Рассматриваются механизмы и особенности роста слоев карбида кремния в методе вакуумной химической эпитаксии в интервале ростовых температур от 1000 до 700^oC. На основании проведенных исследований спектров фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн и данных масс-спектрометрического анализа изучена структура формируемого гетероперехода. Обнаружено значительное возрастание концентрации точечных дефектов и отсутствие выраженной дислокационной структуры в слое кремния, прилегающего к гетеропереходу 3С-SiC/Si. По данным морфологических исследований поверхности растущей пленки по аналогии с теорией термического окисления кремния построена теория карбидизации поверхностных слоев кремния. Отличительной особенностью рассмотренной модели является включение в нее встречных, от подложки к поверхности структуры, диффузионных потоков атомов кремния. Проведены оценки скорости роста пленок и энергии активации диффузионных процессов. Проведенные эксперименты в совокупности с разработанной моделью роста, объясняют наблюдаемые на практике образования пустот под формируемым карбидным слоем в матрице кремния и возможность формирования развитой морфологии поверхности (островковый рост пленки) даже в условиях использования в реакторе только одного потока углеводорода. Работа выполнена при поддержке гранта РФФИ N 08-02-97017p-поволжье и ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2012 гг.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.