Используя синхротронное излучение и фотоэлектронную спектроскопию высокого разрешения (56-66 meV), исследована тонкая структура 2p-спектров поверхности Si(100) при 100 K в широкой области значений глубины выхода электронов. Показано, что эти спектры включают в себя пять поверхностных компонент. Установлена взаимосвязь их энергетических сдвигов с атомной и электронной структурой реконструкции с(4x2). Определены условия, при которых 2p-спектры имеют наибольшую чувствительность к поверхности и объему кремния, и, в частности, получены значения длины свободного пробега электронов в кремниевом кристалле как функции энергии фотонов. Полученные результаты могут быть использованы в качестве справочных данных в исследованиях различных поверхностных структур на подложке Si(100) с помощью фотоэмиссионных методов. Ключевые слова: поверхность, фотоэлектронная спектроскопия, остовный уровень, поверхностный сдвиг, кремний, длина свободного пробега.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.