Вышедшие номера
Примесные уровни электронов в 2D-структурах, сформированные магнитными краевыми состояниями
Махмудиан М.М.1,2, Чаплик А.В.1,2
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Email: mahmood@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 26 сентября 2023 г.
В окончательной редакции: 26 сентября 2023 г.
Принята к печати: 1 ноября 2023 г.
Выставление онлайн: 6 декабря 2023 г.

Теоретически исследованы связанные состояния на примесном центре, возникающие в двумерном электронном газе в сильном поперечном магнитном поле с учетом влияния границ образца. В краевых состояниях сохраняется одна компонента импульса электрона, т. е. движение становится эффективно одномерным. На примере полосы конечной ширины получено уравнение, которое определяет энергию примесного состояния и является обобщением известного результата для мелкой потенциальной ямы в одномерной системе на случай произвольного закона дисперсии. Численно найдены энергии примесных уровней, относящихся к нулевой магнитной подзоне. Ключевые слова: двумерный электронный газ, квантующее магнитное поле, краевые состояния, примесные уровни.