагерцевого излучения в полупроводниках (О б з о р)
DOI: 10.61011/FTT.2023.10.56311.142
нет
Андрианов А.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alex.andrianov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 3 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.
PDF версия
Электромагнитное излучение терагерцевого (ТГц) частотного диапазона, занимающее область спектра между оптическим инфракрасным и микроволновым излучением, представляет интерес для многочисленных диагностических применений в различных областях науки и технологии. Для построения диагностических ТГц-систем требуются источники излучения различного типа. В настоящем обзоре рассматриваются методы генерации ТГц-излучения в полупроводниках и полупроводниковых структурах, основанные на квантовых оптических переходах между различными уровнями энергии в системе, а также и не связанные непосредственно с квантовыми переходами методы генерации, которые можно отнести к классическим. Ключевые слова: оптические переходы, лазеры, светодиоды, ультракороткие оптические импульсы, быстрый дипольный момент, быстрый фототок.
  1. B. Ferguson, X.-C. Zhang. Nature Mater. 1, 1, 26 (2002)
  2. P.H. Siegel. IEEE Trans. Microwave Theor. Technques 50, 3, 910 (2002)
  3. M. Hangyo. Jpn J. Appl. Phys. 54, 12, 120101 (2015)
  4. Terahertz Spectroscopy and Imaging / Eds K.-E. Peiponen, J.A. Zeitler, M. Kuwata-Gonokami. Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg (2013). 641 p
  5. Terahertz Optoelectronics / Ed. K. Sakai. Springer-Verlag, Berlin (2005). 387 p
  6. F. Sizov. Semicond. Sci. Technol. 33, 12, 123001 (2018)
  7. S.R. Kasjoo, M.B. Mohd Mokhar, N.F. Zakaria, N.J. Juhari. AIP Conf. Proceed. 2203, 1, 020020 (2020)
  8. J. Faist, F. Capasso, D.L. Sivco, C. Sirtori, A.L. Hutchinson, A.Y. Cho. Sci. 264, 5158, 553 (1994)
  9. R. Kohler, A. Tredicucci, F. Beltram, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, D.A. Ritchie, R.C. Iotti, F. Rossi. Nature 417, 6885, 156 (2002)
  10. Р.Ф. Казаринов, С.А. Сурис. ФТП 5, 1, 797 (1971). [R.F. Kazarinov, R.A. Suris. Sov. Phys. Semicond. 5, 1, 707 (1971)]
  11. L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev. 14, 1, 61 (1970)
  12. F. Capasso, C. Gmachl, R. Paiella, A. Tredicucci, A.L. Hutchinson, D.L. Sivco, J.N. Baillargeron, A.Y. Cho, H.C. Liu. IEEE J. Select. Top. Quant. Electron. 6, 6, 931 (2000)
  13. A.Y. Cho. Molecular beam epitaxy. AIP, N.Y. (1994). 310 p
  14. F. Capasso, A.Y. Cho. Surf. Sci. 299--300, 878 (1994)
  15. F. Capasso, K. Mohammed, A.Y. Cho. Appl. Phys. Lett. 48, 7, 478 (1986)
  16. F. Capasso, J. Faist, C. Sirtori. J. Math. Phys. 37, 10, 4775 (1996)
  17. B.S. Williams. Nature Photonics 1, 9, 517 (2007)
  18. M.A. Belkin, F. Capasso. Physica Scripta 90, 11, 118002 (2015)
  19. B. Wen, D. Ban. Progress. Quant. Electron. 80, 100363 (2021)
  20. L. Sirigu, A. Rudra, E. Kapon, M.I. Amanti, G. Scalari, J. Faist. Appl. Phys. Lett. 92, 18, 181111 (2008)
  21. M.I. Amanti, G. Scalari, R. Terazzi, M. Fischer, M. Beck, J. Faist, A. Rudra, P. Gallo, E. Kapon. New J. Phys. 11, 12, 125022 (2009)
  22. K. Fujita, M. Yamanishi, S. Furuta, K. Tanaka, T. Edamura, T. Kubis, G. Klimeck. Opt. Express 20, 18, 20647 (2012)
  23. Т.А. Багаев, М.А. Ладугин, А.А. Мармалюк, А.И. Данилов, Д.В. Ушаков, А.А. Афоненко, А.А. Зайцев, К.В. Маремьянин, С.В. Морозов, В.И. Гавриленко, Р.Р. Галиев, А.Ю. Павлов, С.С. Пушкарев, Д.С. Пономарев, Р.А. Хабибуллин. Письма в ЖТФ 48, 10, 16 (2022). [T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.I. Danilov, D.V. Ushakov, A.A. Afonenko, A.A. Zaytsev, K.V. Maremyanin, S.V. Morozov, V.I. Gavrilenko, R.R. Galiev, A.Yu. Pavlov, S.S. Pushkarev, D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin. Tech. Phys. Lett. 122, 5, 45 (2022).]
  24. C.A. Curwen, J.L. Reno, B.S. Williams. Nature Photon. 13, 12, 855 (2019)
  25. Y. Jin, J.L. Reno, S. Kumar. Optica 7, 6, 708 (2020)
  26. C. Sirtori, S. Barbieri, R. Colombelli. Nature Photon. 7, 9, 691 (2013)
  27. A. Khalatpour, A.K. Paulsen, C. Deimert, Z.R. Wasilewski, Q. Hu. Nature Photon. 15, 1, 16 (2021)
  28. A. Khalatpour, Man Chun Tam, S.J. Addamane, J. Reno, Z. Wasilewski, Q. Hu. Appl. Phys. Lett. 122, 16, 161101 (2023)
  29. G. Scalari, L. Ajili, J. Faist, H. Beere, E. Linfield, D. Ritchie, G. Davies. Appl. Phys. Lett. 82, 19, 3165 (2003)
  30. B.S. Williams, H. Callebaut, S. Kumar, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett. 82, 7, 1015 (2003)
  31. E. Dupont, S. Fathololoumi, Z. Wasilewski, G. Aers, S. Laframboise, M. Lindskog, S. Razavipour, A. Wacker, D. Ban, H.C. Liu. J. Appl. Phys. 111, 7, 073111 (2012)
  32. D.V. Ushakov, A.A. Afonenko, A.A. Dubinov, V.I. Gavrilenko, I.S. Vasil'evskii, N.V. Shchavruk, D.S. Ponomarev, R.A. Khabibullin. Quant. Electron. 48, 11, 1005 (2018)
  33. B.S. Williams, S. Kumar, H. Callebaut, Q. Hu, J.L. Reno. Appl. Phys. Lett. 83, 11, 2124 (2003)
  34. Р.А. Хабибуллин, Н.В. Щаврук, А.Ю. Павлов, Д.С. Пономарев, К.Н. Томош, Р.Р. Галиев, П.П. Мальцев, А.Е. Жуков, Г.Э. Цырлин, Ф.И. Зубов, Ж.И. Алфёров. ФТП 50, 10, 1395 (2016). [R.A. Khabibullin, N.V. Shchavruk, A.Yu. Pavlov, D.S. Ponomarev, K.N. Tomosh, R.R. Galiev, P.P. Maltsev, A.E. Zhukov, G.E. Cirlin, F.I. Zubov, Zh.I. Alferov . Semiconductors 50, 10, 1377 (2016). ]
  35. T. Grange, D. Stark, G. Scalari, J. Faist, L. Persichetti, L. Di Gaspare, M. De Seta, M. Ortolani, D.J. Paul, G. Capellini, S. Birner, M. Virgilio. Appl. Phys. Lett. 114, 11, 111102 (2019)
  36. M.I. Amanti, G. Scalari, R. Terazzi, M. Fischer, M. Beck, J. Faist, A. Rudra, P. Gallo, E. Kapon. New J. Phys. 11, 12, 125022 (2019)
  37. S.A. Lynch, R. Bates, D.J. Paul, D.J. Norris, A.G. Cullis, Z. Ikonic, R.W. Kelsall, P. Harrison, D.D. Arnone, C.R. Pidgeon. Appl. Phys. Lett. 81, 9, 1543 (2002)
  38. D. Stark, M. Mirza, L. Persichetti, M. Montanari, S. Markmann, M. Beck, T. Grange, S. Birner, M. Virgilio, C. Ciano, M. Ortolani, C. Corley, G. Capellini, L. Di Gaspare, M. De Seta, D.J. Paul, J. Faist, G. Scalari. App. Phys. Lett. 118, 10, 101101 (2021)
  39. C. Deutsch, M. Krall, M. Brandstetter, H. Detz, A.M. Andrews, P. Klang, W. Schrenk, G. Strasser, K. Unterrainer. Appl. Phys. Lett. 101, 21, 211117 (2012)
  40. K. Ohtani, M. Beck, G. Scalari, J. Faist. Appl. Phys. Lett. 103, 4, 041103 (2013)
  41. M. Fischer, G. Scalari, C. Walther, J. Faist. J. Cryst. Growth 311, 7, 1939 (2009)
  42. H. Hirayama, W. Terashima, T.-T. Lin, M. Sasaki. Proc. SPIE 9382, 938217 (2015)
  43. Z. Loghmari, M. Bahriz, A. Meguekam, R. Teissier, A.N. Baranov. Electron. Lett. 55, 3, 144 (2019)
  44. Z. Loghmari, M. Bahriz, A. Meguekam, H. Nguyen Van, R. Teissier, A.N. Baranov. Appl. Phys. Lett. 115, 15, 151101 (2019)
  45. M.A. Belkin, F. Copasso, A. Belyanin, D.L. Sivco, A.Y. Cho, D.C. Oakley, C.J. Vineis, G.W. Turner. Nature Photon. 1, 5, 288 (2007)
  46. M. Razeghi, Q.Y. Lu, N. Bandyopadhyay, W. Zhou, D. Heydari, Y. Bai, S. Slivken. Opt. Express 23, 7, 8462 (2015)
  47. S.H. Koenig, R.D. Brown. Phys. Rev. Lett. 4, 4, 170 (1960)
  48. I. Melngailis, G.E. Stillman, J.O. Dimmock, C.M. Wolf. Phys. Rev. Lett. 23, 19, 1111 (1969)
  49. T.V. Adam, R.T. Troeger, S.K. Ray, P.-C. Lv, J. Kolodzey. Appl. Phys. Lett. 83, 9, 1713 (2003)
  50. P.-C. Lv, R.T. Troeger, S. Kim, S.K. Ray, K.W. Goossen, J. Kolodzey, I.N. Yassievich, M.A. Odnoblyudov, M.S. Kagan. Appl. Phys. Lett. 85, 17, 3660 (2004)
  51. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма в ЖЭТФ 79, 8, 448 (2004). [A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, I.N. Yassievich, N.N. Zinov'ev. JETP Lett. 79, 8, 365 (2004)]
  52. P.C. Lv, X. Zang, J. Kolodzey, A. Powell. Appl. Phys. Lett. 87, 24, 241114 (2005)
  53. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, И.Н. Яссиевич, Н.Н. Зиновьев. Письма в ЖЭТФ 83, 8, 410 (2006). [A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, I.N. Yassievich, N.N. Zinov'ev. JETP Lett. 83, 8, 351 (2006)]
  54. G. Xuan, S. Kim, M. Coppinger, N. Sustersic, J. Kolodzey, P.-C. Lv. Appl. Phys, Lett. 91, 6, 061109 (2007)
  55. И.В. Алтухов, М.С. Каган, В.П. Синис. Письма в ЖЭТФ 47, 3, 136 (1988). [I.V. Altukhov, M.S. Kagan, V.P. Sinis. JETP Lett. 47, 3, 164 (1988)]
  56. I.V. Altukhov, M.S. Kagan, V.P. Sinis. Opt. Quant. Electr. 23, 2, S211 (1991)
  57. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, В.П. Синис. Письма в ЖЭТФ 59, 7, 455 (1994). [I.V. Altukhov, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis. JETP Lett. 59, 7, 476 (1994)]
  58. И.В. Алтухов, М.С. Каган, К.А. Королев, М.А. Одноблюдов, В.П. Синис, Е.Г. Чиркова, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ 115, 1, 89 (1999). [I.V. Altukhov, M.S. Kagan, K.A. Korolev, V.P. Sinis, E.G. Chirkova, M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich. JETP 88, 1, 51 (1999)]
  59. M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, M.S. Kagan, Yu.M. Galperin, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett. 83, 3, 644 (1999)
  60. Yu.P. Gousev, I.V. Altukhov, K.A. Korolev, V.P. Sinis, M.S. Kagan, E.E. Haller, M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich, K-A. Chao. Appl. Phys. Lett. 75, 6, 757 (1999)
  61. M.S. Kagan, I.V. Altukhov, V.P. Sinis, S.G. Tomas, K.L. Wang, K.A. Chao, I.N. Yassievich. Thin Solid Films 380, 1-2, 237 (2000)
  62. I.V. Altukhov, E.G. Chirkova, V.P. Sinis, M.S. Kagan, Yu.P. Gousev, S.G. Thomas, K.L. Wang, M.A. Odnoblyudov, I.N. Yassievich. Appl. Phys. Lett. 79, 24, 3909 (2001)
  63. S.G. Pavlov, R.Kh. Zhukavin, E.E. Orlova, V.N. Shastin, A.V. Kirsanov, H.-W. Hubers, K. Auen, H. Riemann. Phys. Rev. Lett. 84, 22, 5220 (2000)
  64. C. Jagannath, Z.W. Grabowski, A.K. Ramdas. Phys. Rev. B 23, 5, 2082 (1981)
  65. S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, E.E. Orlova, R.Kh. Zhukavin, H. Riemann, H. Nakata, V.N. Shastin. Phys. Status Solidi B 235, 1, 126 (2003)
  66. H.-W. Hubers, S.G. Pavlov, H. Riemann, N.V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Appl. Phys. Lett. 84, 18, 3600 (2004)
  67. J.N. Hovenier, T.O. Klaassen, R.Kh. Zhukavin, D.M. Gaponova, A.V. Muravijov, E.E. Orlova, V.N Shastin, S.G. Pavlov, H.-W. Hubers, H. Riemann, A.F.G. van der Meer. Proceed. Symp. IEEE/LEOS, Benelux Chapter, Amsterdam (2002). P. 167--170
  68. И.О. Даваришвили, Л.М. Долгинов, П.Г. Елисеев, И.И. Засавицкий, А.П. Шотов. Квантовая электрон. 4, 904 (1977)
  69. И.И. Засавицкий, А.В. Матвеенко, Б.Н. Мацонашвили, В.Г. Трофимов. ФТП 20, 1, 214 (1986)
  70. Л.Н. Курбатов, А.Д. Бритов, C.M. Караваев, С.Д. Сиваченко, С.Н. Максимовский, И.И. Овчинников, М.М. Рзаев, П.М. Старик. Письма в ЖЭТФ 37, 9, 422 (1983). [L.N. Kurbatov, A.D. Britov, S.M. Karavaev, S.D. Sivachenko, S.N. Maksimovskii, I.I. Ovchinnikov, M.M. Rzaev, P.M. Starik. JETP Lett. 37, 9, 499 (1983)]
  71. К.В. Маремьянин, А.В. Иконников, Л.С. Бовкун, В.В. Румянцев, Е.Г. Чижевский, И.И. Засавицкий, В.И. Гавриленко. ФТП 52, 12, 1486 (2018). [K.V. Maremyanin, A.V. Ikonnikov, L.S. Bovkun, V.V. Rumyantsev, E.G. Chizhevskii, I.I. Zasavitskii, V.I. Gavrilenko. Semicond. 52, 12, 1590 (2018)]
  72. C. Weisbuch, B. Vinter. Quantum Semiconductor Structures. Academ. Press Inc, N.Y. (1991). 252 p
  73. J. Dimmock, I. Melngailis, A. Strauss. Phys. Rev. Lett. 16, 26, 1193 (1966)
  74. C.D. Maxey, I.G. Gate, J.B. Clegg, P.A.C. Whiffin. Semicond. Sci. Technlol. 8, 1S, S183 (1993)
  75. M. Zandian, J.M. Arias, R. Zucca, R.V. Gil, S.H. Shin. Appl. Phys. Lett. 59, 9, 1022 (1991)
  76. J.M. Arrias, M. Zandian, R. Zucca, J. Singh. Semicond. Sci. Technol. 8, 1S, S255 (1993)
  77. B.A. Bernevig, T.L. Huges, S.C. Zhang. Sci. 314, 5806, 1757 (2006)
  78. M. Konig, H. Buhmann, L.W. Molenkamp, T.L. Higes, C.-X. Liu, X.L. Qi, S.C. Zhang. Sci. 318, 5851, 766 (2007)
  79. С.В. Морозов. Дисс. д.ф.-м.н. ИФМ РАН, Нижний Новгород (2022)
  80. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.A. Fadeev, M.S. Zholudev, K.E. Kudryavtsev, A.V. Antonov, A.M. Kadykov, A.A. Dubinov, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko. Appl. Phys. Lett. 111, 19, 192101 (2017)
  81. S.V. Morozov, V.V. Rumyantsev, M.S. Zholudev, A.A. Dubinov, V.Ya. Aleshkin, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, K.E. Kudryavtsev, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretskii, V.I. Gavrilenko, F. Teppe. ACS Photon. 8, 12, 3526 (2021)
  82. V.V. Rumyantsev, A.A. Dubinov, V.V. Utochkin, M.A. Fadeev, V.Ya. Aleshkin, A.A. Razova, N.N. Mikhailov, S.A. Dvoretsky, V.I. Gavrilenko, S.V. Morozov. Appl. Phys. Lett. 121, 18, 182103 (2022)
  83. G. Alymov, V. Rumyantsev, S. Morozov, V. Gavrilenko, V. Aleshkin, D. Svintsov. ACS Photon. 7, 1, 98 (2020)
  84. А.А. Андронов, В.А. Козлов, Л.С. Мазов, В.Н. Шастин. Письма в ЖЭТФ 30, 9, 585 (1979). [A.A. Andronov, V.A. Kozlov, L.S. Mazov, V.N. Shastin. JETP Lett. 30, 9, 551 (1979)]
  85. Ю.Л. Иванов. Письма в ЖЭТФ 34, 10, 539 (1981). [Yu.L. Ivanov. JETP Lett. 34, 10, 515 (1981)]
  86. Л.Е. Воробьев, Ф.И. Осокин, В.И. Стафеев, В.Н. Тулупенко. Письма в ЖЭТФ 35, 9, 360 (1982). [L.E. Vorob'ev, F.I. Osokin, V.I. Stafeev, V.N. Tulupenko. JETP Lett. 35, 9, 440 (1982)]
  87. Ю.Л. Иванов, Ю.Б. Васильев. Письма в ЖТФ 9, 10, 613 (1983)
  88. А.А. Андронов, И.В. Зверев, В.А. Козлов, Ю.Н. Ноздрин, С.А. Павлов, В.Н. Шастин. Письма в ЖЭТФ 40, 2, 69 (1984). [A.A. Andronov, I.V. Zverev, V.A. Kozlov, Yu.N. Nozdrin, S.A. Pavlov, V.N. Shastin. JETP Lett. 40, 2, 804 (1984)]
  89. S. Komiyama, N. Iizuka, Y. Akasaka. Appl. Phys. Lett. 47, 9, 958 (1985)
  90. А.А. Андронов. ФТП 21, 3, 1153 (1987)
  91. Opt. Quantum Electron. / Eds E. Gornik, A.A. Andronov. Special Issue 23, S111 (1991)
  92. J.N. Hovenier, M.C. Diez, T.O. Klaassen, W.T. Wenckebach, A.V. Muravjov, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. IEEE Trans. Microwave Theory. Techn. 48, 4 Part 2, 670 (2000)
  93. F. Keilmann, V.N. Shastin, R. Till. Appl. Phys. Lett. 58, 20, 2205 (1991)
  94. E. Brundermann, H.P. Roser, A.V. Muravjov, S.G. Pavlov, V.N. Shastin. Infrared Phys. Technol. 36, 1, 59 (1995)
  95. E. Brundermann, A.M. Linhart, L. Reichertz, H.P. Roser, O.D. Dubon, W.L. Hansen, G. Simain, E.E. Haller. Appl. Phys. Lett. 68, 22, 3075 (1996)
  96. А.В. Андрианов, АО. Захарьин, Ю.Л. Иванов, М.С. Кипа. Письма в ЖЭТФ 91, 2, 102 (2010). [A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, Yu.L. Ivanov, M.S. Kipa. JETP Lett. 91, 2, 96 (2010)]
  97. A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.Yu. Egorov, N.N. Zinov'ev. Appl. Phys. Lett. 96, 21, 211118 (2010)
  98. А.О. Захарьин, А.В. Бобылев, А.В. Андрианов. ФТП 46, 9, 1158 (2012). [A.O. Zakhar'in, A.V. Bobylev, A.V. Andrianov. Semicond. 46, 9, 1135 (2012)]
  99. Y. Oyama, H. Dezaki, Y. Shimizu, K. Maeda. Appl. Phys. Lett. 106, 2, 022109 (2015)
  100. H. Dezaki, M.L. Jing, S. Balasekaran, T. Tanabe, Y. Oyama. Key Eng. Mater. 500, 66 (2012).
  101. А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, Р.Х. Жукавин, В.Н. Шастин, Н.В. Абросимов, А.В. Бобылев. Письма в ЖЭТФ 100, 12, 876 (2014). [A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin, N.V. Abrosimov, A.V. Bobylev. JETP Lett. 100, 12, 771 (2014)]
  102. Д.А. Фирсов, Л.Е. Воробьев, В.Ю. Паневин, А.Н. Софронов, Р.М. Балагула, И.С. Махов, Д.В. Козлов, А.П. Васильев. ФТП 49, 1, 30 (2015). [D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, V.Yu. Panevin, A.N. Sofronov, R.M. Balagula, I.S. Makhov, D.V. Kozlov, A.P. Vasil'ev. Semicond. 49, 1, 28 (2015)]
  103. I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, A.P. Vasil'ev, N.A. Maleev. J. Lumin. 210, 352 (2019)
  104. I.S. Makhov, V.Yu. Panevin, D.A. Firsov, L.E. Vorobjev, G.V. Klimko. J. Appl. Phys. 126, 17, 175702 (2019)
  105. E.W. Williams, H.B. Bebb. In: Semiconductors and Semimetals. V. 8 / Eds R.K. Willardson, A.C. Beer. Academ. Press, N.Y., London (1972). P. 321
  106. A.A. Berg, P.J. Dean. Light-Emitting Diodes. Clarendon Press, Oxford (1976). 591 p
  107. A.O. Zakhar'in, A.V. Andrianov, A.G. Petrov, N.V. Abrosimov, R.Kh. Zhukavin, V.N. Shastin. Mater. Sci. Eng. B 286, 115979 (2022)
  108. A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in. Phys. Status Solidi B 256, 6, 1800496 (2019)
  109. A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, A.G. Petrov. Mater. Sci. Eng. B 263, 114892 (2021)
  110. A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in. Appl. Phys. Lett. 112, 4, 041101 (2018)
  111. A.V. Andrianov, J.P. Gupta, J. Kolodzey, V.I. Sankin, A.O. Zakhar'in, Yu.B. Vasil'ev. Appl. Phys. Lett. 103, 22, 221101 (2013)
  112. P.G. Glasow, G. Ziegler, W. Suttrop, G. Pensl, R. Helbig. Proceed. SPIE 866, 40 (1988)
  113. G. Ivanov, B. Magnusson, E. Janzen. Phys. Rev. B 67, 16, 165212 (2003)
  114. W. Gotz, A. Schoner, G. Pens1, W. Suttrop, W.J. Choyke. J. Appl. Phys. 73, 7, 3332 (1993)
  115. Q. Chen, J. Zeman, F. Engelbrecht, C. Peppemuller, R. Helbig, J.H. Chen, G. Martinez. J. Appl. Phys. 87, 8, 3800 (2000)
  116. C.Q. Chen, R. Helbig, F. Engelbrecht, J. Zeman. Appl. Phys. A 72, 6, 717 (2001)
  117. S.R. Smith, A.O. Evwaraye, W.C. Mitchel, M.A. Capano. J. Electron. Mater. 28, 3, 190 (1999)
  118. А.О. Захарьин, Ю.Б. Васильев, Н.А. Соболев, В.В. Забродский, С.В. Егоров, А.В. Андрианов. ФТП 51, 5, 632 (2017). [A.O. Zakhar'in, Yu.B. Vasilyev, N.A. Sobolev, V.V. Zabrodskii, S.V. Egorov, A.V. Andrianov. Semicond. 51, 5, 604 (2017)]
  119. В.Н. Абакумов, П.И. Перель, И.Н. Яссиевич. ЖЭТФ 78, 3, 1240 (1980). [V.N. Abakumov, P.I. Perel', I.N. Yassievich. JETP 51, 3, 626 (1980)]
  120. T. Timusk, H. Navarro, N.O. Lipari, M. Altarelli. Solid State Commun. 25, 4, 217 (1978)
  121. N.O. Lipari, A. Baldereschi. Phys. Rev. B 3, 8, 2497 (1971)
  122. T.M. Rice, J.C. Hensel, T.G. Phillips, G.A. Thomas. The Electron--Hole Liquid in Semiconductors. Academ. Press Inc., N.Y. (1977). 349 p
  123. А.О. Захарьин, А.В. Андрианов, А.Г. Петров. Письма в ЖЭТФ 109, 12, 821 (2019). [A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, A.G. Petrov. JETP Lett. 109, 12, 781 (2019)]
  124. M. Kira, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett. 93, 7, 076402 (2004)
  125. G.K. Vlasov, S.G. Kalenkov. Int. J. Infrared Millimeter Waves 4, 6, 955 (1983)
  126. R. Huber, B.A. Schmid, Y.R. Shen, D.S. Chemla, R.A. Kaindl. Phys. Rev. Lett. 96, 1, 017402 (2006)
  127. П.И. Хаджи, И.В. Белоусов, А.В. Коровай, Д.А. Марков. Письма в ЖТФ 38, 6, 15 (2012). [P.I. Khadzhi, I.V. Belousov, A.V. Korovai, D.A. Markov. Tech. Phys. Lett. 38, 6, 261 (2012).]
  128. R.G. Carter. Electromagnetic Waves: Microwave Components and Devices. Chapman \& Hall, London (1990). 331 p
  129. R.M. Weikle, T.W. Crowe, E.L. Kollberg. Int. J. Hi. Speed Electron. Syst. 13, 2, 429 (2003)
  130. В.А. Анфертьев, В.Л. Вакс, И.В. Пентин, Г.Н. Гольцман, С.В. Селиверстов, М.И. Финкель, С.А. Рябчун, И.В. Третьяков. Радиофизика. Вестн. Нижегородского ун-та им. Н.И. Лобачевского. Ч. 1. 2, 126 (2014)
  131. Д.Г. Павельев, Н.В. Демарина, Ю.И. Кошуринов, А.П. Васильев, Е.С. Семенова, А.Е. Жуков, В.М. Устинов. ФТП 38, 9, 1141 (2004). [D.G. Pavel'ev, N.V. Demarina, Yu.I. Koshurinov, A P. Vasil'ev, E.S. Semenova, A.E. Zhukov, V.M. Ustinov. Semicond. 38, 9, 1105 (2004)]
  132. Д.Г. Павельев, Ю.И. Кошуринов, А.С. Иванов, А.Н. Панин, В.Л. Вакс, В.И. Гавриленко, А.В. Антонов, В.М. Устинов, А.Е. Жуков. ФТП 46, 1, 125 (2012). [D.G. Paveliev, Y.I. Koshurinov, A.S. Ivanov, A.N. Panin, V.L. Vax, V.I. Gavrilenko, A.V. Antonov, V.M. Ustinov, A.E. Zhukov. Semicond. 46, 1, 121 (2012)]
  133. R. Sekiguchi, Y. Koyama, T. Quchi. Appl. Phys. Lett. 96, 6, 062115 (2010)
  134. M. Asada, S. Suzuki. Sensors 21, 4, 1384 (2021)
  135. T. Maekawa, H. Kayama, S. Suzuki, M. Asada. Appl. Phys. Express 9, 2, 024101 (2016)
  136. R. Isumi, S. Suzuki, M. Asada. Proc. of 42nd Int. Conf. IR, MM, THz waves. Cancun, Mexico, 27 August--1 September (2017). Contribution No. MA3.1
  137. M. Asada, S. Suzuki, T. Fukuma. AIP Adv. 7, 11, 115226 (2017)
  138. K. Karashima, R. Yokoyama, M. Shiraishi, S. Suzuki, A. Aoki, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys. 49, 2R, 020208 (2010)
  139. K. Ogino, S. Suzuki, M. Asada. J. Infrared Millim. Terahertz Waves 38, 12, 1477 (2017)
  140. S. Kitagawa, K. Ogino, S. Suzuki, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys. 56, 4, 040301 (2017)
  141. M. Bezhko, S. Suzuki, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys. 59, 3, 032004 (2020)
  142. S. Kitagawa, S. Suzuki, M. Asada. Electron. Lett. 52, 479 (2016)
  143. S. Kitagawa, M. Muzuno, S. Saito, K. Ogino, S. Suzuki, M. Asada. Jpn. J. Appl. Phys. 56, 5, 058002 (2017)
  144. S. Kasagi, S. Suzuki, M. Asada. J. Appl. Phys. 125, 15, 151601 (2019)
  145. S. Suzuki, M. Shiraishi, H. Shibayama, M. Asada. IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 19, 1, 8500108 (2013)
  146. K. Miyamoto, A. Yamaguchi, T. Mukai. Jpn. J. Appl. Phys. 55, 3, 032201 (2016)
  147. K. Okamoto, K. Tsurida, S. Diebold, S. Hisatake, M. Fujita, T. Nagatsuma. J. Infrared Millim. Terahertz Waves 38, 9, 1085 (2017)
  148. N. Oshima, K. Hashimoto, S. Suzuki, M. Asada. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 7, 5, 593 (2017)
  149. V. Radisic, X.B. Mei, W.R. Deal, W. Yoshida, P.H. Liu, J. Ueda, M. Barsky, L. Samoska, A. Fug, T. Gaier, R. Lai. IEEE Microwave. Wireless Comp. Lett. 17, 3, 223 (2007)
  150. Y.M. Tousi, O. Momeni, E. Afshari. IEEE J. Solid State Circuits 47, 12, 3032 (2012)
  151. U.R. Pfeiffer, Y. Zao, J. Grzyb, R.A. Hadi, N. Sarmah, W. Forster, H. Rucker, B. Heinemann. IEEE J. Solid State Circuits 49, 12, 2938 (2014)
  152. Z. Hu, M. Mehmet, R. Han. IEEE J. Solid State Circuits 53, 5, 1313 (2018)
  153. R.L. Schmid, A.C. Ulusoy, S. Zeinolabedinzadeh, J.D. Cressler. IEEE Trans. Electron Devices 62, 6, 1803 (2015)
  154. M. Urteaga, R. Pierson, P. Rowell, V. Jain, E. Lobisser, M.J.W. Rodwell. Proc. 69th Annu. Device Res. Conf. Santa Barbara, CA, USA (2011). P. 281--282
  155. M. Seo, M. Urteaga, J. Hacker, A. Young, Z. Griffith, V. Jain, R. Pierson, P. Rowell, A. Skalare, A. Peralta, R. Liu, D. Pukala, M. Rodwell. IEEE J. Solid State Circuits 46, 10, 2203 (2011)
  156. M. Urteaga, Z. Griffith, M. Seo, J. Hacker, M.J.W. Rodwell. Proc. IEEE 105, 6, 1051 (2017)
  157. У.А. Абдуллин, Г.А. Ляхов, О.В. Руденко, А.С. Чиркин. ЖЭТФ 66, 4, 1295 (1974). [U.A. Abdullin, G.A. Lyakhov, O.V. Rudenko, A.S. Chirkin. JETP 39, 4, 633 (1974)]
  158. D.H. Auston, K.P. Cheung, J.A. Valdmanis, D.A. Kleinman. Phys. Rev. Lett. 53, 16, 1555 (1984)
  159. D.H. Auston, K.P. Cheung, P.R. Smith. Appl. Phys. Lett. 45, 3, 284 (1984)
  160. V.L. Malevich, P.A. Ziaziukia, R. Norkus, V. Pacebutas, I. Nevinskas, A. Krotkus. Sensors 21, 12, 4067 (2021)
  161. Y.-S. Lee. Principles of Terahertz Science and Technology. Springer Science + Business Media LLC (2009). 340 p
  162. A.V. Andrianov, A.N. Aleshin, V.N. Truhin, A.V. Bobylev. J. Phys. D 44, 26, 265101 (2011)
  163. T.-I. Jeon, D. Grischkowsky, A.K. Mukherjee, R. Menon. Appl. Phys. Lett. 77, 16, 2452 (2000)
  164. J. Neu, C.A. Schmuttenmaer. J. Appl. Phys. 124, 23, 231101 (2018)
  165. Z. Liliental-Weber, H.J. Cheng, S. Gupta, J. Whitaker, K. Nichols, F.W. Smith. J. Electron. Mater. 22, 12, 1465 (1993)
  166. E. Isgandarov, X. Ropagnol, M. Singh, T. Ozaki. Front. Optoelectron. 14, 1, 64 (2021)
  167. M. Tani, S. Matsuura, S. Sakai, S.-I. Nakashima. Appl. Opt. 36, 30, 7853 (1997)
  168. M. Tani, Y. Hiroda, C. Que, S. Tanaka, R. Hittori, M. Yamaguchi, S. Nishizawa. J. Infrared Millim. Terahertz Waves 27, 4, 531 (2006)
  169. Y. Cai, I. Brener, J. Lopata, J. Wynn, L. Pfeiffer, J. Federici. Appl. Phys. Lett. 71, 15, 2076 (1997)
  170. F. Miyamaru, Y. Saito, K. Yamamoto, T. Furuya, S. Nishizawa, M. Tani. Appl. Phys. Lett. 96, 21, 211104 (2010)
  171. M.V. Exter, D. Grischkowsky. IEEE Trans. Microwave Tech. 38, 11, 1684 (1990)
  172. S.E. Ralph, D. Grischkowsky. Appl. Phys. Lett. 60, 9, 1070 (1992)
  173. Y.C. Shen, P.C. Upadhya, H.E. Beere, E.H. Linfield, A.G. Davies, I.S. Gregory, C. Baker, W.R. Tribe, M.J. Evans. Appl. Phys. Lett. 85, 2, 164 (2004)
  174. R.B. Kohlhaas, S. Breuer, L. Liebermeister, S. Nellen, M. Deumer, M. Schell, M.P. Semtsiv, W.T. Masselink, B. Globisch. Appl. Phys. Lett. 117, 13, 131105 (2020)
  175. J.T. Darrow, X.-C. Zhang, D.H. Auston. IEEE J. Quant. Electron. 28, 6, 1607 (1992)
  176. V.N. Trukhin, A.S. Buyskikh. Acta Phys. Polonica A 119, 2, 206 (2011)
  177. D. You, R.R. Jones, P.H. Bucksbaum, D.R. Dykaar. Opt. Lett. 18, 4, 290 (1993)
  178. A.E. Yachmenev, D.V. Lavrukhin, I.A. Glinskiy, N.V. Zenchenko, Y.G. Goncharov, I.E. Spector, R.A. Khabibullin, T. Osuji, D.S. Ponomarev. Optical Eng. 59, 6, 061608 (2019)
  179. https://www.batop.de/
  180. D.R. Bacon, T.B. Gill, M. Rosamond, A.D. Burnett, A. Dunn, L. Li, E.H. Linfield, A.G. Davies, P. Dean, J.R. Freeman. Opt. Express 28, 12, 17219 (2020)
  181. J. Madeo, N. Jukam, D. Oustinov, M. Rosticher, R. Rungsawang, J. Tignon, S.S. Dhillon. Electron. Lett. 46, 9, 611 (2010)
  182. N.T. Yardimci, S.-H. Yang, C.W. Berry, M. Jarrahi. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 5, 2, 223 (2015)
  183. S.-H. Yang, M.R. Hashemi, C.W. Berry, M. Jarrahi. IEEE Trans. Terahertz Sci. Technol. 4, 5, 575 (2014)
  184. X.-C. Zhang, D. Auston. J. Appl. Phys. 71, 1, 326 (1992).
  185. S.L. Chuang, S. Schmitt-Rink, B.I. Greene, P.N. Saeta, A.F.J. Levi. Phys. Rev. Lett. 68, 1, 102 (1992)
  186. A. Rice, Y. Jin, X. Ma, X.-C. Zhang, D. Bliss, J. Larkin, M. Alexander. Appl. Phys. Lett. 64, 11, 1324 (1994)
  187. A. Bonvalet, M. Joffre, J.L. Martin, A. Migus. Appl. Phys. Lett. 67, 20, 2907 (1995)
  188. R. Kaindl, D. Smith, M. Joschko, M. Hasselbeck, M. Woerner, T. Elsaesser. Opt. Lett. 23, 11, 861 (1998)
  189. P.Y. Han, X.-C. Zhang. Appl. Phys. Lett. 73, 21, 3049 (1998)
  190. Q. Wu, X.-C. Zhang. Appl. Phys. Lett. 71, 10, 1285 (1997)
  191. R. Kaindl, F. Eickemeyer, M. Woerner, T. Elsaesser. Appl. Phys. Lett. 75, 8, 1060 (1999)
  192. X.-C. Zhang, B.B. Hu, J.T. Darrow, D.H. Auston. Appl. Phys. Lett. 56, 11, 1011 (1990)
  193. X.-C. Zhang, J.T. Darrow, B.B. Hu, D.H. Auston, M.T. Schmidt, P. Tham, E.S. Yang. Appl. Phys. Lett. 56, 22, 2228 (1990)
  194. X.-C. Zhang, B.B. Hu, S.H. Xin, D.H. Auston. Appl. Phys. Lett. 57, 8, 753 (1990)
  195. X.-C. Zhang, Y. Jin, K. Yang, L.J. Schowalter. Phys. Rev. Lett. 69, 15, 2303 (1992)
  196. X.-C. Zhang, Y. Jin, T.D. Hewitt, T. Sangdiri, L.E. Kingsley, W. Weiner. Appl. Phys. Lett. 62, 17, 2003 (1993)
  197. M. Li, F.G. Sun, G.A. Wagoner, M. Alexander, X.-C. Zhang. Appl. Phys. Lett. 67, 1, 25 (1995)
  198. S.C. Howells, L.A. Schlie. Appl. Phys. Lett. 67, 25, 3688 (1995)
  199. N. Sarukura, H. Ohtake, S. Izumida, Z. Liu. J. Appl. Phys. 84, 1, 654 (1998)
  200. P. Gu, M. Tani, S. Kono, K. Sakai, X.-C. Zhang. J. Appl. Phys. 91, 9, 5533 (2002)
  201. K. Liu, J. Xu, T. Yuan, X.-C. Zhang. Phys. Rev. B 73, 15, 155330 (2006)
  202. C. Song, P. Wang, Y. Qian, G. Zhou, R. Notzel. Opt. Express 28, 18, 25750 (2020)
  203. В.Н. Трухин, В.А. Соловьев, И.А. Мустафин, М.Ю. Чернов. Письма в ЖТФ 48, 3, 51 (2022). [V.N. Trukhin, V.A. Solov'ev, I.A. Mustafin, M.Yu. Chernov. Tech. Phys. Lett. 48, 2, 42 (2022)]
  204. К. Зеегер. Физика полупроводников. Мир, М. (1977). С. 340--351. [K. Seeger. Semiconductor Physics. Springer-Verlag, Wien (1973)]
  205. R. Adomavivcius, A. Urbanowicz, G. Molis, A. Krotkus, E. vSatkovskis. Appl. Phys. Lett. 85, 13, 2463 (2004)
  206. J.F. Ward, J.K. Guha. Appl. Phys. Lett. 30, 6, 276 (1977)
  207. M.B. Johnston, D. Whittaker, A. Corchia, A.G. Davies, E.H. Linfield. Phys. Rev. B 65, 16, 165301 (2002)
  208. S. Howells, S. Herrera, L. Schlie. Appl. Phys. Lett. 65, 23, 2946 (1994)
  209. L. Xu, X.-C. Zhang, D.H. Auston, B. Jalali. Appl. Phys. Lett. 59, 26, 3357 (1991)
  210. А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, С.Н. Аболмасов, Е.И. Теруков, Е.В. Берегулин. Письма в ЖЭТФ 116, 12, 825 (2022). [A.V. Andrianov, A.N. Aleshin, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov, E.V. Beregulin. JETP Lett. 116, 12, 859 (2022)]
  211. А.В. Андрианов, А.Н. Алешин, С.Н. Аболмасов, Е.И. Теруков, А.О. Захарьин. ФТТ 65, 5, 848 (2023). [A.V. Andrianov, A.N. Aleshin, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov, A.O. Zakhar'in. Phys. Solid State 65, 5, 814 (2023)]
  212. A.S. Abramov, D.A. Andronikov, S.N. Abolmasov, E.I. Terukov. In: High-Efficient Low-Cost Photovoltaics / Eds V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Goetzberger. Springer Nature Switzerland AG, Cham (2020). Ch. 7. P. 113--132.
  213. Y. Kadoya, T. Matsui, A. Takazato, J. Kitagawa. Joint Proceed. 32nd Int. Conf. on Infrared and Millimeter Waves and the 15th Int. Conf. Terahertz Electronics, 02-09 September. Cardiff, UK (2007). P. 987--988
  214. A. Lisauskas, A. Reklaitis, R. Venckevivcius, I. Kavsalynas, G. Valuvsis, G. Grigali\=unaite-Vonsevivciene, H. Maestre, J. Schmidt, V. Blank, M.D. Thomson, H.G. Roskos, K. Kohler. Appl. Phys. Lett. 98, 9, 091103 (2011)
  215. A. Reklaitis. Phys. Rev. B 77, 15, 153309 (2008)
  216. H.G. Roskos, M.C. Nuss, J. Shah, K. Leo, D.A. Miller, A.M. Fox, S. Schmitt-Rink, K. Kohler. Phys. Rev. Lett. 68, 14, 2216 (1992)
  217. P.C.M. Planken, M.C. Nuss, I. Brener, K.W. Goossen, M.S.C. Luo, S.L. Chuang, L. Pfeifer. Phys. Rev. Lett. 69, 26, 3800 (1992)
  218. S. Bell, J. Rogers, J.N. Heyman, J.D. Zimmerman, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett. 92, 14, 142108 (2008)
  219. P.C.M. Planken, M.C. Nuss, W.H. Knox, D.A.B. Miller, K.W. Goossen. Appl. Phys. Lett. 61, 17, 2009 (1992)
  220. А.В. Андрианов, П.С. Алексеев, Г.В. Климко, С.В. Иванов, В.Л. Щеглов, И.В. Седова, А.О. Захарьин. ФТП 47, 11, 1441 (2013). [A.V. Andrianov, P.S. Alekseev, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.L. Shcheglov, M.A. Sedova, A.O. Zakhar'in. Semicond. 47, 11, 1433 (2013)]
  221. A.V. Andrianov, P.S. Alekseev, G.V. Klimko, S.V. Ivanov, V.L. Sheglov, I.V. Sedova, A.O. Zakhar'in. Semicond. Sci. Technol, 28, 105012 (2013)
  222. C. Washke, H.G. Roskos, R. Schwedler, K. Leo, H. Kurtz, K. Kohler. Phys. Rev. Lett. 70, 21, 3319 (1993)
  223. F. Bloch. Z. Phys. 52, 555 (1928)
  224. C. Zener. Proc. R. Soc. London Ser. A 145, 855, 523 (1934)
  225. G.N. Wannier. Phys. Rev. 117, 2, 432 (1960)
  226. P. Voisin. Ann. Phys. 22, 6, 681 (1997)
  227. J. Bleuse, G. Bastard, P. Voisin. Phys. Rev. Lett. 60, 3, 220 (1988)
  228. Y. Shimada, K. Hirokawa, M. Odnoblioudov, K.A. Chao. Phys. Rev. Lett. 90, 4, 046806 (2003)
  229. В.И. Санкин, А.В. Андрианов, А.О. Захарьин, А.Г. Петров. Письма в ЖЭТФ 94, 5, 393 (2011). [V.I. Sankin, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, A.G. Petrov. JETP Lett. 94, 5, 362 (2011)]
  230. V.I. Sankin, A.V. Andrianov, A.O. Zakhar'in, A.G. Petrov. Appl. Phys. Lett. 100, 11, 111109 (2012)
  231. В.И. Санкин. ФТП 36, 7, 769 (2002). [V.I. Sankin. Semicond. 36, 7, 717 (2002)]
  232. L.S. Ramsdell. Amer. Mineral. 32, 1-2, 64 (1947)
  233. В.А. Максименко, В.В. Макаров, А.А. Короновский, А.Е. Храмов, Р. Венкевичиюс, Г. Валушис, А.Г. Баланов, Ф.В. Кусмарцев, К.Н. Алексеев. Письма в ЖЭТФ 103, 7, 527 (2016). [V.A. Maksimenko, V.V. Makarov, A.A. Koronovskii, A.E. Hramov, R. Venckevivcius, G. Valuvsis, A.G. Balanov, F.V. Kusmartsev, K.N. Alekseev. JETP Lett. 103, 7, 465 (2016)]
  234. V.I. Sankin, A.V. Andrianov, A.G. Petrov, A.O. Zakhar'in. Appl. Phys. Lett. 108, 21, 211108 (2016)
  235. E.R. Brown. Proc. SPIE 7938, 793802 (2011)
  236. R. Safian, G. Ghazi, N. Mohammadian. Opt. Eng. 58, 11, 110901 (2019).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme