Влияние частоты поля при плазмохимическом осаждении на структуру и свойства кремний-углеродных покрытий
	
		
			Российский научный фонд, Проведение фундаментальных научных исследований и поисковых научных исследований малыми отдельными научными группами, 22-29-00864		
	 
	
Попов А.И.
 1
1, Баринов А.Д.
 1
1, Едельбекова П.А.
2, Емец В.М.
 1
1, Мирошникова И.Н.
 1
1, Чуканова Т.С.
11Национальный исследовательский университет "МЭИ", Москва, Россия 
 2
2Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук, Москва, Россия 

 Email: popovai2009@gmail.com, barinovad@mpei.ru, polinaedel51@gmail.com, vyemets@mail.ru, miroshnicovain@mpei.ru, danetch@inbox.ru
 
	Поступила в редакцию: 31 октября 2023 г.
		
	В окончательной редакции: 16 ноября 2023 г.
		
	Принята к печати: 27 ноября 2023 г.
		
	Выставление онлайн: 30 декабря 2023 г.
		
		
 Проведены исследования электрофизических, механических свойств, морфологии поверхности и структуры кремний-углеродных покрытий, изготовленных плазмохимическим осаждением кремнийорганического прекурсора при разных частотах аксиального электрического поля. Показано, что причиной изменений исследованных характеристик покрытий при вариации частоты поля является изменение соотношения концентраций атомов углерода с различной гибридизацией электронных орбиталей. Зависимости всех исследованных характеристик от частоты поля имеют два различных по характеру участка. При частотах от 0.1 до 1.0 MHz наблюдаются значительные и немонотонные изменения свойств покрытий при изменении частоты электрического поля. При частотах более 1.0 MHz свойства получаемых покрытий практически не зависят от частоты. На базе совместного анализа результатов исследований физических свойств и рамановской спектроскопии предложена модель эволюции структуры покрытий с изменением частоты поля при их осаждении. Ключевые слова: кремний-углеродные покрытия, химический состав, фазовый состав, электропроводимость, модуль упругости, рамановские спектры, атомы углерода, гибридизация электронных орбиталей. 
- A. Popov. Disordered Semiconductors: Physics and Applications. 2d ed. Pan Stanford Publ. (2018). 327 p
- А.Д. Баринов, А.И. Попов, М.Ю. Пресняков. Неорган. материалы 53, 706 (2017)
- А.И. Попов, В.П. Афанасьев, А.Д. Баринов, Ю.Н. Бодиско, А.С. Грязев, И.Н. Мирошникова, М.Ю. Пресняков, М.Л. Шупегин. Поверхность. Рентген., синхротр. и нейтрон. исслед. N 9. 49 (2019)
- А.С. Гренадеров, А.А. Соловьев, К.В. Оскомов, М.О. Жульков. ЖТФ 91, 1286 (2021)
- А.И. Попов, А.Д. Баринов, В.М. Емец, Т.С. Чуканова, М.Л. Шупегин. ФТТ 62, 1612 (2020)
- E.V. Zavedeev, O.S. Zilova, A.D. Barinov. Diamond Rel. Mater. 74, 45 (2017)
- А.А. Шерченков. Материалы электронной техники 1, 48 (2003)
- T. Yamaguchi, N. Sakamoto, H. Tagashira. J. Appl. Phys. 83, 554 (1998)
- M. Shimozuma, K. Kitamori, H. Ohno, H. Hasegawa, H.J. Tagashira. Electron. Mater. 14, 573 (1985)
- Одномерные параметры шероховатости [Электронный ресурс] / Руководство пользователя Gwyddion. Режим доступа: http://gwyddion.net/documentation/user-guide-ru/roughness-iso.html
- С.Г. Лакеев, П.И. Мисуркин, Ю.С. Поляков, С.Ф. Тимашев. Флуктуационные и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. Сб. науч. тр. МЭИ, М. (2011). С. 5
- A.C. Ferrari, J. Robertson. Phys. Rev. B 61, 14095 (2000)
- A.S. Grenadyorov, А.А. Solovyev, V.O. Oskirko, K.V. Oskomov, V.A. Semenov, V.S. Sypchenko, A.A. Saraev. Vacuum. 219, part A. 112706 (2024)
- V. Uskokovic. Carbon Trends 5, 100116 (2021)
- Т.Г. Шумилова. Алмаз, графит, карбин, фуллерен и другие модификации углерода. УрО РАН, Екатеринбург (2002). 88 с
		
			Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
		
		
			Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.