Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Формирование рассеивающего свет микрорельефа при атомно-слоевом осаждении диэлектрика на наноструктурированные пленки оксида индия-олова
Аксенова В.В.1, Смирнова И.П.
1, Марков Л.К.
1, Павлюченко А.С.
1, Колоколов Д.С.
2, Меш М.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2АО "СКТБ Кольцова", Санкт-Петербург, Россия
2АО "СКТБ Кольцова", Санкт-Петербург, Россия
Email: valeriyaakse@gmail.com, irina@quantum.ioffe.ru, l.markov@mail.ioffe.ru, alexey.pavluchenko@gmail.com, k.d@koltsov-kb.ru, mesh@koltsov-kb.ru
Поступила в редакцию: 12 мая 2023 г.
В окончательной редакции: 7 сентября 2023 г.
Принята к печати: 30 октября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.
Представлен метод создания рассеивающего свет рельефа на стадии формирования нижнего слоя диэлектрика при изготовлении электролюминесцентных дисплеев. Для исследования процесса формирования рассеивающего свет рельефа были изготовлены пленки с различными толщинами слоя Al2O3, получены РЭМ-изображения сколов сформированных пленок, а также измерены диаграммы направленности рассеяния света на них. Показано, что получаемый на границе диэлектрика рельеф создает рассеивающую свет структуру, способствующую повышению эффективности вывода света из активного слоя электролюминесцентного дисплея. Ключевые слова: наноструктурированный ITO, рассеивающий свет микрорельеф, эффективность вывода света.
- Z. Lin, H. Yang, S. Zhou, H. Wang, X. Hong, G. Li. Cryst. Growth Des. 12, 2836 (2012)
- S. Zhou, H. Hu, X. Liu, M. Liu, X. Ding, C. Gui, S. Liu, L.J. Guo. Jpn. J. Appl. Phys. 56, 111001 (2017)
- L.K. Markov, S.A. Kukushkin, I.P. Smirnova, A.S. Pavlyuchenko, A.S. Grashchenko, A.V. Osipov, G.V. Svyatets, A.E. Nikolaev, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Tech. Phys. Lett. 48, 31 (2022)
- L.K. Markov, I.P. Smirnova, M.V. Kukushkin, A.S. Pavluchenko. Semiconductors 54 (2020)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
