Вышедшие номера
Характеристики структур YBCO|CeO2|Al2O3 при уменьшении толщины подслоя оксида церия
РНФ, 24-29-00824
Боряков А.В.1, Мастеров Д.В. 1, Павлов С.А.1, Парафин А.Е. 1, Юнин П.А. 1
1Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
Email: boryakov@phys.unn.ru, masterov@ipmras.ru, pavlov@ipmras.ru, parafin@ipmras.ru, yunin@ipmras.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2024 г.
Принята к печати: 8 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 18 июня 2024 г.

Исследованы транспортные свойства, морфология поверхности и структура эпитаксиальных пленок высокотемпературного сверхпроводника Y1Ba2Cu3O7-x (YBCO) при уменьшении толщины эпитаксиального буферного слоя CeO2 на сапфире. Показано, что критическая температура и критическая плотность тока пленок YBCO сохраняют высокие значения (Tc>87 K, Jc(77 K)>2 MA/cm2) при уменьшении толщины подслоя CeO2 от 100 до 1.2 nm. Пленки YBCO остаются сверхпроводящими (Tc>83 K) на слое CeO2 с эквивалентной толщиной 0.1 nm. Ключевые слова: нано- и микроструктуры, формирование топологии структуры, рост в локальных областях, высокотемпературные сверхпроводники.