Исследуется механизмы роста эпитаксиальных пленок β-, ε- и α-фаз оксида галлия (Ga₂O₃) выращиваемых методом хлорид-гидридой эпитаксии (ХГЭ) на поверхности гибридных подложек SiC/Si, синтезированных методом согласованного замещения атомов (MCSA) на поверхности (110) подложек кремния. Рост слоев Ga₂O₃ протекал в широком диапазоне температур подложек от 550^oC до 1050^oC. Анализ микроструктуры осуществлялся при помощи рамановской спектроскопии и просвечивающей (трансмиссионной) микроскопии высокого разрешения (ПЭМ). Химический состав (распределение химических элементов) определялся при помощи рентгеновского спектрометра (EDS), который является приставкой к растровому электронному микроскопу (РЭМ). В результате проведенных исследований было обнаружено, что рост пленки Ga₂O₃ поверхности SiC/Si (110) происходит в две стадии. На первой стадии поверхность SiC/Si (110) обогащается углеродом и насыщается кремниевыми вакансиями в результате взаимодействия хлора, являющегося продуктом реакции хлорида галлия и кислорода, с поверхностью SiC/Si (110). Только после образования на поверхности SiC тонкого, толщиной порядка 1.5 nm слоя углерода начинается вторая стадия, а именно, начинается рост слоя Ga₂O₃. Рост Ga₂O₃ начинается с внедрения в слой углерода атомов кислорода, к которым затем присоединяются атомы галлия. После чего начинается рост объемного слоя Ga₂O₃. Поскольку реакция между хлором и SiC начинает заметно протекать только при температуре выше 700^oC, то при более низких температурах на поверхности SiC не образуется слоя углерода, соответственно слои Ga₂O₃ не зарождаются. Высказано предположение о том, что для выращивания качественных пленок Ga₂O₃ поверхности SiC перед ростом необходимо модифицировать, покрывая их либо тонким слоем углерода, либо слоем графена. Ключевые слова: карбид кремния на кремнии, оксид галлия, α-, ε- и β-политипы Ga₂O₃, графен, наноструктуры углерода, механизмы роста.