Для определения влияния субстрата на оптическую частоту ω_LO(Γ) свободного графена рассмотрена задача об адсорбированном на твердотельной подложке димере, состоящим из двух атомов углерода, связанных прямым (кинетическим) t и косвенным t_ind (через состояния подложки) обменами. Показано, что в случае полупроводниковой подложки результирующее взаимодействие, равно t+|t_ind|, что приводит к сдвигу частоты ω_LO(Γ) на величину Δω_LO(Γ)>0 (красное смещение G-пика рамановского спектра) и относительный сдвиг, δ_LO(Γ)=Δω_LO(Γ)/ ω_LO(Γ)~|t_ind|/t. Сделанные для подложки 6H-SiC численные оценки δ_LO(Γ) хорошо согласуются с данными эксперимента. В случае подложки - переходного металла показано, что для металлов с большими эффективными массами d-электронов (элементы конца 3d-ряда), возможна ситуация, когда Δ_LO(Γ)<0 (голубое смещение), что реально имеет место для графена, сформированного на Ni(111). Здесь, однако, теоретические оценки |δ_LO(Γ)| являются заниженными. Ключевые слова: прямой и косвенный обмены, продольная оптическая частота, SiC- и d-металлические подложки.