Физика твердого тела
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование поведения электросопротивления и термоэдс поликристаллов моносульфида иттербия при температурном циклировании в интервале 320-790 K
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Email: stnick@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 2 декабря 2024 г.
В окончательной редакции: 3 декабря 2024 г.
Принята к печати: 5 декабря 2024 г.
Выставление онлайн: 11 февраля 2025 г.
Проведено исследование температурных зависимостей электросопротивления R и термоэдс S поликристаллов моносульфида иттербия (YbS) в интервале 320-790 K. Установлено, что циклическое температурное воздействие на образцы YbS приводит к появлению гистерезиса на зависимостях ln[R(103/T)] и S(T). Анализ обнаруженных закономерностей в поведении R и S позволил выдвинуть предположение о существенном влиянии процессов возникновения и деструкции экситонного спектра при температурных изменениях на транспортные свойства носителей заряда в YbS. Ключевые слова: моносульфид иттербия, термоэдс, удельное электросопротивление, экситоны.
- Э.Л. Нагаев. Сильнолегированные магнитные полупроводники. В кн.: Редко-земельные полупроводники. Отв. ред.: В.П. Жузе, И.А. Смирнов. Л.: Наука. Ленингр. Отд. 1977. С. 48-81
- И.А. Смирнов, В.С. Оскотский. УФН 124, 9, 241 (1978)
- M. Francillon, D. Jerome, J.C. Achard, G. Malfait. J. Physique. 31, 709 (1970)
- G.V. Lashkarev, L.A. Ivanchenko, Y.B. Paderno. Physica Status Solidi (b) 49, 1, K61 (1972)
- L.A. Eressa, Z.D. Gerbi. Hindawi., Advances in Condensed Matter Physics 2024, Article ID 6646885, 10 p
- К.А. Кикоин. ЖЭТФ 85, 3, 1000 (1983)
- A. Jayaraman, V. Narayanamurti, E. Bucher, R.G. Maines. Phys. Rev. Lett. 25, 20, 1430 (1970)
- В.А. Сидоров, Н.Н. Степанов, Л.Г. Хвостанцев, О.Б. Циок, А.В. Голубков, В.С. Оскотский, И.А. Смирнов. Индуцированное высоким давлением состояние переменной валентности в монохалькогенидах самария. / В сб.: Физика и химия редкоземельных полупроводников. Сборник научных трудов. Отв. ред. к. т. н. К.Е. Миронов. Новосибирск: Наука СО. 1990. С. 176-180
- Н.Н. Степанов, Г.А. Каменская, С.В. Новиков. ФТТ. 66, 1, 22 (2024)
- Н.Н. Степанов, Г.А. Каменская, С.В. Новиков. ФТТ. 66, 5, 679 (2024)
- А.В. Голубков, В.М. Сергеева. Физика и химия редкоземельных полупроводников (Химия и технология). Препринт УНЦ АН СССР, Свердловск (1977). С. 2
- А.В. Голубков, Е.В. Гончарова, В.П. Жузе, Е.Г. Логинов, В.М. Сергеева, И.А. Смирнов. Физические свойства халькогенидов редкоземельных элементов. Отв. ред. В.П. Жузе. Изд-во "Наука", Ленингр. отд., Л., 1973, стр. 1-304
- А.Т. Бурков, А.И. Федотовa, А.А. Касьянов, Р.И. Пантелеев, Т. Накама. Науч.-тех. вестн. информ. технологий, механики и оптики. 15, 2, 173 (2015).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
