Вышедшие номера
Home » Физика твердого тела » Год 2024, выпуск 9 » Статья стр. 1514
<<<>>>
Формирование квазидвумерных слоев наночастиц висмута в эпитаксиальных пленках арсенида галлия
Российский научный фонд, 24-22-20012
Санкт-Петербургский научный фонд, 24-22-20012
Поленок Е.Д.1,2, Берт Н.А. 1, Иванов А.А. 1, Снигирев Л.А. 1, Ушанов В.И. 1, Преображенский В.В. 3, Путято М.А. 3, Семягин Б.Р. 3, Яговкина М.А.1, Чалдышев В.В. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: nikolay.bert@mail.ioffe.ru, aleksei98.ivanov@mail.ioffe.ru, leonidsnigirev17@gmail.com, ushanovvi@mail.ioffe.ru, pvv@isp.nsc.ru, puma@isp.nsc.ru, sbr@isp.nsc.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 8 июля 2024 г.
В окончательной редакции: 9 июля 2024 г.
Принята к печати: 10 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 10 сентября 2024 г.
PDF версия
Путем дельта-легирования висмутом слоёв арсенида галлия в процессе низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии с последующим отжигом получены квазидвумерные слои наночастиц висмута в матрице эпитаксиального арсенида галлия. Низкая температура эпитаксии обеспечивает формирование в объеме материала высокой концентрации дефектов нестехиометрии, в первую очередь антиструктурных дефектов [AsGa] и вакансий галлия. Миграция этих дефектов в процессе отжига приводит к формированию как мелких преципитатов в слоях низкотемпературного GaAs, так и более крупных нановключений, обогащенных висмутом и расположенных на дельта-слоях Bi. Ключевые слова: нестехиометрический GaAsBi, молекулярно-лучевая эпитаксия, преципитация, рентгеновсквя дифрактометрия, просвечивающая электронная микроскопия, оптическое поглощение.
  1. S.A. Maier. Plasmonics: Fundamentals and Applications. Springer, N. Y. (2007)
  2. L. Wang, M. Hasanzadeh Kafshgari, M. Meunier. Adv. Funct. Mater. 30, 51, 2005400 (2020)
  3. N. Rivera, I. Kaminer. Nature Rev. Phys. 2, 10, 538 (2020)
  4. A.N. Koya, M. Romanelli, J. Kuttruff, N. Henriksson, A. Stefancu, G. Grinblat, A. De Andres, F. Schnur, M. Vanzan, M. Marsili, M. Rahaman, A. Viejo Rodri guez, T. Tapani, H. Lin, B.D. Dana, J. Lin, G. Barbillon, R.P. Zaccaria, D. Brida, D. Jariwala, L. Veisz, E. Cortes, S. Corni, D. Garoli, N. Maccaferri. Appl. Phys. Rev. 10, 2, 021318 (2023)
  5. V.E. Babicheva. Nanomaterials 13, 7, 1270 (2023)
  6. B.P. Nanda, P. Rani, P. Paul, R. Bhatia. J. Pharmaceutical Analysis (2024). In press. https://doi.org/10.1016/j.jpha.2024.02.013
  7. A.J. Haes, L. Chang, W.L. Klein, R.P. Van Duyne. J. Am. Chem. Soc. 127, 7, 2264 (2005)
  8. P. Mandal. Plasmonics 17, 3, 1247 (2022)
  9. I.I. Zamkoye, B. Lucas, S. Vedraine. Nanomaterials 13, 15, 2209 (2023)
  10. L. Agiotis, M. Meunier. Laser Photon. Rev. 16, 10, 2200076 (2022)
  11. R. Rajamanikandan, K. Sasikumar, S. Kosame, H. Ju. Nanomaterials 13, 2, 290 (2023)
  12. C. Zhang, C. Huang, M. Pu, J. Song, Z. Zhao, X. Wu, X. Luo. Sci. Rep. 7, 1, 5652 (2017)
  13. M. Fleischmann, P.J. Hendra, A.J. McQuillan. Chem. Phys. Lett. 26, 2, 163 (1974)
  14. S. Bai, X.L. Ren, K. Obata, Y. Ito, K. Sugioka. Opto-Electron. Adv. 5, 10, 210121 (2022)
  15. Y. Wang, X. Xu, Y. Li, C. Li, X. Wang, J. Wu, Y. Li. Talanta 269, 125432 (2024)
  16. N.A. Toropov, I.A. Gladskikh, P.V. Gladskikh, A.N. Kosarev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev, T.A. Vartanyan. J. Opt. Technol. 84, 7, 459 (2017)
  17. V.I. Ushanov, S.V. Eremeev, V.M. Silkin, V.V. Chaldyshev. Nanomaterials 14, 1, 109 (2024)
  18. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП 50, 12, 1620 (2016). [V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin. Semiconductors 50, 12, 1595 (2016)]
  19. L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev. Crystallogr. Rep. 47, 1, S118 (2002)
  20. V.V. Chaldyshev. Mater. Sci. Eng. B 88, 2-3, 195 (2002)
  21. M. Wu, E. Luna, J. Puustinen, M. Guina, A. Trampert. Nanotechnol. 25, 20, 205605 (2014)
  22. N. Balades, D.L. Sales, M. Herrera, C.H. Tan, Y. Liu, R.D. Richards, S.I. Molina. Nanoscale Res. Lett. 13, 125 (2018)
  23. R. Butkute, G. Niaura, E. Pozingyte, B. vCechavivcius, A. Selskis, M. Skapas, V. Karpus, A. Krotkus. Nanoscale Res. Lett. 12, 436 (2017)
  24. Н.А. Берт, А.И. Вейнгер, М.Д. Вилисова, С.И. Голощапов, И.В. Ивонин, С.В. Козырев, А.Е. Куницын, Л.Г. Лаврентьева, Д.И. Лубышев, В.В. Преображенский, Б.Р. Семягин, В.В. Третьяков, В.В. Чалдышев, М.П. Якубеня. ФТТ 35, 10, 2609 (1993)
  25. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett. 67, 2, 279 (1995)
  26. A. Janotti, S.H. Wei, S.B. Zhang. Phys. Rev. B 65, 11, 115203 (2002)
  27. Б.Р. Семягин, А.В. Колесников, М.А. Путято, В.В. Преображенский, Т.Б. Попова, В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев. ФТП 56, 3, 279 (2022). [B.R. Semyagin, A.V. Kolesnikov, M.A. Putyato, V.V. Preobrazhenskii, T.B. Popova, V.I. Ushanov, V.V. Chaldyshev. Semiconductors 56, 3, 201 (2022)]
  28. A.R. Mohmad, F. Bastiman, J.S. Ng, S.J. Sweeney, J.P.R. David. Physica Status Solidi C 9, 2, 259 (2012)
  29. R. Kudrawiec, J. Kopaczek, M.P. Polak, P. Scharoch, M. Gladysiewicz, J. Misiewicz, R.D. Richards, F. Bastiman, J.P.R. David. J. Appl. Phys. 116, 23, 233508 (2014)
  30. J.I. Pankove. Optical Processes in Semiconductors. Dover Pub., N. Y. (1971). ISBN 0-486-60275-3
  31. G.M. Martin. Appl. Phys. Lett. 39, 9, 747 (1981)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme