Вышедшие номера
К вопросу о тонкой структуре 2p-спектров поверхности (100) кремния
Кузьмин М.В. 1, Моняк А.А. 1, Сорокина С.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: m.kuzmin@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 22 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 22 мая 2024 г.
Принята к печати: 24 мая 2024 г.
Выставление онлайн: 6 июля 2024 г.

Используя синхротронное излучение и фотоэлектронную спектроскопию высокого разрешения (56-66 meV), исследована тонкая структура 2p-спектров поверхности Si(100) при 100 K в широкой области значений глубины выхода электронов. Показано, что эти спектры включают в себя пять поверхностных компонент. Установлена взаимосвязь их энергетических сдвигов с атомной и электронной структурой реконструкции с(4x2). Определены условия, при которых 2p-спектры имеют наибольшую чувствительность к поверхности и объему кремния, и, в частности, получены значения длины свободного пробега электронов в кремниевом кристалле как функции энергии фотонов. Полученные результаты могут быть использованы в качестве справочных данных в исследованиях различных поверхностных структур на подложке Si(100) с помощью фотоэмиссионных методов. Ключевые слова: поверхность, фотоэлектронная спектроскопия, остовный уровень, поверхностный сдвиг, кремний, длина свободного пробега.
  1. C.S. Fadley. Surf. Interface Anal. 40, 1579 (2008)
  2. D. Wolverson, B. Smith, E. Como, C. Sayers, G. Wan, L. Pasquali, M. Cattelan. J. Phys. Chem. C 126, 9135 (2022)
  3. Y. Kayser, C. Milne, P. Juranic, L. Sala, J. Czapla-Masztafiak, R. Follath, M. Kavcic, G. Knopp, J. Rehanek, W. Blachucki, M.G. Delcey, M. Lundberg, K. Tyrala, D. Zhu, R. Alonso-Mori, R. Abela, J. Sa, J. Szlachetko. Nature Commun. 10, 4761 (2019)
  4. М.В. Гомоюнова, И.И. Пронин. ФТТ 74, 10, 1 (2004)
  5. F.J. Himpsel, P. Heimann, T.-C. Chiang, D.E. Eastman. Phys. Rev. Lett. 45, 1112 (1980)
  6. G.K. Wertheim, D.M. Riffe, J.E. Rowe, P.H. Citrin. Phys. Rev. Lett. 67, 120 (1991)
  7. F.J. Himpsel, F.R. McFeely, A. Taleb-Ibrahimi, J.A. Yarmoff, G. Hollinger. Phys. Rev. B 38, 6084 (1988)
  8. D.H. Rich, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. B 37, 3124 (1988)
  9. D.-S. Lin, T. Miller, T.-C. Chiang. Phys. Rev. Lett. 67, 2187 (1991)
  10. E. Landemark, C.J. Karlsson, Y.-C. Chao, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. Lett. 69, 1588 (1992)
  11. O.V. Yazyev, A. Pasquarello. Phys. Rev. Lett. 96, 157601 (2006)
  12. T.-W. Pi, C.-P. Cheng, I.-H. Hong. Surf. Sci. 418, 113 (1998)
  13. H. Koh, J.W. Kim, W.H. Choi, H.W. Yeom. Phys. Rev. B 67, 073306 (2003)
  14. P.E.J. Eriksson, R.I.G. Uhrberg. Phys. Rev. B. 81, 125443 (2010)
  15. D.A. Shirley. Phys. Rev. B 5, 4709 (1972)
  16. G.H. Major, N. Farley, P.M.A. Sherwood, M.R. Linford, J. Terry, V. Fernandez, K. Artyushkova. J. Vac. Sci. Technol. A 38, 061203 (2020)
  17. R.J. Hamers, R.M. Tromp, J.E. Demuth. Phys. Rev. B 34, 5343 (1986)
  18. R.A. Wolkov. Phys. Rev. Lett. 68, 2636 (1992)
  19. E. Pehlke, M. Scheffler. Phys. Rev. Lett. 71, 2338 (1993)
  20. M.P.J. Punkkinen, K. Kokko, L. Vitos, P. Laukkanen, E. Airiskallio, M. Ropo, M. Ahola-Tuomi, M. Kuzmin, I.J. Vayrynen, B. Johansson. Phys. Rev. B. 77, 245302 (2008)
  21. R.M. Tromp, R.J. Hamers, J.E. Demuth. Phys. Rev. Lett. 55, 1303 (1985)
  22. B.S. Swartzentruber, Y.W. Mo, M.B. Webb, M.G. Lagally. J. Vac. Sci. Technol. A 7, 2901 (1989)
  23. C.J. Powell, A. Jablonski. NIST Electron Inelastic-Mean-Free-Path Database. Version 1.2, SRD 71. National Institute of Standards and Technology, Gaithersburg, MD (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.