Вышедшие номера
К вопросу о тонкой структуре 2p-спектров поверхности (100) кремния
Кузьмин М.В. 1, Моняк А.А. 1, Сорокина С.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2024 г.
Принята к печати: 24 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 6 июля 2024 г.

Используя синхротронное излучение и фотоэлектронную спектроскопию высокого разрешения (56-66 meV), исследована тонкая структура 2p-спектров поверхности Si(100) при 100 K в широкой области значений глубины выхода электронов. Показано, что эти спектры включают в себя пять поверхностных компонент. Установлена взаимосвязь их энергетических сдвигов с атомной и электронной структурой реконструкции с(4x2). Определены условия, при которых 2p-спектры имеют наибольшую чувствительность к поверхности и объему кремния, и, в частности, получены значения длины свободного пробега электронов в кремниевом кристалле как функции энергии фотонов. Полученные результаты могут быть использованы в качестве справочных данных в исследованиях различных поверхностных структур на подложке Si(100) с помощью фотоэмиссионных методов. Ключевые слова: поверхность, фотоэлектронная спектроскопия, остовный уровень, поверхностный сдвиг, кремний, длина свободного пробега.