Вышедшие номера
Генерация терагерцевого излучения в полупроводниках (О б з о р)
нет
Андрианов А.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: alex.andrianov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 7 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 1 сентября 2023 г.
Принята к печати: 3 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 2 октября 2023 г.

Электромагнитное излучение терагерцевого (ТГц) частотного диапазона, занимающее область спектра между оптическим инфракрасным и микроволновым излучением, представляет интерес для многочисленных диагностических применений в различных областях науки и технологии. Для построения диагностических ТГц-систем требуются источники излучения различного типа. В настоящем обзоре рассматриваются методы генерации ТГц-излучения в полупроводниках и полупроводниковых структурах, основанные на квантовых оптических переходах между различными уровнями энергии в системе, а также и не связанные непосредственно с квантовыми переходами методы генерации, которые можно отнести к классическим. Ключевые слова: оптические переходы, лазеры, светодиоды, ультракороткие оптические импульсы, быстрый дипольный момент, быстрый фототок.