Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Сравнительные исследования свойств толстых слоев GaN с различным типом кристаллической структуры, выращенных на керамической подложке
Минобрнауки России, Госзадание ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 0040-2019-0014
Минобрнауки России, Госзадание ФТИ им. А.Ф. Иоффе, 0040-2019- 0006
Мынбаева М.Г.
1, Смирнов А.Н.
1, Давыдов В.Ю.
1, Лаврентьев А.А.
1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: mgm@mail.ioffe.ru, Alex.Smirnov@mail.ioffe.ru, Valery.Davydov@mail.ioffe.ru, allavren@yandex.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 18 июля 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
Приводятся результаты сравнительного исследования электронных свойств GaN с различным типом кристаллической структуры. Обнаружена ориентационная зависимость вхождения непреднамеренно введенной донорной примеси кислорода, которая определяет значение концентрации свободных электронов в выращенном материале. Ключевые слова: нитрид галлия, керамическая подложка, текстура, поликристалл, рамановская спектроскопия.
- J. Cho, Z. Li, E. Bozorg-Grayeli, T. Kodama, D. Francis, F. Ejeckam, F. Faili, M. Asheghi, K.E. Goodson. IEEE Transact.Comp., Packaging Manufacturing Technology 3, 1, 79 (2013)
- Z. Cheng, F. Mu, L. Yates, T. Suga, S. Graham. ACS Appl. Mater. Interfaces 12, 8376 (2020)
- M.L. Tsai, J.H. Liao, J.H. Yeh, T.C. Hsu, S.J. Hon, T.Y. Chung. Opt. Express 21, 27102 (2013)
- М.Г. Мынбаева, А.И. Печников, А.А. Ситникова, Д.А. Кириленко, А.А. Лаврентьев, Е.В. Иванова, В.И. Николаев. Письма в ЖТФ 41, 5, 584 (2015). [M.G. Mynbaeva, A.I. Pechnikov, A.A. Sitnikova, D.A. Kirilenko, A.A. Lavrent'ev, E.V. Ivanova, V.I. Nikolaev. Tech. Phys. Lett. 41, 3, 246 (2015)]
- М.Г. Мынбаева, А.Н. Смирнов, К.Д. Мынбаев. ФТП 55, 7, 554 (2021). [M.G. Mynbaeva, A.N. Smirnov, K.D. Mynbaev. Semiconductors 55, 7, 617 (2021)]
- M. Dermeneva, D.V. Muravijova, M.G. Mynbaeva, V.E. Bougrov. J. Phys. Conf. Ser. 1124, 081008 (2018)
- M.G. Mynbaeva, J. Phys. Conf. Ser. 2103, 012097 (2021)
- H. Harima. J. Phys.: Condens. Matter 14, 8, R967 (2002)
- P. Perlin, J. Camassel, W. Knap, T. Taliercio, J.C. Chervin. Appl. Phys. Lett. 67, 2524 (1995)
- F. Demangeot, J. Frandon, M.A. Renucci, C. Meny, O. Briot, R.L. Aulombard, J. Appl. Phys. 82, 1305 (1997)
- C. Wetzel, H. Amano, I. Akasaki, J.W. Ager III, I. Grzegory, M. Topf, B.K. Meyer. Phys. Rev. B 61, 8202 (2000)
- X. Lei, T. Li, G. Ren, X. Su, X. Gao, S. Zheng, H. Wang, K. Xu. J. Cryst. Growth 556, 125987 (2021)
- S. Sintonen, P. Kivisaari, S. Pimputkar, S. Suihkonen, T. Schulz, J.S. Speck, S. Nakamura. J. Crys. Growth 456, 43 (2016)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
