Вышедшие номера
Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке
Минобрнауки России, Госзадание ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 0040-2019-0014
Минобрнауки России, Госзадание ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 0040-2019- 0006
Мынбаева М.Г. 1, Смирнов А.Н. 1, Давыдов В.Ю. 1, Лаврентьев А.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: mgm@mail.ioffe.ru, Alex.Smirnov@mail.ioffe.ru, Valery.Davydov@mail.ioffe.ru, allavren@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 18 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.

Приводятся результаты сравнительного исследования электронных свойств GaN с различным типом кристаллической структуры. Обнаружена ориентационная зависимость вхождения непреднамеренно введенной донорной примеси кислорода, которая определяет значение концентрации свободных электронов в выращенном материале. Ключевые слова: нитрид галлия, керамическая подложка, текстура, поликристалл, рамановская спектроскопия.