Необычные дефекты в CVD-алмазе
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, 0040-2019-0016
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Государственное задание ФТИАН им. К.А. Валиева РАН, FFNN-2022-0019
Мартюшов С.Ю.
1, Шульпина И.Л.
2, Ломов А.А.
3, Поляков С.Н.
11Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технологический институт им. К.А. Валиева РАН, Москва, Россия
Email: mart@tisnum.ru
Поступила в редакцию: 17 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 4 августа 2023 г.
Принята к печати: 5 августа 2023 г.
Выставление онлайн: 1 ноября 2023 г.
Методами проекционной и секционной рентгеновской топографии и двухкристальной рентгеновской дифрактометрии проведены исследования структурных дефектов алмаза, выращенного гомоэпитаксиально методом химического осаждения (CVD) на монокристаллической подложке из алмаза Ib, полученного методом температурного градиента (HPHT). Показано, что в CVD-алмазе нет дефектов HPHT-подложки, но присутствуют новые - дефекты упаковки необычного вида и структуры, которые сосуществуют с высокосовершенными областями кристалла, пригодными для изготовления элементов рентгеновской оптики. Впервые обнаружены макродефекты, ранее наблюдавшиеся только в бездислокационных монокристаллах кремния. Ключевые слова: HPHT-алмаз, синтетический алмаз, структурные дефекты, дислокации, дефекты упаковки, дифракционная рентгеновская топография, секционная топография, двухкристальная рентгеновская дифрактометрия.
- R.S. Balmer, J.R. Brandon, S.L. Clewes, H.K. Dhillon, J.M. Dodson, I. Friel, P.N. Inglis, T.D. Madgwick, M.L. Markham, T.P. Mollart, N. Perkins, G.A. Scarsbrook, D.J. Twitchen, A.J. Whitehead, J.J. Wilman, S.M. Woollard. J. Phys.: Condens. Matter 21, 364221 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364221
- I. Nam, C.-K. Min, B. Oh, G. Kim, D. Na, Y.J. Suh, H. Yang, M.H. Cho, C. Kim, M.-J. Kim, C.H. Shim, J.H. Ko, H. Heo, J. Park, J. Kim, S. Park, G. Park, S. Kim, S.H. Chun, H. Hyun, J.H. Lee, K.S. Kim, I. Eom, S. Rah, D. Shu, K.-J. Kim, S. Terentyev, V. Blank, Y. Shvyd'ko, S.J. Lee, H.-S. Kang. Nature Photon. 15, 435 (2021). DOI: 10.1038/s41566-021-00777-z
- C. Ponchut, J.M. Rigal, J. Clement, E. Papillon, A. Homs, S. Petitdemange. JINST 6, C01069 (2011). DOI: 10.1088/1748-0221/6/01/C01069
- S. Pezzagna, J. Meijera. Appl. Phys. Rev. 8, 011308 (2021). DOI: 10.1063/5.0007444
- H. Umezawa, M. Nagase, Y. Kato, S. Shikata. Diamond Rel. Mater. 24, 201 (2012). DOI: 10.1016/j.diamond.2012.01.011
- J.J. Gracio, Q.H. Fan, J.C. Madaleno. J. Phys. D 43, 374017 (2010). DOI: 10.1088/0022-3727/43/37/374017
- A.K. Mallik. J. Coat. Technol. Res. 3, 75 (2016). DOI: 10.6000/2369-3355.2016.03.02.4
- R.C. Burns, A.I. Chumakov, S.H. Connell, D. Dube, H.P. Godfried, J.O. Hansen, J. Hartwig, J. Hoszowska, F. Masiello, L. Mkhonza, M. Rebak, A. Rommevaux, R. Setshedi, P. Van Vaerenbergh. J. Phys.: Condens. Matter 21, 364224 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364224
- Y. Shvyd'ko, S. Stoupin, V. Blank, S. Terentyev. Nature Photon. 5, 539 (2011). DOI: 10.1038/nphoton.2011.197
- P.M. Martineau, M.P. Gaukroger, K.B. Guy, S.C. Lawson, D.J. Twitchen, I. Friel, J.O. Hansen, G.C. Summerton, T.P.G. Addison, R. Burns. J. Phys.: Condens. Matter 21, 364205 (2009). DOI: 10.1088/0953-8984/21/36/364205
- A.B. Muchnikov, A.L. Vikharev, A.M. Gorbachev, D.B. Radishev, V.D. Blank, S.A. Terentiev. Diam. Rel. Mater. 19, 432 (2010). DOI: 10.1016/j.diamond.2009.11.012
- H. Sumiya, K. Harano, K. Tamasaku. Diam. Rel. Mater. 58, 221 (2015). DOI: 10.1016/j.diamond.2015.08.006
- M.A. Doronin, S.N. Polyakov, K.S. Kravchuk, S.P. Molchanov, A.A. Lomov, S.Yu. Troschiev, S.A. Terentiev. Diam. Rel. Mater. 87, 149 (2018). DOI: 10.1016/j.diamond.2018.05.016
- F.V. Kaminsky, O.D. Zakharchenko, R. Davies, W. Griffin, G.K. Khachatryan-Blinova, A. Shiryaev. Contrib. Mineral. Petrol. 140, 734 (2001). DOI: 10.1007/s004100000221
- J. Walker. Rep. Prog. Phys. 42, 1605 (1979). DOI: 10.1088/0034-4885/42/10/001
- Q. Liang, Y.F. Meng, C.S. Yan, S. Krasnicki, J. Lai, K. Hemawan, H. Shu, D. Popov, T. Yu, W. Yang, H.K. Mao, R.J. Hemley. J. Superhard Mater. 35, 195 (2013). DOI: 10.3103/S1063457613040011
- A.R. Lang. J. Appl. Cryst. 27, 6, 988 (1994). DOI: 10.1107/s0021889894006734
- A.R. Lang, G. Pang, A.P. Makepeace. J. Synchrotron Rad. 3, 163 (1996). DOI: 10.1107/S0909049596004268
- S. Shikata. Funct. Diam. 2, 1, 175 (2022). DOI: 10.1080/26941112.2022.2149279
- Y. Sato, K. Miyajima, S. Shikata. Diam. Rel. Mater. 126, 109129 (2022). DOI: 10.1016/j.diamond.2022.109129
- M.P. Gaukroger, P.M. Martineau, M.J. Crowder, I. Friel, S.D. Williams, D.J. Twitchen. Diam. Rel. Mater. 17, 262 (2008). DOI: 10.1016/j.diamond.2007.12.036
- И.А. Прохоров, А.Э. Волошин, Д.А. Романов, А.П. Большаков В.Г. Ральченко. Кристаллография 64, 3, 369 (2019). DOI: 10.1134/S002347611903024X
- M. Gonzalez-Manas, B. Vallejo. J. Appl. Cryst. 51, 1684 (2018). DOI: 10.1107/S1600576718015388
- W. Wierzchowski, M. Moore. Acta Cryst. A 51, 831 (1995). DOI: 10.1107/S0108767395007690
- W. Kaiser, W.L. Bond. Phys. Rev. 115, 4, 857 (1959). DOI: 10.1103/PhysRev.115.857
- A.R. Lang. Proc. R. Soc. Lond. A 340, 233 (1974). DOI: 10.1098/rspa.1974.0150
- A.A. Shiryaev, D.A. Zolotov, O.M. Suprun, S.A. Ivakhnenko, A.A. Averin, A.V. Buzmakov, V.V. Lysakovskyi, I.G. Dyachkova, V.E. Asadchikov. Cryst. Eng. Commun. 20, 47, 7700 (2018). DOI: 10.1039/C8CE01499J
- С.Н. Поляков, А.А. Ломов, С.Ю. Мартюшов, И.Л. Шульпина, Ю.В. Швыдько, В.Н. Денисов, Н.В. Корнилов, В.Д. Бланк. Тез. докл. КЭЛТ-2021. Черноголовка (2021). С. 268
- S.N. Polyakov, V.N. Denisov, A.A. Lomov, I.L. Shulpina, S.Yu. Martyushov, N.V. Kornilov, V.D. Blank. Phys. Status Solidi RRL 16, 11, 2200164 (2022). DOI: 10.1002/pssr.202200164
- B.K. Tanner, D.K. Bowen. Characterization of Crystal Growth Defects by X-Ray Methods. Plenum Press, N.Y. (1980). 589 p. DOI: 10.1007/978-1-4757-1126-4
- Д.К. Боуэн, Б.К. Таннер. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография. Наука, СПб (2002). 274 с
- И.Л. Шульпина, Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, Т.С. Аргунова. ЖТФ 92, 10, 1475 (2022). DOI: 10.21883/JTF.2022.10.53240.23-22
- М.Г. Мильвидский, Ю.А. Осипьян, Э.В. Суворов, И.А. Смирнова, Е.В. Шулаков. Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования 6, 5 (2001)
- Р.Н. Кютт, С.С. Рувимов, И.Л. Шульпина. Письма в ЖТФ 32, 24, 79 (2006)
- S.N. Polyakov, V.N. Denisov, N.V. Kuzmin, M.S. Kuznetsov, S.Yu. Martyushov, S.A. Nosukhin, S.A. Terentiev, V.D. Blank. Diam. Rel. Mater. 20, 726 (2011). DOI: 10.1016/j.diamond.2011.03.012
- http://x-server.gmca.aps.anl.gov
- З.Г. Пинскер. Рентгеновская кристаллооптика. Наука, М. (1992). 391 с
- E.N. Mokhov, I.L. Shul'pina, A.S. Tregubova, Yu.A. Vodakov. Cryst. Res. Technol. 16, 8, 879 (1981). DOI: 10.1002/crat.19810160804
- Д.Д. Авров, А.О. Лебедев, Ю.М. Таиров. Изв. вузов. Электроника. 20, 4, 337 (2015)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.