Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Рост эпитаксиальных тонких пленок антиферромагнетика Sr2IrO4 для гетероструктур спинтроники
Российский научный фонд, № 23-79-00010, № 23-79-00010
Москаль И.Е.1, Кислинский Ю.В.
1, Петржик А.М.1, Овсянников Г.А.1, Дубицкий Н.В2
1Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН, Москва, Россия 
2Российский технологический университет --- МИРЭА, Москва, Россия
2Российский технологический университет --- МИРЭА, Москва, Россия
Email: yulii@hitech.cplire.ru, ivan.moscal@yandex.ru
Поступила в редакцию: 18 апреля 2024 г.
В окончательной редакции: 18 апреля 2024 г.
Принята к печати: 8 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 6 июля 2024 г.
Представлено сравнение параметров эпитаксиальных тонких пленок иридата стронция Sr2IrO4, полученных двумя методами: катодным распылением на постоянном токе и катодным распылением на импульсном токе. Сравниваются резистивные и кристаллографические характеристики полученных тонкопленочных образцов. Обсуждаются модели электронного транспорта полученных пленок: термическая активация, типичная для зонного диэлектрика, и трехмерная прыжковая проводимость, характерная для моттовского прыжкового проводника. Ключевые слова: антиферромагнетизм, иридат стронция, эпитаксиальные тонкие пленки.
- H. Zhang, C. Liu, X. Qi, X. Dai, Z. Fang, S. Zhang. Nature Phys. 5, 438 (2009)
- X. Wan, A.M. Turner, A. Vishwanath, S.Y. Savrasov. Phys. Rev. B 83, 205101 (2011)
- Y.S. Hor, A.J. Williams, J.G. Checkelsky, P. Roushan, J. Seo, Q. Xu, H.W. Zandbergen, A. Yazdani, N.P. Ong, R.J. Cava. Phys. Rev. Lett. 104, 057001 (2010)
- B.J. Kim, H. Jin, S.J. Moon, J.Y. Kim, B.G. Park, C.S. Leem, J. Yu, T.W. Noh, C. Kim, S.J. Oh, J.H. Park, V. Durairaj, G. Cao, E. Rotenberg. Phys. Rev. Lett. 101, 076402 (2008)
- C. Cosio-Castaneda, G. Tavizon, A. Baeza, P. de la Mora, R. Escudero. J. Phys.: Condens. Mater 19, 446210 (2007)
- J. Yang, L. Hao, P. Nanney, K. Noordhoek, D. Meyers, L. Horak, J. Sanchez, J.-H. Chu, C. Nelson, M.P.M. Dean, J. Liu. Appl. Phys. Lett. 114, 182401 (2019)
- K. Nishio, H.Y. Hwang, Y. Hikita. APL Mater. 4, 036102 (2016)
- Y.V. Kislinskii, K.Y. Constantinian, I.E. Moskal, N.V. Dubitskiy, A.M. Petrzhik, A.V. Shadrin, G.A. Ovsyannikov. Russ. Microelectron. 52, S53 (2023)
- M. Petrzhik, K.Y. Constantinian, G.A. Ovsyannikov, A.V. Zaitsev, A.V. Shadrin, A.S. Grishin, Yu.V. Kislinski, G. Cristiani, G. Logvenov. Phys. Rev. B 100, 024501 (2019)
- Г.А. Овсянников, А.М. Петржик, И.В. Борисенко, А.А. Климов, Ю.А. Игнатов, В.В. Демидов, С.А. Никитов. ЖЭТФ 135, 56 (2009)
- А.М.Петржик, G. Cristiani, Г. Логвенов, А.Е. Пестун, Н.В. Андреев, Ю.В. Кислинский, Г.А. Овсянников. Письма в ЖТФ 43, 12, 25 (2017)
- C. Lu, A. Quindeau, H. Deniz, D. Preziosi, D. Hesse, M. Alexe. Appl. Phys. Lett. 105, 082407 (2014)
- V. Fuentes, L. Balcells, Z. Konstantinovic, B. Marti nez, A. Pomar. Nanomaterials B 14, 3, 242 (2024)
- E.D. Specht, R.E. Clausing, L. Heathly. J. Mater. Res. 5, 2351 (1990)
- H.С. Montgomery. J. Appl. Phys. 42, 2971 (1971)
- Boris I. Shklovskii, Alex L. Efros. Electronic Properties of Doped Semiconductors. Springer Verlag, Berlin-Heidelberg (1984)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
